TC6钛合金的高温变形行为及组织演变

在Thermecmaster-Z型热加工模拟试验机上对TC6钛合金在温度800℃～1040℃,应变速率10s～50s、最大变形程度50%条件下的高温流动应力变化规律进行了研究,进而分析了变形参数对微观组织的影响。结果表明合适的工艺参数是变形温度为920℃～950℃,应变速率为1.0s-1～1×10-3s-1。在变形过程中,变形温度对α相体积分数有着显著影响,应变速率对α相体积分数影响不大,但对α相晶粒的形态有一定的影响。最后在分析变形温度、变形程度和应变速率对流动应力影响规律的基础上提出了1种本构关系模型,其拟合精度较高,为进行钛合金高温变形过程的数值模拟打下了较好的基础。     

工艺参数对半固态Al-4Cu-Mg 合金力学行为的影响

在热模拟实验的基础上,研究了各工艺参数对半固态和供应态Al-4Cu-Mg合金变形力学行为的影响.研究结果表明:在液-固温度区间变形时,变形温度、应变速率对半固态和供应态Al-4Cu-Mg合金的流变应力峰值影响显著,对稳态流变应力影响较小.当变形温度超过某一临界值后,流变应力随变形温度的变化趋于稳定.在固相温度区间变形时,半固态与供应态材料流变应力的变化趋势基本一致,变形均为固相间的塑性变形.但供应态Al-4Cu-Mg合金的原始变形组织和半固态Al-4Cu-Mg合金的球状组织对变形的影响有所不同.     

Al-4Cu-Mg合金半固态压缩时微观组织的计算模型

研究了Al-4Cu-Mg合金半固态压缩变形过程中微观组织参数的变化.结合模糊数学和人工神经网络理论,以Al-4Cu-Mg合金半固态压缩变形时的变形温度、变形程度和应变速率为输入参数,以变形后的晶粒等效直径或分形维数为输出参数,建立了Al-4Cu-Mg合金半固态压缩时的微观组织计算模型.研究结果表明,计算结果与实验结果吻合较好.因此,应用本模型可对Al-4Cu-Mg合金半固态成形过程中的微观组织演变进行预测,为优化变形工艺参数提供了简便、适用的方法.     

Cr3＋和Si4＋共掺对LiGa5O8近红外长余辉材料发光性能的影响

高温固相法合成了共掺Si⁴⁺的LiGa₅O ₈:Cr³⁺长余辉材料,采用X射线衍射、荧光光谱、余辉发射光 谱、余辉衰减曲线和热释光对样品分别进行了表征,并分析了Si掺杂对LiGa₅O₈:Cr 3+发光性能的影响。结 果表明,所合成的LiGa₅O₈:Cr³⁺,Si⁴⁺材料能产生近红外长余辉发射,主 发射峰位于717nm,归属于Cr³⁺的²E→⁴A 2 跃迁,共掺Si⁴⁺能显著提高余辉性能。掺杂浓度为0.25时,样 品的初始发光强度提高了3倍,余辉性能最佳, 余辉持续时间超过30 h。热释光曲线表明,共掺Si⁴⁺ 离子可增加有效陷阱数量,从而改善材料的余辉发光性能。     

工艺参数对半固态Al-4Cu-Mg合金微观组织与性能的影响

采用应变诱发熔化激活工艺(SIMA)制备了半固态Al-4Cu-Mg合金，并对其组织性能进行了研究。结果表明：通过合理选择SIMA工艺参数，能够得到晶粒尺寸小且呈近球状的半固态组织；SIMA工艺参数对晶粒的大小和形状产生较大的影响。变形量越大、等温温度越低和保温时间越短，晶粒尺寸越小；变形量越大、等温温度越高和保温时间越长，分形维数越小，晶粒越圆整；采用变形量为20％～25％、等温温度为580～600℃和保温时间为2～6min的合理SIMA工艺参数，可获得室温抗压强度和屈服强度分别为358～387MPa和246-265MPa的半固态材料。     

TC6钛合金高温变形力学行为研究

在Thermecmaster-Z型热加工模拟试验机上对TC6钛合金在温度 80 0～ 10 4 0℃、应变速率 10 - 3～ 5 0s- 1、最大变形程度 5 0 %条件下的高温变形行为进行了研究。研究结果表明合适的工艺参数范围为变形温度 92 0～ 95 0℃、应变速率 1 0～ 1× 10 - 3s- 1。在分析其变形温度、变形程度和应变速率对流动应力影响规律的基础上提出了一种本构关系回归模型     

变形条件对半固态Al-4Cu-Mg合金微观组织的影响

研究了用应变诱发熔化激活法(SIMA)制备的半固态Al-4Cu-Mg合金在不同变形温度、变形程度和应变速率下半固态压缩变形时的微观组织演变。研究结果表明：在半固态条件下，随变形温度的升高，晶粒平均尺寸增大，分形维数减小；变形程度增大，晶粒平均尺寸减小．分形维数先减小后增大；应变速率增大，晶粒平均尺寸先减小后略有增大，且在小的应变速率下，晶粒平均尺寸随应变速率变化的趋势较大，分形维数随着应变速率的增大而增大。     

Cohen-Sutherland裁剪算法的改进

Cohen-sutherland裁剪算法对不与边框相交的线段进行裁剪时效率较高,而对与窗口边界有交点的线段裁剪效率低.为了提高线段裁剪效率,利用点与直线位置的关系性质,作者提出基于Cohen-Sutherland算法的裁剪思路并实现.与Cohen-Sutherland算法相比,新的算法提高了线段裁剪的速度.     

一种基于FLASH的混合式11位ADC设计

时域延迟线架构ADC的非线性问题,导致其无法达到较高的分辨率。针对该问题,提出了一种将Flash和延迟线架构相结合的新型低功耗11位ADC。该新型混合ADC架构由两个模块构成,分别为4位Flash ADC架构和7位延迟线ADC架构,因此同时具有 Flash ADC 和延迟线 ADC 的准确性和高效性。采用 CHARTERED 65 nm Dual Gate Mixed Signal CMOS Process设计并绘制出混合式ADC版图。实验测试结果显示,在供应电压为1.1 V和采样效率为100 Msample/s的条件下,混合式ADC产生的信噪失真比( SNDR)为60 dB,消耗功率为1.6 mW。在无需任何校准技术的情况下,混合式ADC产生的品质因数( FOM)为19.4 fJ/分级转换。此外,利用不匹配的3σ设备进行了蒙特卡罗试验,结果表明,SNDR值低于其ADC架构。     

共掺杂LiGa5O8∶Cr3+长余辉材料的制备及发光特性

采用高温固相反应法制备了Si4+、Ge4+和Sn4+离子掺杂的LiGa5O8∶Cr3+长余辉材料,系统研究了掺杂对LiGa5O8∶Cr3+光致发光和长余辉性能的影响。实验结果表明,所制备的系列材料能产生650800nm的近红外余辉发射,主发射峰位于717nm,来源于Cr3+离子的2E→4A2特征跃迁,与未进行掺杂的样品相比,掺杂Si 4+、Ge4+和Sn4+离子的LiGa5O8∶Cr3+余辉发光强度均得到增强,余辉性能显著改善。热释光测试结果表明,Si 4+、Ge4+和Sn4+离子掺入主要提高了LiGa5O8∶Cr3+的陷阱浓度,且使得有效陷阱的数量增加,从而改善了LiGa5O8∶Cr3+的余辉性能。