排序方式： 共有9条查询结果，搜索用时 62 毫秒
1
1.
<正> 由于硅具有高热导、良好的机械强度、高完整性及低廉的价格;发展GaAs/Si异质外延技术对于开拓Si集成和GaAs集成兼容电路有着宽广的应用前景。所以,在非极性半导体Si单晶上外延生长极性半导体GaAs单晶薄膜成为国际上最引入注目的研究课题之一。 文献中报道了许多异质外延GaAs/Si方面的研究工作,那是用MBE和MOCVD技术进行的。还有学者强调,异质外延GaAs/Si的唯一限制是必须采用MBE系统。 相似文献
2.
本文讨论了SU(N.M)的空间对称性和布里渊区经折叠后的特殊性质。使用分区变分法计算了超薄层超晶格(GaAs)_n/(AlAs)_n(n=1,2,3)的能带,运用四个势场调整参数所算出的能带和实验结果基本相符。结果表明,(GaAs)_1—(AlAs)_1为间接能隙半导体,禁带宽度为1.87eV,导带底位于Z_x点(1,0,0)(2π/a)。而(GaAs)_n—(AlAs)(n≥2)则为直接能隙半导体,且禁带宽度E_g随着n的增大而减小。并将计算结果和别的理论结果、实验数据作了比较和分析。 相似文献
3.
基于Oracle XML DB的XML文档存取技术 总被引：3，自引：0，他引：3
简要介绍了Oracle XML DB技术,并用实例说明如何利用这种技术将XML和关系数据库联系起来,实现对XML文档的存取. 相似文献
4.
刘良俊 《固体电子学研究与进展》1982,(2)
<正>第三届全国半导体物理学术会议于1981年12月15日至19日在无锡召开,这次会议是中国科学技术协会和中国物理学会共同组织的,复旦大学主办.黄昆、谢希德、汤定元、吴汝麟等我国半导体界著名教授,以及全国各高等院校、科学院研究所、工业部门研究所、工厂等66个单位共133名代表参加了会议. 相似文献
5.
为契合纯电动汽车实车电池数据特点,提出一种数据驱动的锂离子电池健康状态(SOH)估计方法。基于前馈神经网络和循环神经网络模型,通过电池动态放电数据学习其动态特性,并参考锂离子电池电化学模型中电池端电压的组成公式,设计电池系统辨识神经网络的结构。该神经网络能较精确地学习电池的端电压响应和预测电池的恒流放电电压曲线,平均误差小于20 mV。基于曲线相似度计算法,利用模型预测的恒流放电电压曲线,对电池的容量和SOH进行估计。所提出的方法可对电池SOH进行精确估计,误差小于2.5%。 相似文献
6.
本文通过改变温度和光照条件,研究了深能级DX中心的温度特性对HEMT器件的I—V,C—V特性及噪声系数的影响。由实验及理论计算分别得到了I—T,C—T,F—T等曲线。结果表明,DX中心上的带电状态在153～230K之间变化较大,这一温度范围内DX中心对器件的饱和电流,栅电容及噪声系数影响也较大。本文还直接在HEMT器件上作了DLTS测量,得到的结果和理论分析基本相符。 相似文献
7.
本文讲述了Inprise公司Web解决方案，并结合实例详细描述了运用ActiveForm技术将Delphi应用程序从两层C／S模式向B／S模式移植的过程。 相似文献
8.
异质结构的HBT和HEMT由干具有高频、高速的巨大潜力,越来越受到人们重视,并已进行了大量研究。但由于这两种结构都要求具有近乎理想的异质界面,一般需要采用昂贵的外延设备(MBE,MOCVD),因而研究及应用工作受到一定限制。 自1985年底开始,依据朱恩均提出的二维电子气发射极异质结双极晶体管(简称ZDEG-HBT:2-Demension-Electron-Gas HeterojunctlonBipolar Transistor)结构设想’‘’,针对ZDEGHBT的物理模型、工艺实现等问题进行了理论探讨和实验验证。依据新模型进行设计肘,可以适当降低对异质界面质量的要求,有可能利用普通工… 相似文献
9.
在文献[1]讨论半导体器件物理模型的基础上,本文着重说明动量能量方程在半导体输运问题中的应用范围.分析表明:在存在空间非均匀场的情况下,预期使用动量能量守恒方程能有比较可靠的结果.本文也给出基于玻尔兹曼方程的不同输运模型之间的相互关系. 相似文献
1
