退火对GaAs窗口晶体断裂模数的影响

LEC GaAs晶片经高温退火后，残余应力得以部分释放；从而减小残余应力诱生断裂的可能性，提高了GaAs晶体的断裂模数。原生GaAs晶片加工的样品的断裂模数平均值约为135MPa，经退火的GaAs晶片加工样品的断裂模数平均值更高，约为150MPa，断裂模数最高值达163MPa。     

X射线三轴晶衍射法测量半绝缘GaAs单晶的化学配比

采用X射线三轴晶衍射法,根据As间隙原子对作为过量As在GaAs单晶材料中存在的主要形式的模型,可以无损、高精度测量半绝缘GaAs单晶的化学配比.并探讨了引起晶格变化的原因及其与熔体组分的关系,对于制备高质量GaAs单晶及其光电器件具有重要的意义.     

Al2O3在钒钛烧结矿中的行为研究

针对攀钢钒钛烧结矿Al2O3含量高的情况，在实验室对Al2O3在钒钛烧结矿中的行为进行了试验研究，结果表明，Al2O3含量增加对钒钛烧结矿的产量，质量有不利影响，钒钛烧结矿中的Al2O3主要以固溶体形式贮存于除钙钛矿外的其他矿物相，它对烧结矿的矿物组成和结构有较大的影响。     

不同加工工艺的锑化镓晶片损伤研究

用透射电子显微镜、扫描电镜对锑化镓材料切、磨、抛等加工工艺引入的表面损伤进行观察和检测。结果表明：切割加工是锑化镓单晶晶片表面损伤层引入的主要工序；锑化镓单晶切割片表面极不平整，有金刚砂所引起的较粗桔皮皱纹；其表面损伤层深度≤30μm；双面研磨的锑化镓晶片表面仍有较粗桔皮皱纹，但比切割片的要细，而且桔皮皱纹的深浅随磨砂（Al2O3)粒径的减小而变细变浅；晶片的表面损伤层深度（≤5μm）也随着磨砂粒径的减小而减小。一般情况下，其损伤层的深度约为磨砂粒径的1/2。机械化学抛光加工的锑化镓晶片表面的SEM像观察不到桔皮皱纹；其损伤层深度约55nm。     

烟气脱硫技术述评及攀钢烧结烟气脱硫

针对攀钢当前和未来几年重点治污项目——烧结合硫烟气治理的实际需要，在世界十几种主要成熟的烟气脱硫工艺中，重点选取六种工业化应用程度较高的进行述评，分析了攀钢烧结烟气特性，对攀钢烧结烟气脱硫工艺选择提出了看法。     

“均压”烧结新技术的评述与展望

首次提出了均压烧结的概念；分析了和均压烧结技术提高烧结放产质量的机理；介绍了给上部料层加压和为下部料层减压的试验结果；展望了均压烧结技术在攀钢运用的必要性与可行性。     

系统优化方法在烧结生产中的应用

利用攀钢新建6号烧结机日常生产中积累的大量数据,对其工艺参数进行系统优化,找出其适宜的变化范围(优势区),有效地指导了生产操作,为6号烧结机很快达产创造了有利条件。     

退火对GaAs窗口晶体力学性能的影响

在LEC GaAs晶片中,存在相当大的弹性应变,在高温退火后,晶片的晶格参数的相对变化量不到原生晶片的70%,残余应力得以部分释放,从而减小残余应力诱生断裂的可能性,提高了GaAs晶体的断裂模数.原生GaAs晶体加工的样品的断裂模数平均值约为135MPa,而退火GaAs晶体加工的样品的断裂模数平均值更高,约为150MPa,断裂模数最高值达163MPa.     

X射线三轴晶衍射法测量半绝缘GaAs单晶的化学配比

采用X射线三轴晶衍射法,根据As间隙原子对作为过量As在GaAs单晶材料中存在的主要形式的模型,可以无损、高精度测量半绝缘GaAs单晶的化学配比.并探讨了引起晶格变化的原因及其与熔体组分的关系,对于制备高质量GaAs单晶及其光电器件具有重要的意义.     

退火对GaAs窗口晶体力学性能的影响

在L EC Ga As晶片中,存在相当大的弹性应变,在高温退火后,晶片的晶格参数的相对变化量不到原生晶片的70 % ,残余应力得以部分释放,从而减小残余应力诱生断裂的可能性,提高了Ga As晶体的断裂模数.原生Ga As晶体加工的样品的断裂模数平均值约为135 MPa,而退火Ga As晶体加工的样品的断裂模数平均值更高,约为15 0 MPa,断裂模数最高值达16 3MPa.