表面n沟CCD的电离辐射损伤

本文报道了150光敏元表面n沟CCD(电荷耦合器件)在不同能量电子和γ射线辐照后的电离辐射效应。试验结果表明,转移失效率在≤10Gy时已明显增大。但大多数器件在累积剂量≤50Gy时,通过调整“胖零”注入仍可工作。在高剂量辐照期间,不同栅偏压器件的转移效率退化存在较大差异。应用高频和准静态C-V技术分析了参数退化的原因。     

硅化钯-P型硅肖特基势垒二极管的红外响应

硅化钯-P型硅肖特基势垒二极管是短波红外CCD和焦平面的光敏元,利用成熟的硅大规模集成电路工艺可以把它和信息处理电路做在同一芯片上,因此,易于做成高密度多象元的器件。近几年来,这种器件发展很快,性能有很大的提高。目前,人们正在发展长波硅肖特基势垒红外CCD,因此,对硅肖特基势垒二极管的光谱响应十分关注。本文对硅化     

红外焦平面参数定义和测试方法的讨论

通过对比焦平面与单元探测器结构和工作模式的不同，提出了焦平面的参数量纲、“空间噪声”和“2－D*”等问题的讨论，以及焦平面参数的测试方法，尤其是噪声的测试方法，与单元探测器有很大不同。     

CCD摄象器件光响应均匀性测量

提出用均方根偏差度来表征CCD摄象器件光敏元响应的不均匀度,理论分析了不均匀度测量对转移效率测量的依赖关系,得出一种精确测定不均匀度及转移效率的新方法,建立了测量系统。实验结果与理论分析相符。     

PiN硅光二极管的噪声测试

在反偏、无光照、室温条件下测量了PiN硅光二极管(其光谱响应从0.4～1.2μm)中的电流噪声频谱。利用硅光二极管与高阻低噪声前置放大器的最佳组合法,在美国H-P3585A频谱分析仪上测量了20Hz～70kHz带宽内的噪声频谱。实验证实了对硅光二极管噪声机理的物理分析:在低频时,1/f噪声的贡献是主要的;在中频区,产生复合噪声(散粒噪     

线阵固体图像传感器特性参数测试方法技术规范

1988年11月24-27日,在苏州召开的“第二届全国固体摄象器件与应用技术学术讨论会”上,学部委员汤定元先生等人根据发展我国固体摄象器件的需要,提议建立CCD特性参数测试方法。经代表们讨论,在会议纪要中写道“建议首先建立一个文本来统一CCD的参数定义和标准测试。大会通过了明年委请中国测试技术研究院负责组织召开建立上述文本的筹备会……”。1989年12月10-13日,由中国光学学会光电技术专业委员会主持,在成都召开了筹备会,成立了文本编写工作组及秘书组,编写组由刘颖教授等16人组成,秘书组由龚晓斌等4人组成。会议对初稿进行了讨论,并对下一步工作作了分工。1991年12月12日,光电技术专业委员会邀请15位专家在成都对“文本”进行了研讨,提出了修改意见。由龚晓斌、刘颖进一步修改后,于今年3月提出了本,“技术规范”。国家技术监督局已将进一步修定本“技术规范”的工作纳入1993年的计划。预期在1994年本“技术规范”将作为国家法规性技术文件颁布,在此之前,可作为一个临时的规范来对待。