Si(Li)~(133)Xe探测器

一、引言~(133)Xe是惰性气体氙的一种人工放射性同位素。由于它具有γ射线能量低(81 keV)、     

平面工艺Si电流型X射线探测器研制

该项目主要研究X射线能谱及时间谱测量、强流脉冲X射线束测量所需的平面工艺硅电流型探测器。主要工作在于模拟核爆中高功率Z-pinch等离子体辐射研究中测量等离子体产生的X射线能谱及时间谱和用于X光束诊断和高功率Z-pinch等离子体辐射研究。该型探测器用于探测极低能量     

平面工艺制造硅辐射探测器

平面工艺制造半导体探测器,始于六十年代初期,但由于需要的设备多,工艺比较复杂,而探测器的电性能又不十分突出,致使该工艺很少被采用,各个领域使用的硅探测器,大多是用面垒工艺、扩散工艺和一般离子注入工艺制造的。直到七十年代末,Kemmer解决了一系列工艺问题后,才使探测器的性能提高到一个崭新水平,后来许多国家相继开展了这个工作,并取得了优异成果,制造出了带电粒子探测器,γ,X射线探测器,位置     

小型Si(Li)β辐射探测器的制造

本文主要叙述中子嬗变掺杂(NTD)单晶硅中~(31)P分布测量使用的小型Si(Li)β辐射探测器的制备工艺。     

平面工艺硅探测器的温度性能研究

平面工艺硅探测器有可能成为合适实际应用的Ｘ射线探测器。文章介绍了实验装置，系统地测量了－２０℃到＋５０℃温度范围内探测器的温度性能，并对结果进行了初步的分析。