深次临界装置α本征值l算方法比较研究

编制了用3种方法独立计算a本征值的计算程序,并分析了深次临界情况下a本征值计算遇到困难的原因。计算结果表明:改进的直接法计算范围宽、精度高,是解决深次临界情况下a本征值计算困难的有效途径。     

中子引发持续裂变链概率对中子位置、能量和运动方向的依赖性

讨论了构形不随时间变化的系统中中子引发持续裂变链概率所满足非线性方程的求解途径。对微扰近似处理的相关物理进行了讨论,特别是讨论了在中子引发持续裂变链意义上中子源的有效性系数和在中子增殖意义上中子源的有效性系数的差异和关系。另外还讨论了不降低中子引发持续裂变链概率所满足的非线性方程次数的微扰近似处理的求解途径和不做微扰近似的求解途径。     

持续裂变链引发概率的直接模拟研究

讨论了判断持续裂变链引发的理论依据,利用基于Geant4toolkit开发的蒙特卡罗直接模拟程序,计算了一系列测试几何和超瞬发临界5c/的GodivaⅠ反应堆内持续裂变链的引发概率。结果表明,蒙特卡罗直接模拟计算的结果与Mercury程序及确定性理论结果均一致。     

深次临界装置α本征值计算方法比较研究

编制了用3种方法独立计算α本征值的计算程序，并分析了深次临界情况下α本征值计算遇到困难的原因。计算结果表明：改进的直接法计算范围宽、精度高，是解决深次临界情况下α本征值计算困难的有效途径。     

稍超瞬发临界系统缓发中子发射率研究

使用蒙特卡罗直接模拟程序计算了弱源点火条件下超瞬发临界5￠的GodivaⅠ快中子脉冲堆缓发中子发射率规律和脉冲引发时刻概率分布。计算结果表明,脉冲引发时刻概率分布的计算结果与实验结果符合较好,所获得的缓发中子发射率规律可合理解释引发时刻概率分布的实验结果。     

有效增殖因子的动态模拟计算

讨论了有效增殖因子(k_(eff))的动态计算方法,建立了基于Geant4 toolkit平台的k_(eff)蒙特卡罗(MC)动态计算模型。分别采用动态方法和K静态方法计算了GodivaI反应堆基准实验和偏离临界较远系统时的k_(eff)。结果表明,K静态方法仅适用于靠近临界的系统,而动态方法无论在临界附近还是偏离临界较远均可得到正确的结果。