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纳米Sr2MgSi2O7:Eu2+,Dy3+的长余辉发光行为 总被引：2，自引：0，他引：2
使用溶胶-凝胶技术合成纳米尺度的Sr2MgSi2O7Eu2+,Dy3+长余辉发光材料,比较了该方法与固相法获得的长余辉粉体的光致发光行为和长余辉性能.溶胶-凝胶获得的纯相Sr2MgSi2O7Eu2+,Dy3+长余辉粉体是由纳米尺度的微晶形成的团聚颗粒,具有光致发光行为和长余辉发光特性.其发射峰位于465nm.而固相合成的粉体具有两个发射峰,分别位于404nm和459nm.产生这些差别的原因在于Eu2+在基质晶格中的不同配位情况.固相合成的粉体的余辉发光性能高于溶胶-凝胶粉体,其原因在于高温固相合成在基质内部产生了更高浓度的电子陷阱. 相似文献
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纳米Sr2MgSi2O7:Eu2+,Dy3+的长余辉发光行为 总被引：20，自引：0，他引：20
使用溶胶-凝胶技术合成纳米尺度的Sr2MgSi2O7：Eu^2 ，Dy^3 长余辉发光材料，比较了该方法与固相法获得的长余辉粉体的光致发光行为和长余辉性能．溶胶．凝胶获得的纯相Sr2MgSi2O7：Eu^2 ，Dy^3 长余辉粉体是由纳米尺度的微晶形成的团聚颗粒，具有光致发光行为和长余辉发光特性．其发射峰位于465nm．而固相合成的粉体具有两个发射峰，分别位于404nm和459nm．产生这些差别的原因在于Eu^2 抖在基质品格中的不同配位情况．固相合成的粉体的余辉发光性能高于溶胶-凝胶粉体，其原因在于高温固相合成在基质内部产生了更高浓度的电子陷阱． 相似文献
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