改进的准正规溶液模型

基于亚正规溶液模型和准正规溶液模型组合得到改进的准正规溶液模型,将正规溶液模型的参数Ω表示为浓度和温度的函数,需要2个温度下组元活度的实验数据拟合出模型的3个参数.应用该模型计算了6个全浓度二元熔渣体系,平均相对误差在5%以下,与实验数据吻合;4个存在饱和浓度的二元熔渣体系,平均偏差较大,与实验数据吻合不好,但与正规溶液模型比较,计算结果较优.     

等离子喷涂铝电解可湿润TiB2阴极涂层研究进展

铝电解工业越来越多的采用石墨阴极,石墨阴极具有良好的导电性能,但石墨不被铝液湿润且和铝液形成Al4 C3,导致铝电解槽运行寿命短.可湿润TiB2涂层阴极因节能和延长槽寿命能够给铝电解工业带来显著效益.等离子喷涂是一种高效、灵活的沉积涂层的方法 ,能够在形状复杂或大表面积的基体上沉积金属间化合物、陶瓷或复合材料,涂层厚度可从数微米到数毫米.等离子喷涂制备可湿润性TiB2涂层阴极是可行有效的方法 ,本文评述了等离子喷涂制备可湿润TiB2阴极涂层的研究进展,简述了等离子喷涂工艺受到的影响因素(包括粉末性质、基体表面形貌和焰流性质)和涂层与基体材料结合的机制(包括机械结合、冶金结合和物理结合),分析和讨论了TiB2粉末制备、基体预处理、等离子喷涂工艺参数、涂层显微结构和性能等.最后,指出了等离子喷涂制备可湿润性TiB2涂层阴极工艺将来研究需要解决的几个关键问题.     

西门子法生产多晶硅过程中尾气的分离及综合利用

综述了多晶硅生产过程中尾气的分离方法,经过精馏分离后副产物中SiHCl3、HCl和H2可循环利用。并介绍了SiCl4和SiH2Cl2的处理方法,通过分析前人所做的结果发现:副产物SiCl4可用锌还原法进行处理,这样就形成西门子法与锌还原法相结合生产多晶硅的合理方法,既能降低成本,又能回收利用SiCl4,且能完全闭路循环;SiH2Cl2可用来进一步制备多晶硅。     

西门子还原炉热量传递研究进展

硅基太阳能电池是解决能源危机的主要新能源,其主要基础材料多晶硅的主要生产工艺是改良西门子法,但是与硅烷法、冶金法相比,高能耗和高生产成本是影响其在多晶硅市场竞争力的主要因素.本文首先对国内外多晶硅产业发展现状进行了总结和分析,然后论述了西门子还原炉热量传递现象和西门子还原炉内硅棒的热电行为的研究现状.结果表明:增大硅棒半径、增大硅棒数、降低反应器壁辐射率可进一步改良西门子法制备多晶硅过程降低能耗和成本.直流电加热硅棒时,容易产生硅棒中心熔硅,甚至由于热应力的作用发生倒棒现象.应用交流电加热可解决这一问题,这是因为交流电的趋肤效应可降低多晶硅中心温度.因此,需进一步开展多晶硅CVD还原炉内热量传递现象和工业化西门子还原炉内硅棒电加热过程的热电行为研究,以进一步降低改良西门子法制备多晶硅的生产能耗和成本.     

三氯氢硅精馏工艺的模拟研究

为了降低多晶硅的生产成本,模拟和优化了三氯氢硅合成料精馏过程中脱轻-脱重和脱重-脱轻2种工艺路线,比较2种了工艺路线的综合热负荷。结果表明,在相同进料组成、操作压力、分离要求前提下,脱重-脱轻工艺的综合热负荷显著大于脱轻-脱重工艺的综合热负荷。对进料1、进料2和进料3 3种情形,分别高出17.6%,14.7%和11.3%,平均高出14.5%。原因是与脱轻-脱重工艺中脱重塔相比,脱重-脱轻工艺中脱重塔需要处理的物料流量大,且其塔顶温度更低一些,导致后一个塔的热负荷明显高于前一个塔的热负荷。     

电解铝烟气脱硫技术研究进展

电解铝烟气具有烟气量大、含量低、腐蚀性强等特点,已成为制约该行业可持续发展的关键问题之一。综合比较常用的4种主要烟气脱硫技术,总结分析了目前国内电解铝烟气脱硫的研发现状,提出了其未来发展趋势,为电解铝烟气脱硫的技术研发选择提供基础。     

黄铜矿型透明导电CuInO_2的研究进展

CuInO2是重要的具有黄铜矿结构的新型双极性透明导电材料,可用于电子照相记录、固定显示、光存储器、终端显示设备、防静电(静电屏蔽)、光电转换器件、热反射、大面积发热体、航空航天、光电化学、变色发光、气敏检测、超导等领域。介绍了固相反应法、阳离子交互反应法和化学共沉淀法制备CuInO2粉体,PLD法和RF磁控溅射法制备CuInO2薄膜。讨论了制备CuInO2粉体及薄膜的发展现状及存在的问题。     

SiCl4氢化转化为SiHCl3过程的热力学

应用有关热力学数据研究了与多晶硅主要生产工艺即西门子法相关的“Si-Cl-H”三元系的复杂化学反应,研究SiCl4氢化转化为SiHCl3过程中可能发生的15个反应,给出15个反应的ΔGθm -T图;并确定5个独立的反应,给出这5个独立反应的KθP -T图;高温时主反应(1)的Kp增长较慢,而反应(2)和(5)的KθP快速增大,1 373K时,主反应(1)的KθP较小,为0.157 1.进一步研究温度、压强和进料配比nH2/nsicl4对SiCl4氢化率的影响,并绘制出SiCl4氢化率随这些因素的变化曲线.结果表明:当压强和进料配比一定时,SiCl4的氢化率随温度的升高先增加后降低;增大压强或增加进料配比nH2/nsiCl4都会提高SiCl4的氢化率;SiCl4氢化转化为SiHCl3过程的最佳操作条件为温度为1 000℃,压强为0.3 MPa,进料配比nH,/nSiCl4为4,在此条件下,SiCl4的氢化率为25.78％.     

改进的KF模型在SiO2-CaO-MnO熔渣体系中的应用

基于KF模型和Gaye模型,得到改进的KF模型,并推导出三元体系的表达式。把该模型应用到三元SiO2-CaO-MnO熔渣体系,通过对二元系研究得到模型参数,从而可计算三元系中组元的活度。结果表明计算结果与实验结果的相对偏差分别为：SM＊nO1 823K=19.3%,SM＊nO1 773K=28.1%。表明该理论在SiO2-CaO-MnO熔渣体系的应用是可行的。     

SiHCl3氢还原过程的热力学分析

应用相关热力学数据研究了改良西门子法还原炉内涉及到的“Si— Cl— H”三元系复杂化学反应,进一步研究了温度、压强和初始进料摩尔比n( H2 )/n( SiHCl3)对硅产率的影响,拟合得到硅产率随这些影响因素的变化图.通过分析得到:在低压、高温以及相对较大的初始进料比条件下,对SiHCl3氢还原过程更有利,硅产率也...