Mn、Co掺杂ZnO薄膜结构及发光特性研究

利用脉冲激光沉积(PLD)方法在Si(100)衬底上制备了ZnO、Zn0.8Mn0.2O、Zn0.8Co0.2O薄膜.薄膜的晶体结构和表面形貌采用X射线衍射仪和原子力显微镜测试.表明薄膜具有明显的c轴择优生长取向,薄膜表面较为平整,颗粒尺寸在纳米量级,薄膜中晶粒的生长模式为"柱状"模式.此外,Mn、Co掺入后,薄膜的X射线衍射峰有小角度偏移,这与 Mn2 、Co2 离子半径有关.PL谱显示Mn、Co掺杂ZnO薄膜的蓝、绿发光峰的位置相对纯的ZnO薄膜没有改变,还出现了紫外发光峰,其中Mn掺杂的蓝、绿光峰的强度减弱,Co掺杂的蓝光峰强度减弱,绿光峰强度增强.这是因为Mn、Co掺入改变了ZnO本征缺陷的浓度,发光峰的强度也随之而改变.     

多铁/顺磁复合薄膜的界面输运特性与耦合机制研究

本文通过BiFeO3/La2/3Sr1/3MnO3（BFO /LSMO）,研究了多铁/顺磁复合结构的界面输运以及磁电耦合机制。利用激光分子束外延技术制备了单相、质量良好的薄膜结构,采用电学、磁学、光学等多种测试手段对其输运特性、铁磁性、磁介电特性等进行了测试与表征.结果表明界面的漏电导机制是空间电荷限制电流机制;复合薄膜在室温下表现出的铁磁性主要来源于BFO层,界面处诱导出的网状磁矩会使样品产生比较明显的磁电耦合.在零场冷却（ZFC）和场冷却（FC）下,样品的磁介电系数分别在160K和170K达到极大值,介电损耗-温度曲线在150-170附近产生分裂,该温度区间与BFO层的相变相关.     

不同Ce掺杂比的La_(1-x)Ce_xMnO_3薄膜输运性质及机理研究（英文）

研究了电子型掺杂钙钛矿薄膜La_(1-x)Ce_xMnO_3的输运性质和外场作用下的输运机理。研究表明,La_(1-x)Ce_xMnO_3薄膜呈现出典型的金属-绝缘体转变,且与Ce的掺杂浓度相关。电阻-温度曲线表明,在低温时,电子-电子散射和磁畴对电子的散射是电阻形成的主要原因,而在高温下,小极化子的跳跃机制起主要作用。通过激光照射样品表面,发现光场诱导金属-绝缘体转变温度向着低温区偏移,该现象产生的原因在于La_(1-x)Ce_xMnO_3薄膜内部铁磁相与顺磁相的共存,此外,高能量的激光对样品的电阻变化影响更明显。进一步研究表明,Ce的掺杂浓度将会通过金属-绝缘相变对La_(1-x)Ce_xMnO_3薄膜的磁电阻效应产生显著的调制作用。     

不同Ce掺杂比例对La1-xCexMnO3薄膜输运性质及机理研究

本文中研究了电子型掺杂钙钛矿薄膜La_1-xCe_xMnO₃的输运性质和外场作用下的输运机理。研究表明,La_1-xCe_xMnO₃薄膜呈现出典型的金属-绝缘体转变,且与Ce的掺杂浓度相关。电阻温度曲线表明,在低温时,电子-电子散射和磁畴对电子的散射是电阻形成的主要原因,而在高温下小极化子的跳跃机制起主要贡献。通过激光照射样品表面,发现光场诱导金属绝缘体转变温度向着低温区间偏移,该现象产生的原因在于La_1-xCe_xMnO₃薄膜内部铁磁相与顺磁相的共存,此外,高能量的激光对样品的电阻变化影响更明显。进一步研究表明,Ce的掺杂浓度将会通过金属-绝缘相变对La_1-xCe_xMnO₃的磁电阻效应产生显著的调制作用。本文将为新型能量转换器件的开发与应用提供新的研究思路。