磁控反应溅射氮化钛薄膜特性研究

氮化钛薄膜由于具有许多有用的特性而受到人们日益广泛的注意。许多不同方法都曾用来生长氮化钛薄膜,其中包括化学气相淀积、活化反应蒸发、反应磁控溅射、空心阴极放电、离子镀等。溅射淀积得到的氮化钛薄膜具有较低的电阻、较细的晶粒微结     

用溅射法制备反红外薄膜的特性研究

反红外薄膜在太阳能利用、节约能源等方面有着广泛的应用,这种薄膜对热辐射的红外波段具有高的反射率,而对可见光又有相当高的透射率。考虑到大量生产的可行性,我们选择铜为制备反红外薄膜的原材料,采用自制的“S”枪制备了反红外薄膜。一些参数的测定表明,成膜条件,特别是基板温度和气压对薄膜的导电率和红外反射率有很大的影响。用扫描俄歇谱仪对薄膜成分分析的结果表明:高红外反射率的铜膜中铜原子浓度较高,红外反射率较低的铜膜中含有较多的氧和碳。     

磁整反应溅射氮化钛薄膜特性研究

作者用圆形磁控溅射装置,在氩和氮的混合气氛下淀积氮化钛薄膜。卢瑟福背散射谱和俄歇电子谱分析表明薄膜的化学配比为TiN。X射线衍射仪和透射式电子显微镜分析显示此种薄膜为多晶结构,晶粒大小为50～200埃。分光光度计测量结果表明在0.5～16微米波长范围内,它的光学反射率与纯金薄膜相似。氮化钛薄膜的电阻率为40～100微欧·厘米,它和N~+硅(电阻率为0.001欧姆·厘米)的接触电阻为6×10~(16)欧姆·厘米~2,和p型硅(电阻率为0.05欧姆·厘米)的接触电阻为6×10~(-3)欧姆·厘米~2。     

In_2O_3/Si衬底上的YBa_2Cu_3O_(7-x)高温超导薄膜的特性研究

本文介绍用直流平面磁控溅射方法制备In_2O_3导电薄膜,以该导电薄膜为缓冲层,在硅衬底上沉积YBCO高温超导薄膜。用大直径平面磁控溅射,原位退火方法制备YBCO超导薄膜,用In_2O_3缓冲层来减少YBCO薄膜和Si衬底之间的相互扩散。所制得的YBCO高温超导薄膜的零电阻温度为81K,转变温度为98K,用X光衍射(XRD)方法来分析其微结构,结果表明其微观结构是C轴择优取向。用俄歇微探针(AES)来研究YBCO和In_2O_3、In_2O_3和Si之间的相互扩散情况,结果表明In_2O_3导电缓冲层基本上阻挡住YBCO和Si之间的相互扩散。     

镀TiN薄膜的保温节能遮阳玻璃

镀有 TiN 薄膜的玻璃是一种新的“热镜”材料。当 TiN 薄膜厚度大于90nm 时,它对红外线的反射率大于75%。小样试验结果表明:使用镀 TiN 的窗玻璃比用普通玻璃节省取暖能源50%以上。此外,TiN 薄膜与玻璃的结合力强,它不被酸、碱、海水所腐蚀,时延性好。     

成膜参量对“S”枪溅射制备的YBCO高温超导薄膜性能的影响

利用“S”枪磁控油射源,采用单靶磁控溅射原位退火技术,详细研究了YBCO(YBaCuO的简缩)高温超导薄膜质量与主要工艺参数之间的关系。XRD分析表明,典型条件制备的膜具有C轴择优取向织构,RBS分析表明,此时的膜具有基本上1:2:3的理想组份。     

过渡金属氮化物防扩散阻挡薄膜研究

用“S”枪磁控反应溅射制备TiN、ZrN和三元化合物(Ti、Zr)N薄膜。这些薄膜的电阻率在40～190μΩ·cm范围。它们与n~+型硅的接触电阻在10~(-3)～10~(-6)Ω·cm~2量级;与P型硅的接触电阻为10~(-3)Ω·cm~2量级。与n型硅形成的肖特基势垒高度为0.39V。TEM分析显示三种氮化物薄膜均为多晶结构。RBS、SAM和XRD的分析都表明TiN和ZrN薄膜作为防止铝/硅互扩散阻挡层所能承受的最高温度是600℃,(Ti、Zr)N为550℃。     

离化集团束淀积技术的研究

本文从可压缩气体动力学出发,推导得到原(分)子团束中的原(分)子速度,从而算得原(分)子团的动能。作者用自己设计的离化集团束装置产生银原子团,并用圆筒型静电偏转能量分析器CAD—127测量了银原子团的能量。由此得到从1650K的高温坩埚喷口经绝热膨胀所形成的银原子团中含300～500个银原子的原子团约占60%。作者还用扫描俄歇微探针(SAM)分别研究了银蒸汽、银原子团、离化银原子团三种束流淀积于硅片时,银原子沿平行于硅片平面所作的迁移运动,发现三种束流中的银原子有明显不同的迁移长度。实验还表明;由这三种束流淀积形成的银膜同基体的结合力和金—半接触特性也有所不同。