THE BEHAVIORS OF 48keV Si IONS IMPLANTED INTO（100）GaAs

ＴＨＥＢＥＨＡＶＩＯＲＳＯＦ４８ｋｅＶＳｉＩＯＮＳＩＭＰＬＡＮＴＥＤＩＮＴＯ（１００）ＧａＡＳＬｉｕＨｕｉｚｈｅｎ（刘惠珍）；ＣａｏＤｅｘｉｎ（曹德新）；ＺｈｕＤｅｚｈａｎｇ（朱德彰）；ＺｈｕＦｕｙｉｎｇ（朱福英）ａｎｄＣａｏＪｉａｎｑｉｎｇ（曹建清...     

27keV Ar~+斜入射时的Cu-Au合金溅射实验角分布

用27keV Ar~+分别在垂直和倾斜入射情况下,轰击了Cu-Au(30wt％)合金样品,测量了Cu和Au原子的溅射角分布。角分布是用卢瑟福背散射(RBS)技术分析Al捕获膜上的Cu-Au沉积成分而定量得到的。结果表明:(1)在Ar~+倾斜(θ=40°)入射时,Cu原子择优发射,且程度比垂直入射(θ_r=O°)时增强:(2)倾斜入射时,Cu原子的角分布显示出在接近于样品表面法线方向的发射角范围内(θ<45°),发射机率比垂直入射时减小。     

钳盘式制动系统常见故障及排除

随着公路工程建设的迅猛发展及养护机械化程度的逐渐提高,越来越多的施工单位购置了各类土石方机械,其中尤以装载机更为普遍。正确了解这些设备的制动系统结构特点,掌握常见故障的排除方法,可以确保设备的正常使用。此处以轮式工程机械广泛采用的钳盘式制动系统为例,说明其常见故障的现象及其排除方法。(1)气压表压力上升缓慢。主要原因:(a)管路漏气;(b)气泵工作不正常;(c)单向阀锈蚀、卡滞;(d)油水分离器放油螺塞未关紧或调压阀漏气。故障排除方法:首先应排除管路漏气,再检查气泵工作状态。将气泵出气管拆下,用大拇指压紧出气口,若排气压力…     

沟道效应及其应用

沟道效应,亦称方向效应。在非晶体中,原子排列是无序的,所以具有一定能量的离子沿不同方向射入靶时,它的背向散射产额各向同性。但在单晶靶中,由于原子是有规则地按晶格点阵排列,从晶轴方向看,密集地排列着一列列原子列,且具有一定的对称性,所以当具有一定能量的离子从不同方向入射到单晶靶上时,由于入射离子与原子列上的原子作用情况不同,其背向散射产额不再是各向同性的了。当离子沿着晶轴方向入射时,只要离子入射方向与晶轴偏离的角度ψ足够小,离子就会在原子列对入射离子形成的屏蔽鞘里近似于成连续曲线前进,而不被散射出来,最后被阻止在晶体中。当上面的ψ角增大到某一角度ψ_c时,入射离子的背散射产额就会突然增加,如图1所示。这种入射离子在单晶靶上的背散射产额随入射角度而变化的现象,称沟道效应。原子列形成的通道称沟道。ψ_c称为临界角。     

低能离子溅射引起表面损伤的研究

本文应用背散射沟道技术研究了低能离子轰击不同晶向表面所引起的晶格损伤与离子能量、剂量的关系,讨论了损伤形成的动力学过程。     

CPLD可编程逻辑电路器件在尿液分析仪中的应用

尿液分析仪是临床检验最常用的设备,在此之前的尿液分析仪都采用分离的数字逻辑电路来做微控制器外围的接口电路,其电路复杂、稳定性差.通过采用CPLD(Complex Programmable Logic Device)替代分离的数字逻辑电路,既简化了电路,又提高了仪器的稳定性.经批量生产的仪器在使用中证明,CPLD替代原有的分离逻辑电路不但使生产工艺简化、功耗低、保密性好、程序设计灵活,而且具有抗干扰能力强、运行稳定的特点.     

用RBS和RNR研究表面涂覆CeO_2对Fe-25Cr合金高温氧化的影响

一、引言许多研究结果表明,将微量 Ce、Y、Hf 和 Th 或其氧化物添加于形成 Cr_2O_3保护层的 Fe～Cr 系合金中可以大大提高抗氧化性能。一些结果还表明,把这些活性元素的氧化物用涂覆方法或溅射方法作用合金表面,合金的抗氧化性能也同样可以得到改善。尽管已有许多模型试图解释这种活性元素的作用,但迄今为止,还没有一个为人们所普遍接受。     

1100kV气体绝缘开关设备用盆式绝缘子中心嵌件结构设计EI北大核心CSCD

为改善1 100 k V GIS用盆式绝缘子的机械性能,在现有盆式绝缘子中心嵌件结构(结构A)的基础上,重新设计了B、C 2种结构,对其进行了界面力学仿真和水压试验;并仿真计算、分析了其绝缘性能。结果表明,B、C 2种结构均能显著提高盆式绝缘子水压破坏强度值、减小分散性。但结构C的绝缘裕度较低,个别三交区位置的电场强度已经超出了许用值。因此,综合考虑机械和电气性能,宜优先采用结构B的盆式绝缘子。     

20—80keV Ar~+离子对稀释Si(Co,Ta)合金的溅射

荷能离子对单元素的溅射已有较好的理论解释,但是对多元合金或化合物溅射的研究才开始不久,目前尚无一个能够成功地解释实验现象的理论。 溅射后合金样品近表面组成的改变,是一种有趣的实验现象。实验中发现三元合金的现象比二元合金更为复杂,例如,元素的近表面改变与溅射离子的能量有关,这是用现有的择优溅射理论无法解释的。为研究这种现象,我们选取了Si(Co,Ta)三元合金,在分别用20到     

1.56MeV Sb^＋注入单晶硅的反常退火行为

剂量为２×１０（１３）－５×１０（１５）ｃｍ（－２）的１．５６ＭｅＶＳｂ＋注入Ｓｉ（１００）后，向石英炉中通入流动纯Ａｒ气进行热退火（退火温度为５００一１０５０℃，时间为３０ｍｉｎ）。采用３ＭｅＶＨｅ（２＋）卢瑟福背散射／沟道技术和透射电镜技术测量样品的注人损伤以及退火特性，结合计算机模拟数据，结果表明：缺陷的产生类型与注入离子的剂量、样品退火温度密切相关。