~(83)Y转动带g因子测量

在核结构研究中,磁矩有很重要的作用,它能够给出直接和确定的核结构信息。高自旋态的核结构研究中,核子是从集体运动还是从核子顺排获得角动量是个前沿的问题。按照能量,变形核可以从高j轨道的准粒子顺排获得自旋角动量。质子和中子顺排对磁矩的大小和符号的影响不同,质子顺排导致磁矩增大,而中子顺排使磁矩减小甚至出现负值。转动带g因子系统测量,能够澄清核子是从集体运动还是从准粒子顺排获得角动量。为此,我们系统测量了83Y正宇称转动带的g因子。实验测量是在中国原子能科学研究院的HI-13串列加速器进行的。用98MeV的Si束流轰击58N,…     

氡绝对测量装置的小立体角计算方法研究

为计算确定氡绝对测量装置的小立体角,研究了准直孔半径、氡源半径到准直器距离等相关尺寸参数的测量方法与结果,并基于这些尺寸参数的精确测量,建立了Geant4模型,确定冷凝氡源的探测立体角;采用文献报道的参考方法对模拟计算结果进行了验证评估,结果表明模拟方法是可靠的,该装置在典型探测条件下的冷凝氡源探测的小立体角为0.015 83 Sr,相对标准不确定度仅为6.6×10-6 Sr.     

69 马氏体不锈钢辐照效应研究

低活化马氏体钢具有良好的抗辐照肿胀热物理性能，所以最有希望成为实验聚变堆第1壁和包层结构材料，也是正在进行研究设计的聚变堆次临界系统（Fusion Driven Sub—critical System，FDS）的首选结构材料之一。     

β核磁共振和β核四极共振谱仪

为了开展核物理、粒子物理和凝聚态物理方面的研究 ,在中国原子能科学研究院建成了 1台 β核磁共振及 β核四极共振谱仪。利用该谱仪精确测量了12 B的极化度和12 B基态磁矩 ,所测量的12 B在Cu中的极化度为 1 1 4%± 0 6% ,12 B磁矩 μ =1 0 0 0 2± 0 0 0 2 8nm。实验应用证实该谱仪性能可靠。     

48 ^85Zr高自旋磁转动带g因子测量

磁转动研究是近几年核结构物理研究中一个引人关注的热点研究课题。磁转动是不同于传统形变核转动的一种新的原子核转动形式。在接近球形的核中观察到，在磁转动带带头，中子和质子的角动量矢量互相垂直，产生很大的磁矩。随着激发能或自旋的增加，中子和质子角动量顺排像剪刀闭合那样逐步靠近。g因子是核子角动量顺排和耦合最直接和最灵敏的探针。本工作测定A=80区^85Zr高自旋磁转动带态的g因子，检验质子和中子顺排和耦合及其随自旋或激发能的变化，了解磁转动的物理机制和规律，对磁转动提供直接的实验依据，验证理论模型。     

西安脉冲堆~3He快中子夹心谱仪的方案设计

本文介绍了3He快中子夹心谱仪的气体填充、探测器、三通道数字符合和数据分析处理系统,描述了探测器系统的理论分析及实验标定方法,提出了谱仪符合本底计数的来源,绐出了扣除几种符合本底的理论和实验方法,研究结果表明本工作可指导3He快中子夹心谱仪的深入研究.     

^82Sr转动带g因子测量

在核结构研究中，磁矩能够直接给出核结构信息。高自旋态核结构研究中的核子顺排是一前沿研究课题。质子和中子顺排对磁矩的大小和符号的影响不同，质子顺排导致磁矩增大，而中子顺排则使磁矩减小，甚至出现负值。转动g因子系统测量，能够澄清核子是从集体运动还是从准粒子顺排获得角动量。     

55Fe溶液活度测量国际比对

首次用CIEMAT/NIST方法参加了BIPM(国际计量局)组织的55Fe放射性溶液活度测量国际关键比对,用该方法获得的测量结果与比对结果平均值在0.5%内一致,验证了我国放射性活度国家基准量值的国际等效性.     

用正电子湮没技术研究新锆合金包壳的离子辐照效应

国产Zr-Sn-Nb系新锆合金SZA-4和SZA-6是CAP1400大型先进压水堆包壳材料的主要候选材料，对其辐照性能的研究可为制备工艺改进提供科学依据。在中国原子能科学研究院HI-13串列加速器辐照终端，在300 ℃温度下，用100 MeV的Fe束流对两种新锆合金包壳管材进行5 dpa剂量辐照。辐照前后的正电子湮没寿命测量表明：两种样品辐照前湮没寿命为Zr中单空位寿命，表明管材制备过程中最后的退火温度和时间尚未完全消除加工引入的缺陷；两种样品辐照后的正电子湮没寿命减小，分析表明这是由于辐照导致Fe在锆合金中重新分布，主要分布在bcc结构的β-Nb沉淀相颗粒与hcp结构的α-Zr基体之间具有开空间的相界，正电子被相界捕获，与周围Fe原子电子湮没，造成湮没寿命减小。     

正电子湮没研究Al、Nb共掺CaCu3Ti4O12陶瓷高介电常数机理

关于CaCu₃Ti₄O₁₂陶瓷的高介电常数机理，目前广泛接受的是非本征的内阻挡层电容模型。该模型认为在多晶中元素变价、缺陷和非化学计量比等导致的半导化晶粒被绝缘晶界层，即内阻挡层所包围。其中内阻挡层的厚度对材料的介电性能影响较大，而扫描电子显微镜（SEM）测试表明样品晶界呈稀烂的果酱状，SEM难以测量晶界区域绝缘内阻挡层厚度。本文采用正电子湮没技术表征其厚度，通过对CaCu₃Ti₄O₁₂陶瓷共掺不同浓度的Al、Nb（CaCu₃Ti_4-xAl_0.5xNb_0.5xO₁₂，x=0.2%、0.5%、5.0%）改变其晶粒和晶界的微观结构，研究CaCu₃Ti₄O₁₂陶瓷高介电常数机理。正电子湮没结果显示，掺杂样品符合多普勒展宽谱S参数的变化趋势与平均寿命的变化趋势一致。x=0.5%掺杂样品的介电常数最高，其平均寿命、S参数和湮没长寿命成分均最小，阻挡层最薄。实验结果验证了描述CaCu₃Ti₄O₁₂陶瓷高介电常数机理的内阻挡层电容模型的预测。