FeSiB薄膜的巨磁阻抗和应力阻抗效应研究

软磁材料中存在巨磁阻抗 (giantmagneto impedance ,GMI)效应以及与之相同来源的应力阻抗 (stress impedance ,SI)效应 ,利用这两种效应可以制成具有高灵敏度的微型化的磁场和应力 应变传感器。本文基于传感器的实际应用 ,对图形化的、较大磁致伸缩的FeSiB单层和多层薄膜的巨磁阻抗和应力阻抗效应中频率和退火的影响进行了研究。结果表明 ,对于两种效应 ,经过退火处理的单层和多层膜均可在较低的频率下得到较高的灵敏度 ,而多层膜中的应力阻抗效应将为新型高灵敏传感器的设计和研制开辟一条崭新的途径     

反应磁控溅射沉积ITO膜的X射线衍射结构分析

本文报道了对反应磁近溅射技术沉积的ＩＴＯ透明导电膜进行Ｘ射线衍射结构分析的结果，给出了不同条件下ＩＴＯ膜的晶态结构和它与各种成膜工艺条件之间的关系。     

微执行器中连续电磁驱动的数学模型

为了指导电磁微执行器的设计与开发研究，该文用解析法求出了微执行器中电磁连续驱动的数学模型，分析了衔铁位移与励磁电流的关系曲线及其各部分的物理意义，揭示了该曲线在铁心相对磁导率变化小或影响小的情况下存在极大值和失稳现象的规律:当衔铁的位移使磁路总磁阻减小1／3时，所需励磁电流最大，继续减小磁路磁阻时，则发生失稳现象。分析结果与实验结果相吻合。     

MEMS螺线管型电感器正负胶结合的加工工艺

MEMS螺线管型电感器由于具有很多优点，其用途或潜在用途相当广泛 。为了获得高质量的MEMS螺线管型电感器，在充分利用SU-8特点的基础上，结合使用正胶AZ-4000系列和负胶SU-8系列，新开发了UV-LIGA多层微加工工艺，它主要包括：在基片上溅射Cr/Cu作为电镀种子层，涂布正胶，紫外光刻得到电镀模具，电镀Cu和FeNi分别得到线圈的下层、中层和上层以及铁芯；在完成下层和中层后，分别进行一次负胶工艺以形成电绝缘层和后续结构的支撑平台，即涂布负胶覆盖较下层结构，光刻开通往较上一层的通道并使SU-8聚合、交联以满足性能要求。实验表明该工艺是可行和实用的。它除了可用于螺线管电感器的加工，还可以用来加工其它三维结构的MEMS器件。     

我国真空与薄膜产业发展的新机遇

本文简要介绍了平板显示器件（ＦＰＤ）近年来的飞速发展，论述了ＦＰＤ对薄膜的要求和常用于ＦＰＤ生产的三种类型的薄膜沉积设备，指出这是我国真空与薄膜产业发展的一次新的极好机遇。     

微细加工技术在微光开关制造中的应用

微光开关是新一代全光通信网络中的关键器件。利用微细加工技术制造微光开关具有很多突出的优点，受到了广泛的研究。总结了几种典型的微光开关制造中运用的微细加工技术，并介绍了它们的应用和相应的特点。     

铁芯和空芯螺线管型微电感器的性能比较

为了满足RF电路、电源电路、微执行器和微传感器等领域对高性能和工艺简单的电感器的广泛需求，用正、负胶结合的微加工工艺，在硅基片上制作了有坡莫合金铁芯的和在玻璃基片上没有铁芯的、其它结构和参数均相同的两种螺线管型微电感器，测试了它们在1－40MHz频率范围的电感、电阻和Q因子，并进行了比较和讨论。其结果与现有理论知识相一致。实验证明了具有坡莫合金铁芯的螺线管型微电感器在低于30MHz的频率下使用更有意义。而无铁芯螺线管型微电感器还可以用于更高频率的场合。     

幕墙玻璃工业化生产的若干问题

本文对比介绍了三类磁控溅射幕墙玻璃生产设备．指出幕墙玻璃膜层的不均匀性分为纵向与横向两个问题，二者都与磁控溅射镀膜室的内部结构密切相关．在幕墙玻璃工业化生产的组织管理中，原片及清洗质量、环境卫生、返油现象，成品监测是决定产品质量的关键。     

曲折状FeSiB/Cu/FeSiB三层膜结构应力阻抗效应研究

采用磁控溅射法在玻璃基底上制备了曲折状FesiB／cu／FesiB三层膜结构,在1—40MHz范围内研究了FeSiB膜和Cu膜厚度对三层膜结构应力阻抗效应的影响。结果表明：高频下三层膜的应力阻抗效应随着其形变的增加近似线性增加,在自由端弯曲变形1mm、外加电场频率为25MHz时,应力阻抗效应达到-18．3％,在力敏传感器方面具有广阔的应用前景。     

铝靶脉冲反应溅射沉积氧化铝薄膜中的迟滞回线的研究

采用脉冲磁控反应溅射工艺进行氧化铝薄膜的沉积实验,对该工艺过程中溅射电压和沉积速率与氧流量的“迟滞回线”现象进行了研究。通过给出靶面刻蚀区氧化层厚度与氧分压之间的关系,解释了薄膜沉积速率变化的原因。