硅片和硅器件工艺中的背面损伤吸除技术

本文介绍了硅片背面的三种主要损伤吸除技术：机械损伤、激光辐照和离子注入技术。对这三种吸除技术的机理、工艺条件、应用情况和近来进展，作了详细的评述。     

LSI/VLSI中缺陷、杂质与器件性能的关系

结合器件工艺的失效分析,评述了硅中缺陷和氧、碳、金属杂质与器件性能、器件工艺之间的相互关系。指出:杂质和缺陷对器件的性能、成品率和可靠性有严重的影响,尤其经金属杂质缀饰的缺陷对器件的危害更大。对硅中某些杂质和缺陷的最新研究进展作了介绍。     

美国光生伏打电池的销售额剧增

美国太阳能工业协会(SEIA)经研究指出,今年美国的光生伏打电池的销售额将是去年的一倍,1982年将再增一倍。这研究是从发送到美国主要几家光生伏打公司调查表的回答中总结出来的。该协会估计光生伏打电池在1980年的销售额达到4080万美元,而1979年仅为2210万     

一种性能优越的CaAs外延片

美国BDH化学公司最近研制成一种性能优越的新GaAs外延片,用它制成的调正变容二极管,其微波调谐系数的最大值将增加一倍多。为满足所必需的电容变化,该GaAs外延片在活性区域的掺杂浓度分布,是由该公司通过特殊工艺制备而得,他们使其从衬底表面到外延层表面的载流子浓度分布逐渐降     

吸除硅片上杂质金的有效措施

众所周知,硅片上的杂质金以及其它重金属元素对器件的性能有严重的危害,为此各国科学家都设法在制备器件前或制备过程中,将硅片上的重金属杂质吸除掉。大量实践已证明,这种吸除对提高器件的成品率与优品率都十分有利,因此这种吸除研究已成为目前半导体中相当活跃的一个领域了。最近加利福尼亚大学的电气和计算机系发表了用离子注入损伤的方法来吸除掉硅片中杂质金的试验,效果比较明显。他们的研究分为如下二个方面:     

低温制备无定形硅膜的新方法

近年来,各国科学家在用无定形硅膜制成的高效薄型光电器件方面,取得了显著的进展。但对决定器件性能的无定形硅膜的制备,至今一直采用硅烷(SiH_4)的等离子放电法或在氢气氛中溅射的方法。     

转换效率达到6.2％的无定形硅太阳电池

最近,美国能量转换器件公司(ECD)已研制出一种无定形硅的太阳能电池,其转换效率达至6.2％。今年年初,美国的Arco太阳能公司与ECD公司共同拟订了一项价值为二千五百万美元的合同,决定由ECD公司首次提供这种无定形硅电池。     

硅中氧行为研究的新进展

本文根据硅片表层器件有源区中的缺陷对器件性能有着严重的影响，以及在制备器件时会引入的杂质和缺陷的事实，提出了使用内吸除技术来改进硅材料与器件的质量，并对与内吸除有关的因素，即硅中氧行为，如硅中氧施主，氧沉淀及其衍生缺陷，硅片中的吸净层，硅片中的氧与翘曲的成因机制等，作了概要介绍。