硫化法制备ZnS薄膜的结构和光学性能研究

采用直流反应磁控溅射法,在玻璃衬底上沉积了ZnO薄膜,然后在H2S气氛和500℃温度下退火制备了六方ZnS薄膜。利用X射线衍射仪(XRD)、UV-VIS分光光度计、扫描电子显微镜(SEM)对样品进行了表征。结果表明:ZnO经0.5 h硫化就能全部生成ZnS,适当提高硫化时间可改善ZnS的结晶性,但硫化时间超过2 h后,结晶性会有所降低;所有制得ZnS薄膜都沿c轴择优生长,其晶粒明显比ZnO更大。此外,这些ZnS薄膜在500~1 100nm波长范围内的光透过率均高达约75%,带隙为3.65~3.70 eV。     

铁磁性Er0.2Sm0.8Mn6Ge6化合物的正磁电阻效应

对天然多层膜材料Er0.2Sm0.8Mn6Ge6化合物（441K以下为铁磁性）磁电阻和热容进行了测量,结果表明,使用50kOe的外磁场,Er0.2Sm0.8Mn6Ge6化合物的磁电阻值在45K以下为正,随着温度的降低,磁电阻逐渐增大,最大磁电阻达5．89％。本文对于铁磁体中出现正磁电阻给出了解释。     

Finemet-Co非晶合金的结晶动力学研究

利用标准的单棍甩带技术在大气环境下制备了Fe73.5-xCOxSi13.5B9Cu1Nb3 (x=10、30,50)非晶条带.在550和600℃下分别对非晶条带进行真空等温退火1h,从而在非晶基体中形成纳米晶相.X射线衍射(XRD)分析结果表明,550和600℃真空等温退火1h后,Fe73.5-xCOxSi13.5B9...     

V替代Nb对FINEMET非晶合金结晶动力学的影响

利用标准的单辊甩带技术在大气环境下制备了Fe73.5Si13.5B9Cu1Nb3-xVx(x=1,2)非晶条带。利用非等温DSC测量研究了非晶条带的初始结晶动力学行为。采用Kissinger方法计算了非晶条带的初始结晶激活能,其数值分别是302kJ/mol(x=1)和364kJ/mol(x=2)。Avrami因子n的计算结果分别为2.35(x=1)和1.61(x=2),Avrami因子的计算结果表明,非晶条带非等温初始结晶的机理为扩散控制的低维生长,且其形核率不断降低。在793、823和853K下分别对非晶条带进行真空等温退火1h,从而在非晶基体中形成纳米晶相。XRD分析结果表明,823和853K下真空等温退火1h后,x=1和2非晶条带中析出的α-Fe(Si)相的平均晶粒尺寸分别为12.8、14.0、13.3和14.2nm。     

BNb与BNbRE钢轨踏面区的内耗

测量了BNb钢和BNbRE钢重轨踏面区使用(热轧)态及其700℃、30min WC、室温变形态试样的内耗。发现,两种钢轨热轧态试样都有Snoek—Kê—Kster(SKK)峰;但这两种钢热轧态样品的内耗,有较明显的差异:未加稀土的BNb钢轨的SKK峰明显地大于加丁稀土的BNbRE钢轨的峰,前者的峰温度也较后者高约20℃;但后者有可测的Snoek峰,而前者则没有此峰。两种钢变形态样品的SKK峰大致相同。对结果做了讨论。     

硫化法制备ZnS薄膜的结构和光学性能研究

采用直流反应磁控溅射法,在玻璃衬底上沉积了ZnO薄膜,然后在H2S气氛和500℃温度下退火制备了六方ZnS薄膜。利用X射线衍射仪(XRD)、UV-VIS分光光度计、扫描电子显微镜(SEM)对样品进行了表征。结果表明:ZnO经0.5 h硫化就能全部生成ZnS,适当提高硫化时间可改善ZnS的结晶性,但硫化时间超过2 h后,结晶性会有所降低;所有制得ZnS薄膜都沿c轴择优生长,其晶粒明显比ZnO更大。此外,这些ZnS薄膜在500~1 100nm波长范围内的光透过率均高达约75%,带隙为3.65~3.70 eV。     

Hall effect of quinquevalent ion-doped La0.9Sb0.1MnO3 film

Hall effect of the quinquevalent ion-doped La0.9Sb0.1MnO3(LSbMO)film,with strong magnetic-resistive correlation,which was believed to be an electron-doped manganite,was experimentally studied,and a positive normal Hall coefficient was observed below the Curie temperature,which indicated that the system was hole doped.These observations might be attributed to the presence of excessive oxygen in the film.The resistivity of the film increased overall and the metal-semiconductor transition shifted to a lower temperature after removing excessive oxygen by vacuum annealing.These results implied that the magnetic-resistive correlation in the LSbMO film was attributed to the interaction between Mn3+ and Mn4+ ions,instead of that between Mn2+ and Mn3+ ions.     

光敏电阻的检测与使用

光敏电阻主要是根据敏感材料硫化镉CdS或硒化镉(CdSe)的内光导效应制成的特殊电阻,是一种半导体光电器件,它对光线非常敏感。其原理是:光敏电阻受光照射时半导体吸收光能挣脱原子束缚的价电子数增多,因而自山电子——空穴对数目增加,半导体的导电能力增强,阻值降低。光敏电阻适用于光电自动控制,照度计,电子照相机,光报警装置中。其结构特征是把条状的光敏材料封装在圆形管壳内,有的还用玻璃等透明材料制成防护罩。和普通电阻器一样,它也有两根引线。