镍钴草酸盐共沉淀体系的过饱和态演变规律

对Ni(Ⅱ)-Co(Ⅱ)-C2O4-H2O体系镍、钴溶解度[M]T(M指金属离子)和过饱和度(S)进行了热力学分析,绘制出pH-lg[M]T图和pH-lgS图。结果表明:当2pH3时,镍、钴的溶解度最小;当pH2时,镍、钴的过饱和度均随pH的上升而增大,此后继续提高pH值,其过饱和度基本保持恒定。加料方式也对镍、钴过饱和度和体系平衡pH值影响显著,正加(沉淀剂加入金属剂)过程的过饱和度和pH值均波动较小,反加(金属剂加入沉淀剂)过程则变化很大。共沉淀试验结果进一步证实了热力学分析。pH≈1时,共沉淀粉体呈现2种形貌,粒度分布较广;当pH≥2时,共沉淀粉体粒度均匀,形貌单一。采用正加的加料方式,更有利于得到粒度均匀、形貌单一的镍钴草酸盐共沉淀粉体。     

固液界面反应法制备针状草酸钴粉体

以钴粉和草酸(H2C2O4)为原料,采用固液界面反应法制备针状草酸钴(Co2C2O4·2H2O)粉体.用扫描电镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)和激光粒度仪对粉体进行表征,研究反应温度、钴粉浓度、草酸与钴粉的计量比以及无机酸的种类和用量对草酸钴粉体的形貌和长径比的影响.结果表明,反应温度为30℃时草酸钴粉体多为颗粒状...     

β-二酮和5-壬基水杨醛肟从氨性溶液萃取铜的研究

对β-二酮,5-壬基水杨醛肟和它们的混和物萃取氨性溶液中的铜的性能做了研究,结果表明:在铜离子初始浓度为2.5g/L,氨浓度为56g/L,β-二酮与5-壬基水杨醛肟的体积比为1∶2时,铜回收率达到85.10%,饱和萃铜容量为6.0g/L。最佳萃取和反萃条件为:初始水相pH10,温度30℃,硫酸浓度为180g/L。并把β-二酮和5-壬基水杨醛肟与β-二酮的体积比为1∶2的混和物应用于模拟印制电路板蚀刻废液中铜的回收,经过单级萃取,混合物的铜回收率比β-二酮提高2.7%。     

草酸钴沉淀过程的溶液体系演变模拟

通过pH值在线检测和Co浓度离线分析方法,结合热力学数据建立的平衡模型,对草酸钴沉淀过程的溶液体系进行动态模拟。结果表明,随着沉淀反应的进行,体系pH值和过饱和度不断下降,沉淀率则逐渐升高,沉淀过程依次经历诱导期、成核期和生长期。在较高的反应物浓度下,沉淀反应速度更快,体系pH值和过饱和度下降速度随之增大,而沉淀率也有所增加。SEM和激光粒度分析结果表明,较高的反应物浓度下所得草酸钴粉体的一次晶粒粒径较小,易于团聚形成尺寸较大的刺球状团聚体。通过引入Davies活度系数,pH值在线分析模型和Co浓度离线分析模型吻合度高,模拟结果重现性好。     

水滑石及其焙烧产物对水中苯甲酸根的吸附研究

为了脱除水中的苯甲酸根,以苯甲酸作为吸附质,研究了水滑石及其焙烧产物的吸附作用。考察了吸附剂的镁铝摩尔比、初始pH值、苯甲酸浓度、吸附剂添加量、吸附时间和温度对吸附效果的影响,并对比考察水滑石和焙烧水滑石对苯甲酸的吸附。结果表明,水滑石及其焙烧产物对苯甲酸的最优吸附条件均为酸性环境下,镁铝摩尔比3∶1,吸附质浓度220 mg/L,吸附剂的量0.06 g;水滑石吸附时间20 h,吸附温度为60℃时,对苯甲酸的去除效果最好;而焙烧水滑石在室温下吸附苯甲酸8 h达到最高去除率;在同样条件下,水滑石焙烧产物比水滑石对苯甲酸的吸附大得多。     

电子浆料用微米级银粉的分步还原制备及其晶体生长特征

在水溶液中以抗坏血酸为还原剂、PVP为分散剂,分步还原硝酸银制备出微米级银粉.采用SEM和XRD等表征手段,考察银粉颗粒随反应原料加入速度及硝酸银加入量的生长规律,并借助AFM对其生长机理进行了研究.结果表明,当反应原料滴加速度为1 mL/min时,可获得粒径为1.8 μm、形貌规则的单分散性球形银粉颗粒,且其粒径随硝酸银加入量呈近线性增长;银粉晶粒以层状方式生长、台阶簇方式推进,属Kossel-Stranski二维成核.     

液相沉积制备TiO_2/Al颜料及其在自清洁涂料中的应用

以硫酸氧钛和氢氧化钠为主要原料,采用液相沉积法在片状Al粉表面包覆TiO2,制备TiO2/Al颜料,并进一步制得含有该颜料的自清洁涂料。以油酸为污染模拟物,用油酸的分解率作为评价手段,考察反应pH、煅烧温度、涂膜厚度对该涂料自清洁性能的影响。通过XRD仪对颜料结构进行表征,并对颜料的分散性和耐腐蚀性能进行研究。结果表明:在pH为4.5、煅烧温度为600℃条件下TiO2/Al表面的TiO2晶型为锐钛矿型,因而具有最强的自清洁能力。当颜料涂膜厚75μm时,经紫外灯光照3 h后油酸的分解率达到91%。用752S型可见分光光度计于λ=420 nm处分别测得Al粉和TiO2/Al颜料的透光率,来表征其分散性,结果证明Al粉的透光率比TiO2/Al高30%;用浓度0.1 mol/L的HCl溶液进行腐蚀实验,TiO2/Al颜料的耐腐蚀性能显著提高。