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1.
2.
所提出的脉冲起动方法,在脉冲起动时,线圈上通过单个电流脉冲,并建立频率可调的连续交流电流,而不需要相应的旋转磁场。这样可大大简化转换线路和整个起动系统。控制系统(图1)包括:  相似文献   
3.
3.操作过电压及其变化的规律性当过电压超过绝缘元件的击穿电压时就会发生绕组故障。操作过电压的倍数  相似文献   
4.
尽管今天的电子计算机应用越来越广泛,但发展中国家仍然需要一种简便而又可靠的方法来估算冰的消耗量。本文的目的就是推广这种适用于贮藏鱼时所用冰的计算方法。这种方法采用装有鳕鱼的塑料鱼箱进行的试验为依据,并且假定冰的损失仅仅由于自  相似文献   
5.
介绍了目前国内精对苯二甲酸产业发展现状,简单分析了对PTA市场及其上下游产业链市场的发展情况,对PTA产业前景进行了分析和预测,并针对目前困境提出了发展建议。  相似文献   
6.
王发贤  邵建军  柴欣 《装备制造技术》2012,(12):139-140,152
首先介绍了电梯监控技术的国内外发展现状,然后对电梯监控产品的技术发展阶段做了重点阐述,同时指出了中国现有电梯监控系统的不足之处,最后提出电梯远程监控系统的标准化。  相似文献   
7.
介绍了某汽车电瓶接头的锻造成形工艺与主要工序的模具设计要点,阐述了锻模分型面的选择和飞边槽的设计,经实践证明,工艺设计合理,模具结构可靠,锻件的形状、尺寸稳定性好,并有最佳的综合力学性能。锻件纤维组织合理、韧性高的最大优势得到充分体现,满足了实际生产的需要,对类似零件的工艺安排与模具设计有一定的借鉴作用。  相似文献   
8.
本文研究了GaInAs/SiO_2与GaInAs/Al_2O_3的界面性质.采用PECVD技术以TEOS为源以及采用MOCVD技术以Al(OC_3H_1)_3为源在n~+-InP衬底的n-Ga_(0.47) In_(0.33)As外延层上淀积了/SiO_2和Al_2O_3,制备成MIS结构.结果表明这些MIS结构具有良好的C-V特性,SiO_2/GaInAs界面在密度最低达 2.4×10~(11)cm~2·eV~(?),氧化物陷阱电荷密度达10~(?)~10~(10)cm~2,观察到GaInAs/SiO,结构中的深能级位置为E_c-E_T=0.39eV.GaInAs/Al_2O_3结构中的深能级位置为E_c=E_T=0.41eV.  相似文献   
9.
10.
王明锋  邵建军 《水处理技术》2007,33(7):61-63,67
采用中试规模的酸化水解与膜生物反应器相结合的工艺处理铁路洗涤废水。当进水COD、LAS分别为215-460mg/L和12-50mg/L时,系统对COD、LAS、NH3.N、TP和ss的去除率分别达到90%、98%、90%、95%和99%,出水水质达到铁路回用水水质标准(TB/T3007-2000)的要求。  相似文献   
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