掺锡氧化铟膜在二次表面镜上的应用

掺锡氧化铟膜(ITO 膜)是一种具有良好导电性能,在太阳光谱区有很高光学透过率和抗辐照的涂层,它还具有硬度高、耐磨损等特点;这种涂层在航天器上已有很广泛的应用。我们采用磁控溅射新工艺,将 ITO 膜用作为二次表面镜(SSM)前表面的抗静电防护层。给出 SSM 用 ITO 膜的制备工艺及其对膜的光、电性能的影响,还给出 ITO 膜对 SSM 光(热学性能影响的研究结果,提出了 SSM 用 ITO 膜的设计要求和相关的制备工艺。     

工作在放电环境中的石英晶体膜厚监控仪

石英晶体胰厚监控仪已广泛应用于蒸发镀膜,离子刻蚀厚度的精细控制和真空系统污染监测等方面.但一般的石英晶体膜厚监控仪使用的蒸发型探头却不能在溅射系统放电区中正常工作.实践表明,在溅射系统中,由阴极靶发射的二次电子碰撞测量晶体而引起的热应力是导致石英晶体膜厚监控仪测量失效的主要原因.为此,对测量探头做了改造,设计了一种带偏转磁场的溅射型测量探头,使石英晶体膜厚监控仪能在平面直流磁控溅射镀膜系统中稳定地作原位置膜厚监控.为了对测量计算公式进行修正,用实验确定了修正因子.     

四极滤质器的应用

专题介绍 本文简述四极滤质器的工作原理和特点并介绍不同性能的四极滤质器的应用范围。 一、四极滤质器的原 理和特点 四极滤质器是根据不同质荷比的离子在特定的直流-高频双曲面电场中,运动轨迹的稳定与否来实现质量分离的。其性能指标在动态质谱计中是最好的,也是目前应用最广、最有发展前途的质谱仪器。 四极滤质器的原理示如图1,四根平行。对称放置的双曲面电极成对连接,加以直流-高频叠加电压:式中U-直流电压; V-交流电压幅值; ω-高频电压角频率。在不考虑边缘场的条件下,分析场内的电位分布为;式中 r0-双曲场内切圆半径(简称场半径…     

四极质谱计测量高压力的一种方法

真空镀膜、半导体加工等真空工艺气氛的原位监测对产品质量至关重要。由于一般质谱计测量上限的限制,较高压力下的工艺气氛的气体分析只能通过取样的方法来实现。四极分析器中离子与分子间的碰撞散射是导致四极质谱计在高压力下测量非线性的主要原因。为此,以碰撞散射为基本假设,推导出四极质谱计测量分压力的普遍公式。提出了四极质谱计在较高压力测量的两步校准法,通过与全压力规的配合,解决了四极质谱计在较高压力非线性条件下测量的实用问题。实验结果表明:可将四极质谱计的测量上限从10~(-2)Pa左右提高一个多数量级。     

干扰电子流对四极滤质器性能的影响

本文介绍了用法拉第筒作为离子检测器的四极滤质器存在干扰电子流的原因。这种电子流对轻质量部分质谱的零输出基线起干扰作用,致使这部分谱峰的峰高不能很好地测量和记录。为消除这种现象,作者提出一种电子—离子分离器式离子检测器来代替常用的法拉第筒检测器,并取得了较好的效果。     

液晶显示器用ITO透明导电膜技术现状

随着液晶显示器件（LCD）产业的飞速发展，对作为平板显示器透明电极的ITO导电玻璃的需求也日益增长，并由于LCD正向大型化和高精细化发展，因而对ITO膜的特性提出了许多新的更为严格的要求。本文综述性介绍透明导电膜制造中最常用的ITO膜磁控溅射成膜技术和设备以及靶的现状。     

四极质谱计的碎片离子图形系数

一、引言目前,四极质谱计已广泛地用于真空系统内残余气体分析。原则上,任何一种已校准的质谱计都能用来进行真空系统内气体组分的定量分析。这种校准通常包括两个方面:图形系数和灵敏度的校准。关键的问题是要取得图形系数的好的重复性。到目前为止,有关用四极质谱计作定量分析的报道是不多的,有关图形系数重现性的报道更为少见。根据工作原理和结构,四极质谱计的质量岐视比其它质谱计,如回旋质谱计、磁偏转质谱计更为严重。因此,四极质谱计的图形系数是和其它质谱计不同的。造成图形系数变化的原因除了离子源工作条件外,主要是边缘场和分析场的质量岐视。     

液晶显示器用ITO透明导电膜技术现状

随着液晶显示器件产业的飞速发展，对作为平板显示器透明电极的ＩＴＯ导电玻璃的需求也日益增，由于ＬＣＤ正向大型化和高精细化发展，因而对ＩＴＯ膜的特性提出了许多新的更为严格的要求，本文综述性介绍透明导电膜制造中最常的ＩＴＯ膜磁控溅射成膜技术和设备以及靶的现状主。     

高压力四极质谱计在镀膜中的应用

磁控溅射镀膜过程中的气氛组分及其分压力分布是决定膜质量的重要因素。本文用本所研制的高压力四极质谱计(HPQMS)对磁控溅射镀银过程的原位气氛进行了应用性研究。结果表明:这种高压力四极质谱计可对镀膜过程的气氛进行原位分析,并可以用它研究溅射镀膜中的二次反应过程和控制界面质量,特别是对有油系统的气体原位分析能监控和稳定镀膜的工艺。     

反应直流磁控溅射放电的电流—电压特性

从理论和实验上深入研究了反应直流磁控溅射放电的电流-电压特性。指出,利用此特性可以判别反应直流磁控溅射过程中靶面状态的变化,从而达到稳定成膜工艺的目的。最后根据结果给出了几点实验结论。