氧碘化学激光器腔镜表面缺陷的观察与分析

为了明确氧碘化学激光器腔镜损伤的原因,对腔镜表面的缺陷进行了研究。利用扫描探针显微镜观察了激光器腔镜表面缺陷,分析了腔镜表面微观形貌,讨论了常见缺陷的形状及成因。然后,建立了简化的带污染物腔镜的模型。利用COMSOL Multiphysics软件对环形光束辐照腔镜进行了仿真计算。最后,给出了缺陷大小、功率密度和腔镜表面温度的关系,分析了吸附层对腔镜熔融损伤的影响。计算结果表明:腔镜表面污染物大小不变时,激光辐照的功率密度越大,温度增长越快,薄膜表面越容易出现熔融损伤;腔镜表面污染物半径达到2.3mm时,腔镜薄膜即可出现熔融损伤。另外,吸附层吸收系数增加1%,腔镜最高温度增加约210K。本文所得结论可为分析腔镜损伤原因和制定腔镜更换依据提供参考。     

Ionic liquids as novel spectroscopic solvents for Eu（III）-containing complex

Novel soft materials,Eu(III)-containing complex dissolved in [C8mim][X](X=Cl-,PF6-and Tf2N-) ionic liquids,were synthesized.FT-IR and elementary analysis of complex proved that the molecular formula is [C8mim][Eu(TTA)4].The complex and ionic liquids had highthermal stability according to TGA.The photoluminescence spectra showed that the [C8mim][Eu(TTA)4] exhibited typical red emission deriving from 5D0-7F2 transition.After dissolving the complex in [C8mim][X](X=Cl-,PF6-and Tf2N-) ionic liquids,the luminescence intensitydecreased in the following order:[C8mim][Tf2N]≈[C8mim][PF6 ]>[C8mim][Cl].This was because Tf2N-and PF6-anions had larger molecularvolume and weaker coordination ability than Cl-.     

低温等离子体辅助脉冲直流磁控溅射制备TiN薄膜

采用一种新型的等离子体辅助脉冲直流磁控溅射溅射沉积方法,在低温状态(100℃)下制备了氮化钛薄膜,利用X射线衍射仪、轮廓仪、分光光度计、原子力显微镜对氮化钛薄膜进行了表征,研究了等离子体源在薄膜制备过程中的作用。结果表明采用该方法可在低温环境下制备高温抗氧化性能良好的氮化钛薄膜。当离子源功率为500 W时,制备的氮化钛薄膜表现良好氮化钛(111)择优取向,薄膜表面粗糙度为1.43 nm,红外反射率可达到90%。     

高性能氧碘化学激光器光束质量测试

介绍了高性能指标的氧碘化学激光器光束质量和漂移的测量方法,分析了光束质量测量和光束漂移的关系,提供了评价光束质量的有效数据.     

氮化硅薄膜的沉积速率和表面形貌

/min.薄膜的粗糙度随着衬底温度和微波功率的增加而降低,粗糙度最低为0.89 nm,说明薄膜的表面质量较高.     

射频磁控溅射中偏压对薄膜污染的影响

薄膜溅射过程中杂质污染问题是影响薄膜质量的重要因素,会造成薄膜的吸收和散射损耗增大、结合力下降,形成针孔等。采用射频磁控溅射沉积氧化铝薄膜时,发现在不同负偏压条件下,真空室内的金属离子会造成不同程度薄膜污染,采用XPS对污染物进行了测试表征,并对污染来源进行了分析,最后得出结论：在较高负偏压条件下真空室器壁金属溅射,是造成镀制氧化铝薄膜的重要污染源。