轻合金中电磁搅拌技术的研究与应用现状

介绍了电磁工艺的基础理论和电磁搅拌技术的优点及其发展概况。总结了国内外电磁搅拌技术在轻合金中的研究与应用情况。指出了今后电磁搅拌技术的发展趋势。     

摩擦片精冲成形实验研究

提出采用精冲工艺进行车辆摩擦片的生产.根据摩擦片的结构特点、加工硬化、应力分布及材料等,讨论了精冲成形和热处理的技术难点,制定了摩擦片的精冲工艺;然后再根据实验过程中获得的齿顶圆、齿根圆及碟形量变化曲线,分析其产生原因并提出了解决成形过程中变形问题的措施,已制造出符合质量要求的摩擦片精冲件.     

碳化硼粉末放电等离子烧结电—热—力多场耦合数值模拟与实验验证

针对碳化硼样品的放电等离子烧结，利用Drucker-Prager Cap模型描述了碳化硼粉末烧结过程中的致密化行为，从而建立了电-热-力多场耦合模型。碳化硼的热学和电学参数被定义为温度和密度的双变量函数。结果表明，模拟的电流和温度变化趋势与实验结果较吻合，最大值位于压头与模具接触位置，并且随着烧结的进行，不断向样品移动。轴向应力在样品内是主要应力，模具内周向应力为10 MPa左右，剪切应力和径向应力可以忽略不计。实验的平均相对密度为92.4%,模拟的平均相对密度为92.3%,误差为0.1%,验证了模型的准确性。     

成形工艺对AuSn20共晶钎料薄带组织与性能的影响

采用普通凝固-轧制工艺和快速凝固-轧制工艺制备了两种AuSn20共晶合金钎料薄带,借助OM、FESEM、XRD、EPMA、EDS、DSC和MTS陶瓷试验系统,比较了其显微组织、物相组成、成分分布、熔化特性和剪切强度。结果表明,相对于普通凝固-轧制工艺,快速凝固-轧制工艺制备的AuSn20共晶合金钎料薄带组织细小、成分均匀,固相线温度和液相线温度分别降低了4.9℃和7.4℃,熔化区间减小2.5℃,润湿性和剪切强度分别提高了10.96%和19.02%。     

低电压电磁铆接成形工艺的研究

研究了低电压电磁铆接贮能放电次数与铆钉头部形变量的关系;论述了增加放电次数并不能有效地增加铆钉头部形变量;通过合理地选择电容、电压等工艺参数,一次充放电可以达到铆接效果,精确控制铆接质量;论证了低电压电磁铆接适合对复合材料的连接;通过拉脱试验证明,低电压电磁铆接强度明显高于锤铆强度。     

人工神经网络在粉末低电压电磁压制中的应用

影响电磁成形技术的因素很多。将电磁成形技术应用于粉末压制时，很难确定各工艺参数与压制密度之间的关系。将人工神经网络应用于该问题，建立了基于整体系统的电磁粉末压制人工神经网络模型，并编制了计算机程序。     

集磁器结构对磁脉冲辅助半固态钎焊接头组织和性能的影响

采用电磁-结构-流场耦合的多物理场耦合模拟方法,对比分析了等内径和带锥角两种集磁器条件下Cu/Al管的磁脉冲辅助半固态钎焊过程,考察了外管的变形行为和半固态钎料的剪切流变行为.结果表明,采用等内径集磁器时,钎料所受的剪切应力和相应的剪切流变速率在端部最高,底部次之,中部最弱,导致搭接区域内去膜效果存在差异,甚至影响界面...     

Zn-Al钎料固相率及组分对Cu/Al管磁脉冲-半固态复合辅助钎焊接头质量的影响初探

由于节能环保以及轻量化的要求,Cu/Al异种金属复合管件被广泛应用于各工业领域,为此探索一种Cu/Al管件间高效可靠的连接技术具有较大应用价值和研究意义。为了探究Cu/Al管半固态钎焊连接机理并优化相关工艺参数,基于新提出的磁脉冲-半固态复合辅助钎焊方法制备了Cu/Al异种金属管件钎焊接头,利用LS-DYNA分析了半固态钎料不同表观粘度参数下外管内壁的受力情况,采用材料力学拉伸试验机,能谱仪和电子探针显微分析仪研究了半固态Zn-Al系钎料固相率及组分对焊接接头质量的影响。结果表明:外管内壁所受压力幅值随着表观粘度的增大而减小,剪切应力随着表观粘度的增大而增大;半固态钎料固相率为0.8时钎料与母材间没有良好冶金结合,固相率为0.4时会导致钎料填充不足的缺陷。在二次放电电压7 kV,半固态Zn-Al钎料固相率为0.6的条件下,磁脉冲-半固态复合辅助钎焊工艺能够实现Cu/Al管的无钎剂有效连接;与Zn-3Al和Zn-22Al相比,Zn-15Al钎料制得的接头综合性能更好,是较为合适的Cu/Al管磁脉冲辅助半固态钎焊用Zn-Al钎料。     

汽车螺旋伞齿轮封闭模锻造成形的变形特性

根据分析判定的汽车从动轴螺旋伞齿轮模锻成形齿型的金属流动趋势设计并制造了预制坯和封闭模具, 在万能拉伸试验机上做了铅试件塑性成形试验, 测绘出压力行程曲线, 用网格实验揭示出不同剖面上的金属流动和齿型充满规律, 论述了螺旋伞齿轮封闭模锻造成形的变形特性     

摆动辗压运动学与摆辗机结构优化

论述了摆动辗压运动学及摆辗机结构。分析了各种摆辗机结构的实用性能,提出了结构优化的理论依据。