热处理温度对NiFe薄膜磁电阻的影响

本文用磁控溅射法制备了厚度20～200nm的NiFe合金薄膜。研究了热处理温度对NiFe薄膜电阻（电阻率）、各向异性磁电阻地和软磁性能的影响。适当温度下的热处理可以减小NiFe薄膜的电阻、增大其各向异性磁电阻比，从而制备出性能较好的薄膜磁性材料     

磁控溅射超薄金属膜在太赫兹波段的光学特性

采用THz时域光谱测试技术，对Fe扣Co的超薄金属膜在0.2～2，5THz波段的吸收特性、透射特性以及折射率进行了研究。在室温并去除水份影响的氮气环境中，获得了不同种类扣不同厚度的薄金属膜在太赫兹波段的时域谱．利用Origin7．0扣Matlab7，0软件处理得到这些金属薄膜对太赫兹波的透射率，吸收系数扣折射率．对比发现金属超薄膜在太赫兹波段的光学特性随薄膜厚度以及太赫兹波频率的变化有很大的改变，也就是具有明显的尺寸效应．同时根据所得到的折射率开口吸收系数还可以理论上计算出不同种类与厚度的超薄金属膜在太赫兹波段的复介电函数．     

功率高压稳流源的设计应用

介绍一种高压电流可调大功率稳流电路的设计方法,电路选用VMOS管作为功率器件。可实现工作电压800V以上或电流达数十安培的稳流电源,使用上限由VMOS管的最大额定值决定。电路简单可靠,可直接串联在直流供电回路中使用。该电路应用于溅射镀膜机上,可较精确地控制多层合金膜镀层。     

热处理温度对NiFe薄膜磁电阻的影响

本文用磁控溅射法制备了厚度２０－２００ｎｍ的ＮｉＦｅ合金薄膜。研究了热处理温度对ＮｉＦｅ薄膜电阻、各向异性磁电阻比和软磁性能的影响。适当温度下的热处理可以减小ＮｉＦｅ薄膜的电阻、增大其各向异性磁电阻比，从而制备出性能较好的薄膜磁性材料。     

磁旋转编码器在汽车测速系统中的应用

简要论述了汽车电子系统对传感器的要求,并介绍了磁性编码器的工作原理和性能特点。设计出一种采用新的高电阻率NiFeCr作为缓冲层的坡莫合金薄膜,并将此磁薄膜作为汽车的测速传感器。系统具有结构简单、抗恶劣环境、高速响应、成本低和可靠性高的特点。保证汽车在行驶中准确、可靠地测速。     

Co/C与Co-Pt/C膜的微结构研究

利用磁控溅射方法制备Co/C和Co-Pt/C薄膜.用X射线衍射谱(XRD)和透射电子显微镜(TEM)测量样品结构和微观形貌.对Co/C和Co-Pt/C晶粒的大小进行计算,表明Co/C颗粒膜Co是以团簇的形式镶嵌在C层中的,面心立方(fcc)COPt3和面心四方(fct)Copt两个稳定有序相在Co-Pt/C薄膜中很好地...     

高矫顽力SmCo/Cr薄膜的制备、结构及磁性

通过磁控溅射采用基板水冷方法制备ＳｍＣｏ／Ｃｒ双层膜。薄膜的成分及厚度、薄膜的制备条件,如溅射时的氩气压对薄膜的磁性有较大的影响。通过仔细控制这些参数,制备出矫顽力高达１８１ｋＡ／ｍ的薄膜。     

热处理时间对NiFe薄膜性能的影响

用磁控溅射法制备了厚度２０－２００ｎｍ的ＮｉＦｅ合金薄膜。研究了热处理时间（及温度）对ＮｉＦｅ薄膜的电阻（电阻率）、各向异性磁电阻比和软磁性能的影响。在一定温度下，经适当时间的热处理可以减小ＮｉＦｅ薄膜的电阻、增大其各和中异性磁电阻比，从而制备出性能较好（各向异性磁电阻比较大、温度稳定性较好）的薄膜磁性材料。     

不同缓冲层和保护层对NiFe/PtMn双层膜磁性的影响

制备了以Ta和非磁性NiFeCr作为缓冲层和保护层的NiFe/PtMn双层膜,研究了它们的结构和物性,结果表明:用NiFeCr做缓冲层和保护层的NiFe/PtMn双层膜,其交换偏置场比以Ta为缓冲层和保护层的NiFe/PtMn的交换偏置场有了10%的提高;退火处理以后,以NiFeCr为缓冲层和保护层的样品的磁性层NiFe的磁矩降低要小于以Ta为缓冲层和保护层的样品的磁性层NiFe的磁矩降低.同时,XRD测量计算发现,以NiFeCr为缓冲层生长的NiFe/PtMn样品比Ta为缓冲层生长的NiFe/PtMn样品具有更好的织构,更大的平均晶粒尺寸,因而具有更好的热稳定性.NiFeCr比Ta更适合做基于Mn合金为反铁磁层的缓冲层和保护层.