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金属缺陷的研究工作一直是凝聚态物理中比较活跃的领域之一,这不但在学术上有重要价值,而且在实际应用领域有着深远意义。正电子技术使我们有可能在低浓度和A尺度上研究缺陷的电子结构。通过金属缺陷的研究可以使我们加深缺陷对金属材料性能的影响的理解,以便找出提高材料性能的方法。本文我们研究了Cu中1、2、3、4、6、 9、10、13、15空位团,Cu中H-、He-空位团复合体(1、2、3空位)的电子结构和正电子湮没寿命谱。我们采用胶体模型,利用密度泛函理论和交换能关联能的局域密度近似。在本模型中我们对缺陷作了球对称近似,这时正电荷分布n_(ext)(r)为: 相似文献
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对侧向表面磁超晶格结构中电子的隧穿输运现象作了深入系统的研究。揭示了简单磁垒结构中依赖于结构构型和入射电子动量的传输共振的特性以及周期磁超晶格结构中共振劈裂效应和波矢过滤效应的特征。 相似文献
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本文根据闪锌矿-金刚石结构的有序-无序相变模型,引入序参量M,在改进的虚晶格近似下,利用从第一性原理出发的自治LMTO-ASA方法,研究了(GaAs)_(1-x)Ge_(2x)半导体合金的电子结构和基态性质.计算结果与现有的非自治计算结果和实验结果进行了比较.计算表明,合金材料中轻、重空穴有效质量依赖于合金的有序度.计算也表明合金材料的晶格常数和体弹性模量将随组份x变化而呈现类似“V”形变化.这都说明,在有序和无序的组份区域,合金性质随组份的变化规律是不同的,应分区描述. 相似文献
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本用转移矩阵方法研究了具有纳米尺度的非对称磁势垒结构中电子隧穿效应。结果表明和电子穿越对称双磁势垒结构相比,电子隧穿非双磁势垒结构和传输几率和电导都强烈减小,并且非对称磁势垒结构具有重强的波矢过滤特性。 相似文献
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