正电子湮没辐射一维角关联实验装置的研制及性能

本文介绍正电子湮没辐射一维角关联实验装置的设计原理、主要技术性能和特点、调试方法及实验结果。本装置的角分辨率为0.45mrad。     

聚乙烯/碳黑复合导电材料的正电子谱学研究

在高密度聚乙烯（HDPE）中掺入碳黑（CB）可以显著提高其导电性能,而且碳黑含量的变化对导电性有很在影响。本文用正电子湮没技术研究了这种复合体系中自由体积随碳黑含量的变化规律,证实了碳黑颗粒处于非晶区的观点,并结合电阻率测量和差热分析的实验结果探讨了渗流阈值以及结晶度等问题。     

He^＋注入Si（100）缺陷退火效应的慢正电子束研究

用慢正电子束探针测量了经剂量为5×10     

高温超导外延薄膜YBα_2Cu_3O_(7-x)中空位型缺陷的低能正电子寿命研究

利用脉冲低能正电子束系统测量了脉冲激光沉积法、磁控溅射法和多源共蒸法制备的高温超导外延薄膜ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｘ的低能正电子寿命谱。结果表明。除块材中普遍存在的正电子浅捕获中心外，还大量含有块材中缺乏的正电子探捕获中心，并且其尺度随温度的降低而长大。脉冲激光沉积法制备高温超导外延薄膜ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｘ的正电子寿命和沉积条件（衬底温度及空气分压）的关系研究表明，这种深捕获缺陷的种类与沉积条件无关，而缺陷浓度随衬底温度的降低及空气分压增高而增加     

用单能慢正电子束测量Si中的正电子迁移率

用单能慢正电子束流作为探针，测量了Ｐ型Ｓｉ中不同Ｂ杂质浓度的正电子湮没Ｓ参数和正电子能量的函数关系。在实验上系统地研究了正电子扩散长度和迁移率随半导体中杂质浓度的变化规律，观察到杂质的掺入不影响缺陷的开体积，但正电子在硅中的迁移率随杂质浓度的增加而减小。     

He~+注入Si(100)缺陷退火效应的慢正电子束研究

用慢正电子束探针测量了经剂量为 5× 10 16cm-2 的 140keVHe+ 注入的Si(10 0 )单晶S参数与正电子入射能量的关系 ,得到了注入产生缺陷的分布规律 ,发现近表面区域损伤不大 ,缺陷主要是直径小于 1nm的空位或空位团 ,较深的射程末端区域损伤严重 ,缺陷主要是微空洞和微气泡。对退火效应的研究表明 ,低温下退火空位缺陷得到了很好的消除 ,而高温下退火微空洞和微气泡发生融合 ,而且尺度增加     

慢正电子对ZnO中本征缺陷的研究

利用慢正电子研究了不同氧含量时射频磁控反应溅射制备的ZnO样品,观察到ZnO中本征缺陷（Vo,VZn）随混合气体中O2比例（PO2）的变化关系.结果表明：PO2≤70%时,这些ZnO样品中存在同一种缺陷类型,O空位（Vo）和Zn填隙（Zni）可能是材料中主要缺陷.PO2＞70%时,这些ZnO样品中缺陷以Zn空位（VZn）为主.随着反应室中O2含量的增加,样品的Zn空位（VZn）浓度逐渐增加;当PO2为85%时,与正电子湮没的VZn数目减少,可能是杂质原子对VZn屏蔽引起的结果;PO2低于50%,材料中H原子数目相对较多,H原子会与晶格中的悬挂键结合,和存在同种缺陷的其它样品相比,这时能与晶格原子悬挂键湮没的正电子数目要减少很多.随着O2含量增加,VZn浓度逐渐变大,Vo和Zni浓度相应减小,这些变化与光致发光谱（Photoluminescence,PL）反映的实验结果相吻合.     

分子束外延生长硅薄膜缺陷性质的单能慢正电子束研究

用慢正电子束流作为探针，测量了不同温度下用分子束外延生长的硅薄膜的正电子湮没Ｓ参数，讨论了外延层质量与生长温度及膜层厚度的关系，所得结论为：对于几百纳米厚度的分子束外延生长层，５００℃左右是一个比较合适的生长温度范围。温度过低，膜中将会含有大量的空位型缺陷；温度太高，杂质在材料中会有明显的扩散行为，对产品性能发生较大影响。     

慢正电子探针研究离子注入硅（100）产生的缺陷及其退火行为

用慢正电子探针分别检测了Ｐ＋注入和Ｐ注入Ｓｉ（１００）的两组样品。与基底样品相比较，注入样品中的缺陷导致了正电子湮没参数的显著变化。由湮没线形参数的变化拟合了两组样品注入损伤的深度分布、缺陷对正电子的捕获系数，讨论了Ｐ＋和Ｐ注入损伤缺陷的差别和它们在退火过程中的不同行为。