石墨烯掺杂研究进展北大核心

石墨烯被认为是在后摩尔时代可能取代硅成为构筑集成电路的主要材料,近年来成为研究热点。然而要使石墨烯在电路中得到实际应用,其稳定、可控的掺杂至关重要。按照不同掺杂机理梳理了近年来关于掺杂石墨烯的研究,分析了表面转移掺杂和替位掺杂两种主流掺杂方法的掺杂机制,比较了不同掺杂方法的优势与劣势,并提出了潜在的应用方向。由于简单表面转移掺杂和替位掺杂方法都使石墨烯掺杂后裸露在外界环境中,很容易受外界吸附物的影响,造成掺杂效果的退化,因此介绍了氮化硅钝化层和金属接触在石墨烯掺杂方面的独特优势,并且认为掺杂后隔绝石墨烯与外界环境是掺杂稳定存在的必要前提。最后,展望了掺杂石墨烯在未来电子器件中的应用。     

基于cadence仿真的带隙基准电压源设计

基于cadence仿真软件,首先设计PMOS做输入级的CMOS两级运放,再在放大器基础上设计一阶带隙基准电压源。在电源电压为3v,温度范围-20度到120度之间时实现基准电压的温度系数为0.59ppm。当电源电压在2.4v到3.5v之间变化时,输出电压最大变化量为9mv,电源抑制比为42dB。     

浅析我国TD-LTE的现状与发展

本文阐述了LTE的含义,由我国主导制定的TD-LTE成为国际标准。我国的TD-LTE技术具有独自的特色,但也存着许多不足,如何完善和部署TD-LTE是当前所面临的问题。因此,在未来TD-LTE建设中,我们应认清自己的优势与不足,认清国家当前的形式和特点,为实现TD-LTE的不断完善和部署而努力。