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PECVD淀积氮化硅薄膜性质研究 总被引:18,自引:0,他引:18
使用等离子体增强化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD)在P型硅片上沉积了氮化硅(SiNx)薄膜,使用薄膜测试仪观察了薄膜的厚度、折射率和反射光谱,利用扫描电子显微镜(SEM),原子力显微镜(AFM)观察了截面和表面形貌,使用傅立叶变换红外光谱仪(FTIR)和能谱仪(EDX)分析了薄膜的化学结构和成分。最后,考察了薄膜在经过快速热处理过程后的热稳定性,并利用霍尔参数测试仪(Hall)比较了薄膜沉积前后载流子迁移率的变化。 相似文献
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苏里格气田储层具有多层、薄层的特点,分压改造是有效开发气田的主体技术之一。针对分层压裂使用的压裂液进行了室内优化及测试研究,在优选压裂液添加剂基础上,优选出了分层压裂使用的压裂液配方,并针对分压中出现的高剪切及压裂液滞留等问题,开展了试验研究。该压裂液配方能较好地降低储层喉道毛细管的界面张力,有利于压裂后残液的返排。优化的压裂液配方能降低对储层造成的伤害,其性能指标满足了储层及分压工艺的要求。 相似文献
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晶体硅中的铁沉淀规律 总被引:4,自引:1,他引:3
研究了在直拉单晶硅和铸造多晶硅中经110 0℃热处理快冷或慢冷条件下所形成的铁沉淀规律及其对少数载流子扩散长度的影响.红外扫描仪照片显示在直拉单晶硅中慢冷却形成的铁沉淀密度较低,而且其尺寸较大;在铸造多晶硅中,铁易在晶界上沉淀,沉淀规律也依赖于冷却速度.表面光电压仪测试结果表明:无论在直拉单晶硅材料中还是在铸造多晶硅材料中,快冷形成的铁沉淀对少数载流子扩散长度影响更大.实验结果可以用铁沉淀生成的热力学和动力学规律解释 相似文献
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用于提高低-特低渗透油气藏改造效果的缝网压裂技术 总被引:31,自引:2,他引:29
在对低孔隙度、低渗透 特低渗透砂岩油气藏压裂中,由于储层基质向裂缝的供油气能力较差,仅靠单一的压裂主缝(不管缝有多长、导流能力有多高)很难取得预期的增产效果。因此,提出了适合低孔隙度、低渗透、不含天然裂缝储层的“缝网压裂”技术。其核心思想是利用储层两个水平主应力差值与裂缝延伸净压力的关系,实现远井地带(而不仅仅局限于近井筒区域)的“缝网”效果,增加储层基质向人工裂缝供油气能力,提高压裂增产改造效果。论述了“缝网压裂”技术的适用条件、工艺设计思路及应用方法。在此基础上,对“缝网压裂”的实现途径进行了探索,包括水平井及应用“层内液体爆炸”技术等。缝网压裂技术对理论和现场施工有重要的参考价值。 相似文献
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近几年来,国外一些学者引入支撑剂对流,回流,防砂及防砂中压裂液滤失等问题,对以胶的裂缝模型进行改进,对于准确描述支撑剂在缝中运移机理,优选合理的施工参数,优化压裂施工泵注程序,做出适合油藏规律的压裂设计,具有极其重要的指导意义。文中主要介绍国外目前对支撑剂对流,回流,防砂及防砂中压裂液滤失等机理所做的研究。 相似文献
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非常规油气藏体积改造技术核心理论与优化设计关键 总被引:19,自引:2,他引:17
北美页岩气藏在储层渗透率低至纳达西的情况下仍能实现有效开发,其核心是增大储层改造体积,用技术体系来表征即为“体积改造技术”。“体积改造技术”强调“打碎”储层,使裂缝壁面与储层基质的接触面积最大,在三维方向实现对储层的“立体”改造。针对页岩和致密油气储层的不同特点,界定了“狭义”和“广义”体积改造技术的异同:“狭义”体积改造技术源于对象、技术和验证3个要素(页岩、“水平井钻井+水平井分段压裂”、微地震裂缝诊断);“广义”体积改造技术是针对致密油气储层提出的水平井多段和直井多层压裂技术方法。两种技术针对的储层对象有所不同,但最终目标是一致的。体积改造技术的核心理论为:1“打碎”储层,形成复杂缝网,“人造”渗透率;2基质中的流体沿裂缝“最短距离”渗流;3大幅度降低基质中油气流动所需驱动压差。进一步提出了满足体积改造技术理论的核心条件为:储层具有明显脆性,天然裂缝与层理发育,最大最小应力差较小。其中脆性指数是岩石发生破裂前的瞬态变化快慢(难易)程度的表征,而体积改造技术优化设计的关键是“逆向设计”方法,以及分簇射孔模式、最优孔数及裂缝间距优化。现场实际研究表明:分簇射孔确保各簇有效开启的最优孔数为40~50个,并可获得最优孔数与排量的关系,以及最优缝间距越小越易实现裂缝转向;同时还给出了孔眼优化、实现应力干扰的最佳裂缝间距、细分切割基质的理论模型与计算结果。体积改造技术对提高非常规油气藏的改造效果有着重要的指导作用。 相似文献