磁场对反应离子刻蚀速率影响的研究

本文简要报道了P型衬底1.5μm隐埋新月型激光器的制备和特性,激光器在室温下连续工作的典型阈值电流为20mA低的为15mA,发射波长为1.53μm,最高连续工作温度105℃.     

耐热光敏聚酰亚胺胶的研究

本文重点研究了耐热光敏聚酰亚胺胶的配制,探索到了最佳溶剂和添加剂(即增感剂和交联剂等)、研究了添加剂的用量与感光特性的关系.     

扫描电子束无显影光刻技术,

<正> 扫描电子束曝光是微细图形加工中的一项核心技术.它既是远紫外、X-射线、投影电子束光刻制备微米、亚微米精细掩模的主要手段,也是在硅片上直接加工微细图形的重要光刻技术之一,并且具有高分辨率、高精度和自动化等优点.但是电子束光刻过程,     

一种新的金属膜干法刻蚀技术

<正> 在硅器件和集成电路生产中,广泛采用金属膜(如Al,Au等)做电接触的互连线,常规的刻蚀方法是采用化学溶液腐蚀,叫湿法.本文报道了一种新的金属膜干法刻蚀技术——气相刻蚀.图1是该技术的刻蚀反应室,整个系统由一个带有加热器的反应室和输入反应气体的装置组成.刻蚀前后的工序与常规光刻技术相似,但曝光显影后无需坚膜即可放入反应室中,在一定温度和气体流量下完成刻蚀.实验发现,通过选择输入适宜     

耐热光敏聚酰亚胺的光刻工艺研究

本文主要研究了国产耐热光敏聚酰亚胺树脂的光刻工艺的各种参数。利用微机技术和高分子溶度参数相近原理,研制成了理想的显影液,通过大量实验,确定了最佳工艺条件。该技术的分辨率达到亚微米,灵敏度为50～80mJ/cm~2,留膜率可达90%以上,工艺稳定性和重复性好,可用于生产中。     

远紫外无显影光刻催化剂及工艺探讨

研制成了一种新型催化剂,它由普通小分子有机化合物(如甲基紫等)和CMPS树脂,一起溶解在一定的溶剂中配制而成.用此催化剂做了远紫外曝光的各种腐蚀特性实验,获得了满意的结果.     

远紫外无显影光刻的催化剂及工艺探讨

我们研制成了一种新型催化剂,它是由普通小分子有机化合物(如甲基紫等)和CMPS树脂。一起溶解在一定的溶剂中配制而成。用此催化剂做了远紫外曝光的各种腐蚀特性的实验,获得了满意的结果。     

磁控反应离子刻蚀概述

一、前言单片刻蚀机发展的必要性为满足VLSI对微细图形加工的需要,人们发展了多种干法刻蚀工艺。干法刻蚀工艺较之传统的湿法工艺有极大优越性。在生产上,它降低了化学成本,易于三废处理,减少了环境污染,有利于生产线的自动化;在工艺上,能得到高质量的细线条图形,具有高的方向性,好的选择性。由于这些优点,人们对干法刻蚀的研究表现出越来越大的兴     

扫描电子束无显影光刻技术

扫描电子束曝光是微细图形加工中的一项核心技术.它既是远紫外、X-射线、投影电子束光刻制备微米、亚微米精细掩模的主要手段,也是在硅片上直接加工微细图形的重要光刻技术之一,并且具有高分辨率、高精度和自动化等优点.但是电子束光刻过程,一     

一种新颖的无显影光刻技术

光刻技术是制造半导体器件的重要工艺之一,自六十年代初,在半导体工业得到运用以来,大大促进了半导体器件和集成电路的发展,至今仍占有重要地位.随着半导体器件向更高频率和大规模集成的方向发展,要求器件的尺寸越来越小,