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本文扼要地叙述了近年来硅(锂)X射线荧光谱仪的进展,X射线荧光谱仪对半导体探测器的要求,和对探测器几何形状的选择。文章详细地介绍了硅(锂)X射线探测器的制备工艺,及用该工艺流程制备的灵敏面积为12毫米~2、厚度3.5毫米的探测器,在温度～77°k时给出电容<1微微法,而反向电流,一直到1000伏的反向偏压下仍～10~(-13)安。配上脉冲光反馈前置放大器后,电子学系统的噪声FWHM(简称半宽度)为249电子伏的情况下,对~(55)Fe的5.9千电子伏的谱线得到半宽度为291电子伏。最后对上述结果简单地给予讨论。 相似文献
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研制了“无窗”的Ｓｉ（Ｌｉ）电子谱仪，测量了＾２０７Ｂｉ的内转换电子能谱，对能量９７５．６２ｋｅＶ的电子取得了２．０７ｋｅＶ的能量分辨率。 相似文献
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本文叙述■晶体生长的全部过程,详细讨论了原料提纯、晶体生长和加工等问题。文中采用的真空蒸汽凝结法和直角形晶种管对原料的纯化和控制,晶体生长的取向,避免晶体解裂都起着关键作用。生长Φ50×150mm以下的(艹氐)晶体成活率达70％以上,加工封装好的最大晶体尺寸为Φ90×70mm。并在生长大体积晶体过程中对结晶容器、炉温分布和隔板孔径等问题均作了改进。 相似文献
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本文主要叙述中子嬗变掺杂(NTD)单晶硅中~(31)P分布测量使用的小型Si(Li)β辐射探测器的制备工艺。 相似文献
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文章讲述了α扫描分析原理和方法，描述了建立的α扫描分析系统，并运用该系统进行了测量分析工作，取得了有意义的结果。 相似文献
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