多晶硅太阳电池低温变温扩散工艺的优化

采用少子寿命测试仪对扩散前后的硅片少子寿命进行了分析,当扩散后的方块电阻控制在55～65Ω时,低温变温扩散工艺处理的硅片少子寿命最高达到12.18μs,低温恒温扩散工艺处理的硅片少子寿命为10.67μs,高温恒温扩散工艺处理的硅片少子寿命为8.20μs。低温变温扩散工艺处理的太阳电池分别比传统的低温恒温扩散工艺处理和高温恒温扩散工艺处理的太阳电池转换效率提高0.79%和0.42%。     

多晶硅太阳电池双层SiN_x镀膜工艺研究

采用PECVD法,通过优化工艺参数,创新性地在多晶硅表面沉积了双层SiNx膜,并对其少子寿命、反射率及电性能进行分析。结果表明,对比传统多晶硅太阳电池生产采用的单层SiNx镀膜工艺,本工艺可有效延长多晶硅少子寿命、增强光谱吸收、降低多晶硅的表面反射率,其电性能明显提高,中短路电流提高了100mA,光电转换效率提高了1.34%。     

晶体硅太阳电池工艺技术新进展

晶体硅太阳电池是目前技术最成熟、应用最广泛的太阳电池.以晶体硅太阳电池的生产流程为基础,主要从提高电池转换效率和降低生产成本出发,介绍了晶体硅太阳电池制造技术的最新进展和成果,并对各种制备工艺进行了评价.     

晶体硅太阳电池前电极形成机理分析

目前市场上85%以上的晶体硅太阳电池采用丝网印刷技术制备前、背电极.为了了解前电极的Ag-Si接触形成机理以及电流传输机制,对前电极烧结工艺以及Ag-Si接触的形成机理进行了分析,提出了4种Ag-Si界面的接触形式.根据不同的界面接触形式,指出两步隧道效应和多步隧道效应电流传输机制是最主要的电流传输方式.     

多晶硅扩散氧化层对太阳电池性能的影响

重点研究了多晶硅扩散氧化层对电池性能的影响,并对大规模生产多晶硅扩散工艺进行了优化研究。采用少子寿命测试仪分析了扩散前后的硅片少子寿命,发现当扩散氧化时的干氧流量控制在2800sccm,扩散后的方块电阻控制在60～70Ω/□时,扩散后硅片少子寿命最高达到了10.45μs,与扩散前的硅片少子寿命相比延长了5倍多;此时的太阳电池并联电阻和短路电流分别高达40.4Ω和8522mA,光电转换效率也由16.69%(干氧流量2000sccm)提高到了16.83%。此外,主要针对扩散氧化层对片内方阻均匀性及少子寿命的影响做了解释。     

中空玻璃式太阳电池组件的热性能研究

对中空玻璃式太阳电池组件的热性能进行了研究,对影响太阳电池温度的各因素进行了分析,建立了一个一维模型对试验结果进行了说明.结果表明,中空玻璃式太阳电池组件的散热性能较差,其内部太阳电池温度高于常规组件.在组件结构方面,影响太阳电池温度的各因素的重要性从高到低依次为:太阳电池与玻璃接触的紧密程度,太阳电池固定的位置,间隔条的宽度,组件所采用的玻璃的厚度.外界环境对太阳电池温度有重要影响,最主要的是风速的影响,其次是地面辐射的影响.     

单晶硅太阳电池的温度和光强特性

利用闪光式电池测试仪在不同温度和光强条件对单晶硅太阳电池进行了测试.研究发现,当温度在25～65 ℃时,单晶硅太阳电池光照特性的主要参数随着温度呈线性变化.随着温度的升高, 短路电流有小幅度上升,填充因子下降,开路电压的降幅达到2.3 mV/℃,效率降幅高于0.075 %/℃.当光强为340.1～4251.2 W/m2时,开路电压随着光强的增加呈指数关系增加,效率随着光强的增加先增加后减小,最大效率值16.67%出现在光强为952.7 W/m2的情况下,填充因子随着光强的增加减小,串联内阻的影响可以解释效率和填充因子下降的现象,在聚光条件下太阳电池的峰值功率得到显著提高.