GaAs FET辐射退化研究

低噪声ＧａＡｓ ＦＥＴ和功率ＧａＡｓ ＦＥＴ经中子辐射都未发生致命性的通或断失效，直流偏置伏态下，其失效模式仅仅表现为源漏饱和电流ＩＤＳＳ的退化降低，据此提出了ＩＤＳＳ退化失效与快中子注量φｎ之间的解析关键式ｌｎｙ＝ａ＋ｂｌｎφ。     

微波器件失效率快速试验方法研究

介绍了微波低噪声GaAs FET恒定应力加速寿命试验结果,沟道温度T_(ch)为145℃时,平均寿命MTTF为9.64×10~6h,最主要的失效模式是源漏饱和电流I_(DSS)退化降低。建立了表征GaAs FET稳定性的敏感参数I_(DSS)的退化模型InP=a+blnt,分析了I_(DSS)退化与温度应力的加速关系。提出了快速推断器件可靠性的建议。     

全MESFET 8GHz无人值守中继机的可靠性研究

本文简介了全MESFET 8GHz无人值守中继机的可靠性设计和可靠性预测.叙述了这一中继机所用元器件的可靠性优选方法.最后给出无人值守中继机现场运行试验结果:MTBF≥60000小时.     

10GHz GaAs雪崩注入锁定放大器MTBF已达180,000小时

<正>任何电气产品除必须具有先进的电气性能外,还必须具有高的可靠性水平.在一定意义上讲,稳定可靠更为重要.为了了解南京固体器件研究所某些产品的可靠性水平,已对GaAs三厘米雪崩注入锁定放大器作了长期工作寿命试验.选择了1980年研制定型的WFB52型GaAs三厘米雪崩注入锁定放大器作为试验样品.除选用2台正品外,还挑选了4台副品,共有6台投入长期工作寿命试验.所谓副品是指中心频率和输出功率稍偏离产品技术规范规定的技术指标.雪崩注入锁定放大器要求恒流源供电,设计的恒流源应使雪崩管工作电流随环境温度的升高而略微下降.这样既减少了输出功率随环境温度而变化,又降低了高温条件下雪崩二极管的直流功耗.从而大大提高了雪崩注入锁定放大器的工作稳定性.长期工作寿命试验线路如图1和图2所示.     

高温工作寿命试验技术研究

介绍了在高温(150℃以上)工作寿命试验中,采用陶瓷基板厚膜电路、元器件热压键合和高温导电胶粘接以及耐高温的防振荡吸收材料等措施,保证了直至225℃环境温度的试验正常进行。并获得了微波低噪声GaAs FET在室温条件下的平均失效率已低于10~(-9)/h的结果。     

振荡器的高可靠性研究

1 前言随机抽取了5部x波段GaAsFET高Q介质谐振振荡器进行额定工作寿命试验,连续工作了4年多而无一失效;然后接着进行室温条件下非工作状态贮存寿命试验,历经7年未发现实质性恶变,统计数据证实该振荡器的可靠性是相当高的。本文给出了试验测量结果,并对其可靠性进行了评价分析。2 振荡器简介高Q介质谐振振荡器是产生固定频率的理想振荡器。在1—5GHz频段通常使用双极晶体管做为振荡器的有源器件,而在4—18GHz频段一般使用GaAsFET作为振荡器的有源器件。南京电子器件研究所生产的该     

高可靠X波段砷化镓场效应管介质谐振器振荡器

<正> 南京电子器件研究所研制生产的X波段砷化镓场效应管介质谐振器振荡器全部使用国产元器件,其关键的有源器件和高Q介质分别是所内研制生产的WC58型GaAs FET和ZST介质陶瓷。使用的其它元器件从各厂购得。 介质谐振器振荡器自1983年研制生产以来,首先用于8GHz无人值守中继接力系统中作上、下变频器的本振源。在该接力系统中共使用16部介质谐振器振荡器。到1987年底,经过三年多无人值守中继机的现场运行试验和四年多试验室条件下长期工作寿命的可靠性验证试验,以充分的数据证实,该介质谐振器振荡器具有较高的电性能指标和可靠性水平。在现场使用运行试验中,因雷电闪击造成整个无人值守中继站的供电系统发生故障而造成介质谐振     

8千兆赫无人值守中继机抗雷电冲击的性能研究

本文简介了大自然雷电的场强、能量以及频谱、模拟雷电冲击源的现状.叙述了8千兆赫砷化镓低噪声场效应放大器和8千兆赫广播电视接力系统中使用的无人值守中继机抗雷电冲击的试验,并讨论了试验结果.     

电磁兼容试验及试验方法研究

介绍了电磁敏感度（ＥＭＳ）试验系统的筹建及自制设备的研制过程, 对试验方法进行了一些探讨。