有机发光器件的低温氮化硅薄膜封装

利用等离子体化学气相沉积(PECVD)技术，采用不同的沉积条件(20—180℃的基板温度范围和10—30W的射频功率)制备了氮化硅薄膜，研究了沉积条件对氮化硅薄膜性质和防水性能的影响。实验发现随着基板温度的增加，氮化硅薄膜的密度、折射率和Si／N比相应增加，而沉积速率和H含量相应减少；随着射频功率的增加，氮化硅薄膜的沉积速率、密度、折射率和Si／N比相应增加，而H含量相应减少。水汽渗透实验发现即使基板温度降低为50℃，所沉积的氮化硅薄膜仍然具有良好的防水性能。实验结果表明低温氮化硅薄膜可以有效地应用于有机发光器件（OLED)的封装。     

TQFP器件的分层开裂和PECVDSiNx薄膜对TQFP器件防水性能的影响

研究了薄型扁平四面封装（TQFP）器件在再流焊工艺中的分层开裂过程和PECVD SiNx薄膜对器件防水性能的影响。实验发现,水汽含量是引起器件分层开裂的主要原因;银浆与塑封料,芯片衬垫与塑封料之间的结合面是TQFP器件的薄弱环节,分层现象是由这此培位产生和扩展的。PECVD SiNx薄膜能有效降低进入TQFP器件中的水汽含量,在一定程度上消除开裂和分层现象,并且薄膜越厚,防水效果越好,消除开裂和分层现象的作用也越明显。     

PECVD法低温淀积SiC_x薄膜的防水汽扩散性能研究

外界水汽和离子的扩散对集成电路和传感器等器件的性能及使用寿命有很大影响 ,利用无机钝化材料阻挡水汽和离子的扩散是常用的提高器件寿命和稳定性的方法。本文采用PECVD方法在较低的衬底温度条件下淀积碳化硅薄膜 ,利用各种方法研究了碳化硅薄膜的防潮性能。实验证明 ,碳化硅薄膜是一种良好的水汽扩散阻挡材料 ,其防潮能力达到甚至超过了集成电路生产中常用的氮化硅薄膜。并且 ,低温碳化硅薄膜具有非常好的化学稳定性和抗刻蚀能力 ,在各种微加工工艺中有广泛的应用前景。     

超负磁致伸缩晶体Sm－Fe、Sm－Dy－Fe和Sm－Dy－Fe－Al的研究

本文研究了轻稀土负磁致伸缩ＳｍＦｅ＿ｘ（１．４０＜ｘ＜１．９４），Ｓｍ＿ｘＤｙ＿（１－ｘ）Ｆｅ＿ｙ（０．８４＜ｘ＜０．９２．１．８０＜ｙ＜１．９０），Ｓｍ＿（０．９０）Ｄｙ＿（０．１０）（Ｆｅ＿（０．９５）Ａｌ＿（０．０５））＿（１．８０）晶体的制备、热处理及磁学性能，发现ＳｍＦｅ＿ｘ合金的λ－ｘ曲线存在两个峰值，峰值的ｘ点随热处理发生的变化有一定的规律性，还比较了热处理前后，Ｓｍ－Ｆｅ、Ｓｍ－Ｄｙ－Ｆｅ和Ｓｍ－Ｄｙ－Ｆｅ－Ａｌ的相组成对性能的影响。热处理用于改善磁致伸缩性能，并且制得了高磁致伸缩性能的ＳｍＦｅ＿２和（Ｓｍ，Ｄｙ）Ｆｅ＿２合金。     

纳米晶软磁膜的磁性和结构

介绍新型纳米晶软磁膜Ｆｅ－Ｍ－Ｃ（Ｍ＝Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｔａ）的磁性能和组织结构，说明纳米晶形成和软磁性的关系。由于形成高熔点碳化物，如ＴａＣ、ＦｅＴａＣ等，在高温下仍有良好软磁性能，这对于实际应用是十分有意义的．     

纳米晶软磁膜的磁性和结构

介绍新型纳米晶软磁膜Ｆｅ－Ｍ－Ｃ（Ｍ＝Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｔａ）的磁性能和组织结构，说明纳米晶形成和软磁性的关系，由于形成高熔点碳化物，如ＴａＣ、ＦｅＴａＣ等，在高温下仍有良好软磁性能，这对于实验应用是十分有意义的。     

交替频率PECVD方法沉积低应力氮化硅薄膜及其性质研究

用ＰＥＣＶＤ方法制备氮化硅薄膜,研究了射频频率对氮化硅薄膜的沉积和性质的影响。结果表明,在低频下（１００ＫＨｚ）制备的氮化硅薄膜密度较大,具有８ｘ１０９Ｐａ左右的压应力和较小的刻蚀速率;而高频（１３．５６ＭＨｚ）沉积的氮化硅薄膜密度较小,具体约２ｘ１０９Ｐａ的张应力,刻蚀速率较大。红外光谱表明,薄膜性质同薄膜中的氢原子成键情况有关。实验中利用高、低频交替沉积的方法,成功地制备了低应力（１０７Ｐａ）氮化硅薄膜。当加热到５００Ｃ时,应力较大的氮化硅薄膜会发生开裂（张应力）或拱起（压应力）。低应力的氮化硅薄膜能够承受７００Ｃ的温度,温度更高时,薄膜的完整性因氢溢出而破坏。     

电子封装中氮化硅/硅酮双层薄膜的水汽防护研究

测量了在FR4基板上用引线键合和顶充胶封装的湿度传感器在无防护、氮化硅薄膜防护、硅酮涂层防护、硅酮涂层加氮化硅薄膜防护四种情况下及在不同温湿度环境下的水汽扩散曲线。应用有限元分析和FICK扩散方程模拟了实验曲线,得到了水汽在各种防护条件下的扩散系数,进而计算出水汽扩散的激活能,定量比较了各种防护方法的效果。实验和模拟结果表明：硅酮加氮化硅薄膜的双层防护可以显著改善电子模块的防水性能。     

等离子体增强化学气相低温沉积碳化硅薄膜及其性质研究

用等离子体增强化学气、相沉积（PECVD）方法,以CH4和SiH4为反应气体,在低电极温度（180℃）条件下制备了碳化硅薄膜．实验结果表明,低电极温度条件下沉积参数（反应气体流量比、反应气体压力、射频功率）的变化对薄膜的沉积和性质影响较大．制得的薄膜均匀性良好,其化学组成Si／C在0．72-4．0之间,具有（5-9）×109dyn／cm2的压应力．红外光谱结果证明,随着薄膜化学成分的变化,薄膜的结构也改变。同氮化硅薄膜相比,制得的碳化硅薄膜具有良好的抗溶液腐蚀性．