高斜效率高功率850nm氧化限制型垂直腔面发射激光器

报道了MOCVD生长的高性能850nm氧化限制型垂直腔面发射激光器.研制出的氧化直径为9μm的激光器25℃时的斜效率和阈值电流分别为0.82mW/mA和2.59mA,激光器在23mA时输出16mW最大光功率.氧化直径为5μm的激光器25℃时的最小阈值电流为570μA,其最大饱和光功率为5.5mW.     

聚合物修饰V2O5纳米复合薄膜的性能研究

近年来,利用能与锂等碱金属离子发生拓扑化学反应的V2O5、MoO3等层状氧化物的层间结构特征,将聚合物嵌入层间对其进行修饰来改善界面和层间性质,使材料呈现出许多优异的性能,对这类材料合成、结构、性能和界面行为的研究引起了人们的极大兴趣.本文采用通氧气气氛下熔融淬冷法制备V2O5溶胶,采用聚合物溶液直接嵌入的方法,用PEO(聚氧化乙烯)对V2O5层间进行修饰制成(PEO)0.5V2O5·nH2O纳米复合薄膜,并通过直流电导率测试、循环伏安法、紫外-可见光吸光光谱对其电学、电化学、光学性能进行了研究.结果表明,PEO的修饰使V2O5干凝胶薄膜的电学、电化学、光学性能都发生了较大的变化.     

人工接地刀闸在降压变电所中的应用

在设计35～220千伏降压变电所时,如果条件许可,采用人工接地刀闸及三极隔离开关组合来代替变压器高压侧的遮断器,不仅可以大大降低变电所的造价,而且在一定程度上还可以简化运行操作。目前我国设计的110千伏降压变电所,其直流系统一般均采用蓄电池组。根据苏联经验,110千伏侧遮断器的合闸是需要直流电源的,不能采用重锤     

K0.3MoO3电子辐照下有序-无序转变及恢复

准一维K0.3MoO3蓝青铜中的电荷密度波(CDW)失稳一直是凝聚态物理研究的热点之一.在180K温度附近K0.3MoO3发生晶格畸变伴随着电荷发生空间周期性调制,形成所谓的CDW.当调制波矢量q=2KF时,布里渊区将与费米面套叠而打开一个Peierls能隙,导致体系从导体向半导体或绝缘体的转变,即Peierls相变.Peierls失稳是低维系统的特有行为,具有强烈的维度依赖性,非常敏感于元素掺杂和各种机制产生的缺陷.电子辐照产生的结构变化对于CDW材料的Peierls相变温度和Peierls能隙的形成有很强的影响,强的电子辐照使Peierls相变温度下降.且随着辐照剂量的增大,Peierls能隙甚至被抹平.     

钼蓝青铜晶体结构的电子显微学研究

钼蓝青铜系列包括K0.3MoO3、Rb0.3MoO3、Tl0.3MoO3（基本结构一致）是一种准一维电荷密度波材料，具有准一维的电输运特性。伴随着电荷密度波（CDW）的产生，在180K左右时会发生从金属到半导体（绝缘体）的相变。运用X射线、中子衍射的手段，已经观察到低温下电荷密度波并确定了其矢量；也有人通过扫描隧道显微镜在实空间观察了其表面电荷密度波的形成情况；电子辐照对其物理性质和结构的影响的研究也取得进展；对电荷密度波（CDW）的动力学性质以及对钼蓝青铜的能带结构的研究也是热点之一。但是由于结构的复杂性，文献中关于其晶体学的描述经常出现错误，而且由于其对电子辐照的敏感性，其电子显微学的研究一直停滞不前。为此，我们对其进行了相关的基础研究。     

纳米压印制作半导体激光器的分布反馈光栅

分布反馈(DFB)光栅的制作是半导体激光器芯片的关键工艺,通过纳米压印技术在InP基片表面涂覆的光刻胶上压印出DFB光栅图形,并分别通过湿法腐蚀和干法刻蚀技术将光栅图形转移到InP基片上。所制作的DFB光栅周期为240nm(对应于1 550nm波长的DFB激光器),光栅中间具有λ/4相移结构。采用纳米压印技术制作的DFB光栅相对于通常双光束干涉法制作的光栅具有更好的均匀性以及更低的线条粗糙度,而且解决了双光束干涉法无法制作非均匀光栅的技术难题。相对于电子束直写光刻法,采用纳米压印技术制作DFB光栅具有快速与低成本的优势。采用纳米压印技术在InP基片上成功制作具有相移结构的DFB光栅,为进一步进行低成本高性能的半导体激光器芯片的制作奠定了良好基础。     

电介质保护膜对磁光记录膜的磁和磁光特性的影响

采用射频磁控溅射法制备了非晶TbFeCo薄膜及其保护层AlN薄膜 ,并研究保护层对薄膜的磁和磁光特性的影响。结果表明 ,AlN薄膜可以增强薄膜磁光效应 ,同时 ,AlN薄膜对TbFeCo磁光薄膜的矫顽力、垂直磁各向异性以及本征克尔角都有一定的影响。其原因来自于溅射过程中N和Al原子对TbFeCo薄膜表面的轰击而导致的界面特性的改变     

高斜效率高功率850nm氧化限制型垂直腔面发射激光器

报道了MOCVD生长的高性能85 0 nm氧化限制型垂直腔面发射激光器.研制出的氧化直径为9μm的激光器2 5℃时的斜效率和阈值电流分别为0 .82 m W/m A和2 .5 9m A,激光器在2 3m A时输出16 m W最大光功率.氧化直径为5μm的激光器2 5℃时的最小阈值电流为5 70μA,其最大饱和光功率为5 .5 m W.     

智能剥离技术制备单晶 SOG材料的研究

结合中等剂量的氢离子注入和阳极键合(Anodic bonding)，利用智能剥离技术(Smart—cut)成功转移了一层单晶硅到玻璃衬底上。采用剖面透射电镜、高分辨透射电镜、扫描电镜和拉曼光谱等对SOG材料进行了研究，结果表明此技术制备的SOG材料具有界面陡峭、平整，顶层硅单晶质量完好等优点。     

热等静压方法制备蓝青铜K0.3MoO3多晶材料

钼蓝青铜A0.3MoO3(A为K,Rb或T1)是一类典型的低维材料,由于它们具有与电荷密度波(CDW)、自旋密度波(SDW)及超导相联系的奇异性质,因而受到了人们广泛的关注.长期以来对蓝青铜的研究主要在单晶上开展,本文则采用热等静压方法成功制备出了钾蓝青铜多晶材料,对于蓝青铜薄膜应用中对靶材的制备有实际意义.电阻温度关系曲线的测量显示,钾蓝青铜K0.3MoO3在180K附近发生导体到半导体的Peierls相变.