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本文用富里叶红外光谱及Ｘ射线衍射对在氢氟酸中电解硅片时形成的多孔硅膜进行了分析，发现除了硅以外，其中还有晶态的二氧化硅（鳞石英）存在，由此说明多孔硅表面的硅氧化合物并非都是样品制备后在在气中氧化造成的，它对多孔硅发光有很大的关系。 相似文献
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研究Ｘ射线及超高真空退火对发光多孔硅膜发光特性的影响。通过光电子谱原位检测分析，发现Ｘ射线辐照及真空退火均可使发光多孔硅膜失去发光能力，同时伴随着Ｓｉ２ｐ光电子峰高结合能部分有较大的下降。根据实验结果认为：发光多孔硅中的发光物质为含氟缺氧的二氧化硅。 相似文献
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研究X射线及超高真空退火对发光多孔硅膜（PSL）发光特性的影响。通过光电子谱原位检测分析，发现X射线辐照及其空退火均可使发光多孔硅膜失去发光能力，同时伴随着Si2p光电子峰高结合能部分有较大的下降。根据实验结果认为：发光多孔硅中的发光物质为含氟缺氧的二氧化硅。 相似文献
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实验研究了X射线双晶衍射摆动曲线半峰宽与硅片表面损伤层剥层深度及抗弯强度三者之间的关系。讨论了不同损伤类型的分布及对硅片机械强度的影响。从双晶衍射半峰宽值可以评估硅片的抗弯强度。 相似文献
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硅(锂)探测器级硅单晶既要纯度高、又要控制电阻率范围,并能制造成性能优良的探测器。本文从硅烷多晶硅的高纯特点出发,根据钼管多晶硅棒这一具体条件,提出了中心孔道掺杂法。平用此法后,P型硅单晶的电阻率能控制在1000～3000欧姆·厘米,与目标电阻率一致。电阻率均匀性也取得较大改善。中国原子能科学研究院用我校提供的这类硅单晶,制成了能量分辨率达157电子伏特的X射线探测器。 相似文献
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本文采用圆筒支中心集中载荷法测定硅片的抗弯强度。通过薄板线弹性应力和中面薄膜应力相叠加的近似方法,求得硅片中心弯曲应力公式。并依据载荷-挠度曲线的线性区,从实验测定硅片的E值,测定了经过几种不同加工处理的硅片所具有的抗弯强度,并求出Weibull统计平均值。 相似文献
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