动作时序配合优化的安全稳控系统设计

动作时序配合直接影响安全稳控系统的动作准确性,在安全稳控系统设计时,若动作时序配合与系统耦合性不足,在实际运行时可能会出现误动作,导致直流输送段或直流接受端出现严重损坏.通过稳控一次、二次判据时 序的配合与优化,稳控数据调用的有效性辨识与优化,故障演化过程稳控装置动作时序配合与优化,对动作时序配合进行优化,实现安全稳控系统设计的完善.     

半导体衬底片的应力损伤及其行为

本文根据实际测量结果,一叙述了半导体衬底制片质量对外延生长的影响。特别是,讨论了在 GaAs、InP 衬底中,产生于切片、研磨和抛光加工过程中的机械损伤的影响。     

社会责任体系建设与我国矿业企业安全生产之探讨

矿业企业衰退的原因是多方面的，本文主要从社会道德责任的角度探讨矿业企业安全生产的问题。文章首先分析了目前我国矿业企业所面临的挑战，然后结合国际企业安全生产的惯用机制，分析了社会责任体系认证SA8000标准产生的背景、意义，及其在世界各国被应用的现状，在此基础上，文章论述了该标准对矿业企业安全生产的制约与规范机制，以期通过矿业企业申请SA8000标准认证、引进这种机制来促进和达到安全生产的目的，从而促进矿业企业的可持续发展。     

MBE生长的InSb和InASxSb1—x的载流子浓度剖面分布

在(111)InSb 和(100)GaAs 衬底上,用分子束外延技术生长了 InSb 和 InAs_xSb_(1-x)外延层。用自动电化学 C—V 法测量了外延层的载流子浓度剖面分布。结果表明:(1)外延层呈 P 型;(2)InSb/GaAs 异质外延层的载流子浓度为(1～2)×10~(16)cm~(-3),比相应的同质外延层 InSb/InSb 的(1～2)×10~(17)cm~(-3)小一个数量级;(3)生长层的载流子浓度剖面分布和质量取决于衬底表面的制备。讨论了有关问题。     

钨吸附过程阴离子分布规律及局部淋洗研究

用分部位解吸的方法研究了钨吸附过程终了WO_4~(2-)、MoO_4~(2-)及砷阴离子在交换柱上的分布规律,通过解吸曲线和交换柱分布曲线叠合比较,定性地确定了解吸反应速度Uwo_4~(2-)相似文献   

激光熔覆用钴基合金粉末的研究

对激光熔覆用WFLC－11钴基合金粉末的激光熔覆工艺和熔覆层性能进行了研究，获得了WFLC－11钴基合金粉末激光熔覆层厚度与最小比能量关系曲线和熔覆层的组织、高温硬度等性能数据，为选择和使用WFLC－11钴基合金粉末提供了依据。     

加纳的金矿

加纳的采金史可追溯到15世纪。1493至1600年间,黄金海岸(1957年加纳独立前的称谓)的金产量约占世界总产量的36%。随后产量则逐年下降,1986年加纳仅产金11.5t。但从1987年开始,由于加纳工业的迅速发展,金产量又上升到32t,这得益于政府的一系列鼓励投资政策。目前,加纳政府正进一步放宽政策,制订和建立一系列开采、税收等规章和法律以促进采矿业的发展并吸引外资。最近有近83个公司(包括18个外国公司)持有勘探执照。除几个大公司外,约有650个持照经营者在进行小规模开采。     

基于蜜罐技术的网络安全防御方案研究

蜜罐技术是一种主动防御网络攻击的技术,通过真实的网络系统或模拟真实网络环境的方式为攻击者提供一个网络陷阱,收集和分析流入该系统中数据,从而发现攻击,并保护网络或计算机。但由于蜜罐系统更为显著的作用是检测功能,并不能实现完全防御。该文在简要介绍蜜罐技术的定义、分类和关键技术之后,设计了一种将蜜罐系统与防火墙、入侵检测系统相结合的联动模型。     

顺北5号断裂带南部压力剖面建立及井身结构优化

顺北5号断裂带南部受断裂构造运动影响,钻井过程中普遍存在恶性漏失、钻井效率低等问题。为此,基于邻井成像测井资料和钻井资料,建立了漏失压力计算模型,得到了顺北5号断裂带南部地层的四压力（孔隙压力、破裂压力、坍塌压力和漏失压力）剖面;根据四压力剖面和钻井技术难点优化井身结构,将侵入体未发育区域原有的五开井身结构优化为四开井身结构,并减小井眼尺寸,缩短了钻井周期;针对侵入体发育区域,设计了地层承压能力强的非常规四开井身结构和缩小井眼尺寸的常规五开专封井身结构,提高了井壁稳定性。现场试验表明:所建漏失压力计算模型的预测准确性较高;应用常规五开专封井身结构后,复杂情况处理时效平均缩短 27.8?d,钻井周期平均缩短14.6%。研究和现场试验表明,顺北5号断裂带南部采用优化后的井身结构能够解决钻井过程井漏和钻井效率低的问题,可为复杂地层超深井井身结构设计提供技术借鉴。      

超宽禁带半导体α-Ga2O3肖特基二极管仿真研究

氧化镓(Ga₂O₃)作为一种新型的超宽禁带半导体材料,与目前常用的半导体材料SiC和GaN相比,具有更大的禁带宽度、更高的击穿场强等优良特性。本文主要设计了一种基于α-Ga₂O₃的垂直型肖特基二极管(SBD),采用场板终端结构降低阳极边缘电场强度,研究了不同绝缘材料下阳极附近的电场分布,并探讨了场板结构与长度对其击穿特性的影响。仿真结果表明,在选取HfO₂作为α-Ga₂O₃垂直型SBD场板结构的绝缘材料时,场板结构可以增大该器件的反向击穿电压,最大反向击穿电压可达约1100V,对于现实中制备α-Ga₂O₃ SBD具有非常重要的参考意义。