溶胶-凝胶法制备钛酸锶铅薄膜和多层膜及其介电性质

采用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了多种不同组分的(Pb1-xSrx)TiO3(PST)(x=0.45、0.50、0.55、0.60、0.65)均匀薄膜和多层膜,并研究了它们的介电性质.发现均匀薄膜在x=0.55(PST55)时有最大的介电常数,10kHz下为879,损耗为0.029.在与均匀薄膜相同的条件下分别制备了PST45/PST55,PST50/PST60,PST55/PST65 3种多层膜.发现PST50/PST60多层膜的介电常数得到了明显的增强,在频率为10kHz时相对于同厚度的PST55均匀薄膜从879增加到1008,而损耗依然保持较低(0.027).研究同时表明,PST多层膜在电容-电压可调谐性和介电击穿等性质方面也较均匀薄膜有不同程度提高.与其它两种多层膜比较后发现,在PST50/PST60多层膜中处于PST55左右组分的界面层对介电性质有比较大的影响.     

脉冲激光沉积Ba0.5Sr0.5TiO3、Pb0.5Ba0.5TiO3和Pb0.5Sr0.5TiO3薄膜及其介电性质

采用脉冲激光沉积法,在Pt／Ti／SiO2／Si基底上分剐制备厚度为350nm的Ba0.5Sr0.5TiO3(BST)、Pb0.5Ba0.5TiO3(PBT)和Pb0.5Sr0.5TiO3(PST)薄膜并研究了它们的介电性质。XRD显示,在相同的制备条件下三者具有不同的择优取向,PST具有(110)择优取向,PBT具有(111)择优取向,而BST则是混合取向。SEM显示三者样品表面均匀致密,颗粒尺寸大约在50nm至150nm之间。PST与BST、PBT相比有更高的介电常数,在频率为10kHz时,分别为874、334和355,而损耗都较低,分别为0．0378、0．0316和0．0423,同时PST漏电流也是最小的。测量薄膜的C-V特性扣铁电性能表明室温下BST呈现的是顺电相,PST和PBT则呈铁电相。本文也测量了薄膜在不同频率下的介电温度特性,BST、PBT和PST均表现出频率弥散现象,即随着频率的降低．居里温度降低而介电常数会升高。并测得BST和PST的居里温度分剐为-75和150℃。而PBT的居里温度在250℃以上。本文研究表明：与BST相比较,PBT的介电常数与之相近,漏电流较大;而PST具有高介电常数,较小的漏电流和较大的电容-电压调谐度,在相关半导体器件中的应用将有很大的潜力。     

Experimental Study on RF Hollow Cathode Discharge

1. IntroductionHollow cathode discharge has been studied formore than thirty years. In hollow cathode, the dis-'charge is mainly in the negative glow discharge re-gion, in which the concentration of fast electron ismuch higher than that of lasers. Owing to thisunique intrinsic advantage, a great deal of time andeffort has been expended on the study of DC hollowcathode discharge. And a great progress has beenachieved.RF glow discharge technology, as a new technol-ogy, has been developed to me…     

氧分压强和基片温度对脉冲激光沉积的ZnO∶Al膜性能的影响

利用脉冲激光法制备了ZnO∶Al透明导电膜。通过对膜进行霍尔系数测量及SEM、XRD测试分析 ,详细研究了沉积时的基片温度、氧分压强对膜的透光率和电阻率的影响。结果表明 :基片温度、氧分压强影响着膜的电学、光学性能和膜的结晶状况。从电学分析看出 :基片温度从 2 0 0℃升到 30 0℃过程中 ,膜的载流子浓度、透光率和光隙能相应增大。在氧分压强为0Pa、基片温度为 4 0 0℃下沉积的膜 ,其电阻率具有较低值 ,且在可见光区其透光率约为 90 %。     

氧分压强和基片温度对脉冲激光沉积的ZnO：AI膜性能的影响

利用脉冲激光法制备了ZnOAl透明导电膜。通过对膜进行霍尔系数测量及SEM、xRD测试分析,详细研究了沉积时的基片温度、氧分压强对膜的透光率和电阻率的影响。结果表明基片温度、氧分压强影响着膜的电学、光学性能和膜的结晶状况。从电学分析看出基片温度从200℃升到300℃过程中,膜的载流子浓度、透光率和光隙能相应zk大。在氧分压强为0Pa、基片温度为400℃下沉积的膜,其电阻率具有较低值,且在可见光区其透光率约为90％。     

