大管脚数的表面安装塑封器件新的失效机理的研究

本文简述了塑封器件的特点及其发展，和随之而出现的新的失效机理，塑封分层剥离，开裂（俗称“爆米花”效应）。并通过对一个ＱＦＰ８０脚表面安装（ＳＭＤ）塑封器件微处理单元电路的失效分析，使用先进的手段证实了大管脚表面安装塑封器件管壳的分层剥离产生的应力可使键合接头开裂，导致器件电失效，及塑封分层剥离，开裂产生的原因，提出了避免此类现象发生的合理建议。     

SRAM数据残留现象的机理分析

通过实验进行了SRAM数据残留机理的研究,建立了数据残留时间与温度的关系.确定了低温下非平衡载流子复合率及扩散速度的降低,是导致SRAM断电后数据残留的主要原因.同时进行了SRAM电参数与数据残留的相关性分析,排除了实验条件下热载流子效应对数据残留特性的影响.     

用并口实现D/A转换器的快速测试

本文简要介绍了D/A转换原理及D/A转换器快速测试的虚拟仪器实现方案,并给出了部分关键源程序.     

VLSI老化模型参数热阻的研究

从老化筛选模型人手,阐述了老化模型参数热阻的重要性。基于热阻测量原理,给出了常见的热阻测量方法．同时分析了各测量方法的优缺点。在此基础上提出了一种新颖的封装热阻估计实验方法。虽然不能精确地测量出国产VLSI的热阻值．但给出了一种国产VLSI封装热阻数据的获取方法。实验证明其具有较强的实用性,不失为一种国产VLSI热阻参数快速确定的工程技术。     

静态随机存储器数据残留特性研究

通常在安全处理系统中,微处理都将密钥储存在静态随机存储器(SRAM)中,如果SRAM的数据在断电后确实完全丢失,那么采取这样的对策是非常安全的,但是SRAM在断电后存在数据残留的问题,是系统的一个重大安全隐患。针对信息系统的安全性,用实验方法进行了SRAM数据残留特性的研究,确定了多种SRAM数据残留的临界温度点,建立了数据残留时间与温度的相关关系,进行了数据残留特性与电参数的相关分析,提取出数据残留特性的特征电参数待机电流Iddsb,有助于进一步研究SRAM数据残留机理。     

薄层金属晶粒结构定量分析技术研究

本文论述了薄层金属晶粒结构定量分析技术的重要性，国内外研究动态，并结合本实验室的软，硬件，阐述了计算机图像分析技术的测试原理，测试程序，同时给出了应用实例，取得了有意义的结果。     

小波分析在IC IDDT弱故障定位研究中的应用

针对IC中的弱故障进行了瞬态电流IDDT研究,发现IDDT信号中带有弱故障信息,在此基础上应用小波分析技术对弱故障IDDT进行了故障定位研究,提取出电路的故障特征参数Td,为实现弱故障定位进行了有益地探索。     

大规模集成电路的高低温测试技术

介绍了大规模集成电器高低温测试系统的建立，介绍了热流系统的主要技术指标和实用性。重点探讨了集成电路高低温测试系统，实际应用的关键技术及几个应该注意的技术细节。     

一种非积分式瞬态电流传感器设计

瞬态电流（IDDT）测试技术自20世纪90年代提出以来受到了人们越来越多的关注。文章提出了一种非积分式CMOS电路IDDT传感器,该传感器能够有效的抑制噪声、准确的提取IDDT信号并较好的反应出故障信息,工作频率可达700MHz。     

电迁移与工艺相关的关系

针对金属化电迁移,进行了失效机理与工艺相关性的研究;确定了金属晶粒尺寸与金属化可靠性之间存在着直接关系.金属平均晶粒直径与金属电迁移寿命受金属化溅射工艺条件的影响完全一致.提出了平均晶粒直径作为能够表征金属化可靠性的特征工艺参数的概念和金属化可靠性在线评价方法.