表面n沟CCD的电离辐射损伤

本文报道了150光敏元表面n沟CCD(电荷耦合器件)在不同能量电子和γ射线辐照后的电离辐射效应。试验结果表明,转移失效率在≤10Gy时已明显增大。但大多数器件在累积剂量≤50Gy时,通过调整“胖零”注入仍可工作。在高剂量辐照期间,不同栅偏压器件的转移效率退化存在较大差异。应用高频和准静态C-V技术分析了参数退化的原因。     

YZ-1型放射性污染测量仪

为解决对受放射性污染的粮、菜、水和人体排泄物等样品进行快速测定,及时估算放射性污染量,因而设计研制了YZ—1型放射性污染测量仪。它由主机和探头两部份组成,可分别探测β和γ两种射线(必要时亦可探测α射线)的强度。主机采用国产CMOS集成电路、六位数字显示、自动定时、交直流供电,具有体积小、耗电少、计数容量大、灵敏度高、携带和操作维修方便等特点。它也适用于平时对放射性样品的活度测量,是一种军民两用、平战结合的射线测量仪器。