穆斯堡尔谱仪的激光测速装置

本文叙述了穆斯堡尔谱仪激光干涉绝对测速的方法,介绍了一台配用高精度穆斯堡尔谱仪的激光测速装置,其测速范围为±5mm/s～±300mm/s,并具有穆斯堡尔谱与速度谱同时测量的性能。本文列举了部分测试结果,     

HfO2在CHF3,Ar和H2的感应耦合等离子体中的刻蚀行为

通过改变偏压功率和气体气压的宏观条件,利用CHF3,Ar和H2的感应耦合等离子体(ICP)对HfO2和RZJ-306光刻胶进行了刻蚀选择性实验研究.结果表明,HfO2与等离子体化学相互作用的刻蚀产物属于非挥发性的,容易造成边墙的堆积而形成"驼峰"形,因而需要借助于Ar 的辅助轰击来消除边墙堆积,典型的HfO2/光刻胶的刻蚀选择比在0.2～0.5之间.在射频源功率400 W、气压0.5 Pa、射频偏压-400 V、流量比为Ar∶CHF3∶H2=40 sccm∶18 sccm∶2 sccm的优化条件下,利用感应耦合等离子体刻蚀特性,对光刻胶作为掩膜的HfO2/BK7玻璃进行刻蚀,扫描电镜的测试结果表明,光栅的图形转移效果较好.红外激光波长为1064 nm时,所测得的光栅二级衍射效率在71%以上.     

Pb1-xLaxTiO3薄膜的制备及特性研究

用溶胶－凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si(100)基底上制备Pb1-xLaxTiO3(PLT,x≤0．2）薄膜,研究薄膜的结构及其介电、铁电性能。在600℃下退火1h的PLT薄膜表现出单一的钙钛矿结构,（100）择优取向明显。在室温下PLT薄膜有典型的电滞回线。在x≤0.2（摩尔比）的范围内,PLT薄膜的矫顽场、剩余极化强度都随着La的增加而降低,相对介电常数则随着La的增加而增加。     

掺杂比对脉冲激光沉积的ZnO:Al膜性能的影响

用脉冲激光法制备了ZnO :Al透明导电膜。通过对膜的霍尔系数测量及SEM、XRD分析 ,详细研究了靶材中的化学配比 (掺杂比 )对膜的透光率和电阻率的影响。结果表明 :掺杂比影响着膜的电学、光学性能和膜的结晶状况。掺杂比从 0 .75 %增至 1 .5 % ,膜的载流子浓度、透光率 (波长大于 5 0 0nm)和光隙能相应增大。在掺杂比为 1 .5 %左右时沉积的膜的电阻率达到最小 ,其值为7.1× 1 0 -4 Ωcm ,且在可见光区其透光率超过了 90 %。     

微波ECR-CVD法制备a-C:F:H膜的红外吸收及其光学带隙

改变CHF3 CH4 流量比R =[CHF3] ([CHF3]+[CH4 ]) ,采用微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积 (MWECR CVD)方法沉积a C :F :H薄膜。a C :F :H薄膜的结构和光学带隙使用傅立叶变换红外光谱和紫外 可见光谱来表征。红外结果表明 ,在低流量比R(R <6 4 % )下 ,薄膜的红外特征结构主要以 CF(10 6 0cm- 1 ) , CF2(112 0cm- 1 )以及 CHx(2 80 0～ 30 0 0cm- 1 )的伸缩振动为主 ;在高流量比R(R >6 4 % )下 ,薄膜表现为类聚四氟乙烯(PTFE)的结构特征 ,典型的红外特征峰是位于 12 2 0cm- 1 处的 -CF2 反对称伸缩振动。薄膜的光学带隙Eg 随流量比R的变化表现为先降后升。进一步研究表明 ,薄膜中的H和F浓度调制着薄膜的CC共轭双键结构 ,使光学带隙Eg 从 2 37到 3 3之间变化