用于溅射负离子源的透射表面电离器的研制

介绍了１种应用于表面电离型溅负离子源的球面形透射表面的电离器，并阐述了原理。这种电离器可使铯蒸气直接通过，避免了铯蒸气绕射造成电离表面铯原子通量低的缺点，增大了铯离子的产额也使离子源的流强较采用非透射型电离器时提高了５０－８７％。‘     

高能Si~+注入Sl-GaAs形成n型埋层

本文报导0.6～5MeV高能Si~+离子注入LEC半绝缘GaAs的快速退火效果,在950℃温度下退火5秒得到最佳电特性.采用多能量叠加注入已制备出平均深度在1.2μm,厚约1.7μm的n~+深埋层,载流子浓度为3～5×10~(17)cm~(-3).在近表面单晶层上作成了性能良好的肖特基接触,其势垒高度约为0.7V.     

MeV~（28）Si~＋注入GaAs的两步快退火行为

从电特性、激活能、应力和剩余损伤几个方面，对ＧａＡｓ晶体中以较大剂量注入的ＭｅＶ硅原子在一步快退火、两步快退火下的行为进行了分析．经过两步快退火处理的样品，剩余位错环密度降低，晶格应力消除，注入区的结晶品质得到改善，硅原子替位所需激活能较小，提高了注入杂质电激活效率和迁移率，降低了薄层电阻．两步快退火使注入杂质在大多数辐射损伤消除后更易激活，特别适用于大剂量ＭｅＶ硅注入后的退火处理．     

束箔方法测量激发态寿命及其误差

本文阐述了束-箔方法测量原子、分子离子激发态寿命的原理和优点,阐述了我们的实验过程和得到的一些结果。 对于实验误差进行了分析、讨论,提出了我们实验中的三个误差来源。     

离子注入改善钢表面性能的研究

离子注入提供一种精确控制和改善钢表面性能的最灵便和最直接的方法。本文研究了离子注入对钢的表面硬度、光反射率和高温氧化性能的影响。     

自制358型双等离子体离子源阴极

介绍了对2×1.7MV串列加速器上一台358型双等离子体离子源的阴极改进工作,自制镍基氧化物阴极,使此源引出的He~+束和H~-束较原铂网阴极分别提高了16％和34％。引出He~+束时,可工作于自持放电状态。此阴极连续工作寿命>40h。     

束-箔激发机制的初步研究

利用200keV离子注入机和单光子计数器得到C~ 与He~ 的束箔光谱。测量了所使用的光学系统的量子效率。算得碳的各激发态的粒子数分布,并与理论预言进行了比较。     

GIC—4117／HC1.7MV Tandetron上的MeV离子注入系统

利用通用离子公司（ＧＩＣ）的４１１７型１．７ＭＶ Ｔａｎｄｅｔｒｏｎ离子束分析设备进行ＭｅＶ级离子注入。所注入的离子能量范围由５００ｋｅＶ到１０ＭｅＶ，离子的质量在２４０ｕ以下，某些元素的负离子束流强度在１５０μＡ以上。双向机械扫描技术可将离子均匀地注入样片。