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低噪声ＧａＡｓ ＦＥＴ和功率ＧａＡｓ ＦＥＴ经中子辐射都未发生致命性的通或断失效，直流偏置伏态下，其失效模式仅仅表现为源漏饱和电流ＩＤＳＳ的退化降低，据此提出了ＩＤＳＳ退化失效与快中子注量φｎ之间的解析关键式ｌｎｙ＝ａ＋ｂｌｎφ。 相似文献
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南京电子器件研究所近期研制成功1.44～1.68GHz 220 W硅微波脉冲功率晶体管.该器件在1.44～1.68 GHz频带内,脉宽200 μs,占空比10%和40V工作电压下,全带内脉冲输出功率大于220 W,功率增益大于7.1 dB,效率大于45%.该器件采用高效梳条状结构,单元间距6μm,发射极和基极线宽1.9μm,金属条间距1.6μm.每个器件由6个面积为1 600μm×800 μm功率芯片组成,每个功率芯片含有2个大功率子胞.整个器件包含12个大功率子胞、20个内匹配电容和200多条连接金丝. 相似文献
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关于半导体器件热特性表征和控制技术的研究 总被引：3，自引：2，他引：1
根据对器件散热特性的分析,提出用特定脉宽的瞬态热阻抗表征器件的稳态散热特性.测量了特定器件热阻与温度的依赖关系,建议在实际工作中注意器件热阻并不为常数的客观事实.提出应力试验前后测量器件热阻可有效控制器件的某些制造缺陷. 相似文献
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超声雾化在盐雾试验中的应用 总被引：2，自引：0，他引：2
陶有迁 《电子产品可靠性与环境试验》2000,(3):27-30
提出将超声雾化应用于盐雾试验 ,在盐雾生成法上以超声雾化法取代气压喷射法 ,通过理论与试验探索了超声雾化法的可行性 ,并比较了两种方法的优劣 相似文献
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利用红外热像显微测量峰值结温方法对L波段硅脉冲功率晶体管在脉冲射频(f=1.3 GHz,Pin=40 W,r=150μs,D=10％)和峰值结温220℃条件下进行52000器件小时的脉冲射频加速寿命试验.由此估算出该功率管在峰值结温125℃和上述RF条件下,器件失效率λ≤1.59×10-7h-1.试验分析表明,采用本试... 相似文献
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介绍了目前国内部分射频调制器的结构,通过测试试验对射频调制器的质量进行了分析研究,对一些已用于或尚未用于射频调制器的器件进行试验研究。 相似文献
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陶有迁 《电子标准化与质量》1999,(5):21-23
简介了目前国内部分射频调制器的结构,通过测试,试验,对射频调制器的质量进行了分析,并对一些射频调制器器件进行试验研究。 相似文献
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