直流磁控溅射铂电阻薄膜

根据薄膜理论和通过成膜工艺实验,研究了影响铂薄膜电阻温度系数的主要因素。1)对铂靶材料的纯度要求高,含杂质极少;2)淀积薄膜要有一定厚度,通常近于1μm才能有较大的α;3)成膜以后,需经过高温热处理,减少缺陷,结晶化改善。通过大量实验,使用高铝陶瓷基片或微晶玻璃基片,溅射铂薄膜的厚度为800nm,高温热处理1h,可以获得电阻温度系数为3.850×10-3/℃的铂电阻薄膜。     

薄膜技术与温度传感器

本文根据现有国内外期刊资料,综合薄膜温度传感器的研制生产状态和发展动向,认为按其固有特点、优势,它有较强的竞争力。从它的结构和工艺来看,有如下特点:热响应速度快,电阻阻值范围宽,选材广泛,机械性好,精度高,体积小,重量轻,成本低。可平面化,集成化。该文介绍了国内外巳研制或生产的几种薄膜温度传感器:SiC,SnSe、MnCo、V_3O_5、Ti、Ni、Gc、Pt等,并介绍它们的工艺、结构、特点和应用。这里着重指出Pt薄膜具有线性的电阻温度关系,适合二次仪表配套,并举出它在表面测温、瞬时测温、真空内测温和一般情况下的应用。该文认为开发薄膜技术、研制和生产各类薄膜传感器,满足四化需要,意义深远,前程广阔。     

超高压力传感器绝缘封装薄膜的工艺研究

为了提高锰铜传感器的测压上限,须用薄膜工艺制备无机绝缘三氧化二铝薄膜来作为传感器的绝缘封装层。采用电子束蒸发法,对影响三氧化二铝薄膜的相关工艺如:蒸发原料的纯度、成膜次数进行了研究。最终得出:由99.99%的三氧化二铝原料制备出的薄膜致密性好、缺陷少,其绝缘电阻率和损耗分别可达1012O·cm和103量级;而采用多次间隙蒸发可明显改善薄膜的附着性和致密性。     

PVDF冲击压力传感器的制备和应用

PVDF（聚偏氟乙烯）及其共聚物压电计具有响应快、灵敏度高、测压范围宽等特点，是一种理想的冲击压力传感器。用它制作超高压力传感器的关键是必须解决传感器的一致性问题。本文对近年来国内外在此方面的工作进行了总结，给出了该类传感器的爆炸、高速撞击、高能脉冲激光辐照等压力测试方面的应用，并对该类传感器中存在的问题进行了归纳。     

性能优异的铂薄膜温度传感器

本文简介作为温度传感器用铂金属薄膜电阻的结构、特点和应用,指明它的优异性能:热响应速度快、线性好、稳定性高、精度高、工作温度范围宽、体积小等。同时也报导了国内外铂金属薄膜的发展概况和性能指标。并对这一产品的应用前景作了分析和估计。     

箔式锰铜传感器的新进展

箔式锰铜传感器主要应用于动高压的测试中,现有的箔式锰铜传感器采用有机物作为绝缘层,其测压上限为40GPa。而采用绝缘封装层为Al2O3薄膜的箔式传感器,可拓宽其测压上限。动高压测试结果表明,该传感器所承受的压力为55．32GPa,压阻系数为0．0272,传感器的延续时间可达2．5μm。     

锰铜薄膜的制备及压阻特性

为了锰铜传感器微型化,采用直流磁控溅射法制备适合高压力测量的锰铜薄膜,用X射线衍射和扫描电子显微镜技术分析了薄膜的结构和形貌,动态加载实验标定了锰铜薄膜的压阻系数。研究结果表明,晶粒尺寸决定了薄膜的压阻系数,经360℃热处理1h后,薄膜晶粒长大,压阻系数有着明显提高(K值达到0.02GPa–1),性能达到锰铜箔的水平。     

新型箔式锰铜超高压力传感器

为了提高锰铜超高压力传感器的测压上限,须采用超高压力下绝缘性能好的无机材料作为绝缘封装层.用Al2O3薄膜作箔式锰铜超高压力传感器的绝缘层,代替现有箔式锰铜计中所使用的粘胶剂及PTFE膜,从根本上消除高压旁路效应,提高传感器的测压上限.初步的动态超高压测试结果表明,该传感器所承受的压力为54.55GPa,压阻系数为0.0237GPa-1,延续时间可达1.6μs.     

薄膜式锰铜传感器的超高压力标定

为拓展锰铜传感器的高压测试上限,本文采用薄膜技术研制了一种新型的锰铜传感器.该传感器采用氧化铝封装,后置式结构,两步薄膜工艺制作.利用二级轻气炮进行了40～107GPa的冲击高压加载,试验波形呈现出一理想的平台,寿命为1μs.标定曲线Px(GPa)=6.0371+29.819(ΔR/R0)+21.591(ΔR/R0)2-6.8267(ΔR/R0)3近似于一条直线,精度达±3%.