用CMOS工艺实现VSR光电集成接收机的途径

介绍了10Gbit／s速率的甚短距离光传输系统VSR(Very Short Reach)中的接收机。分析了几种有希望用于VSR系统的CMOS工艺兼容的光电探测器。提出用CMOS电路实现VSR光电集成(OEIC)接收机的可能性和实现方法。     

16信道0.35μmCMOS/VCSEL光发射模块

研究了垂直腔面发射激光器 (VCSEL)及其列阵器件的光谱特性、调制特性、高频特性及与微电子电路的兼容性 ,将 1× 16的VCSEL与CMOS专用集成电路进行多芯片组装 (MCM ) ,混合集成为 16信道VCSEL光发射功能模块 .测试过程中 ,功能模块的光电特性及其均匀性良好 ,测量的 - 3dB频带宽度大于 2GHz.     

选频电压表在测量调频信号时的有效值误差

本文研究了选频电压表在测量调频信号时由信号的频偏引起的有效值检波误差,给出了误差表达式,进行了数值计算,进而导出了误差近似公式,并讨论了其应用范围。     

10Gbit/s甚短距离传输系统接收模块研究

本文研究了符合OIF—VSR4—01．0规范的甚短距离（VSR）并行光传输系统转换器集成电路，实现了接收部分转换器集成电路中帧同步、8B／10B解码、12路通道去斜移、检错纠错等模块的设计。在Altera的Stratix GX系列的FPGA上实现了接收部分转换器集成电路。仿真分析的结果表明所设计的各个模块能正确的实现接收部分转换器集成电路的功能，给出了仿真结果。     

集成于无源UHF RFID标签的宽温测范围CMOS温度传感器

针对无源UHF RFID标签温度测量范围小、功耗等问题,本文提出了一种集成于无源UHF RFID标签的宽温测范围CMOS温度传感器。本文设计采用UMC 0.18μm 1P6M CMOS工艺进行设计,提出一种新温度脉冲转换电路结构产生随温度变化的脉冲,从而实现了宽温度测量。仿真结果表明:当温度范围在-75℃~125℃时,温度脉冲宽度变化近220μs,标签芯片供电电压为1.5V时,室温时新增的温度传感器模块功耗仅为200 nW,温度传感器精度为0.45℃/LSB。测试结果:在-5℃~45℃范围内进行测试,温度传感器精度为0.48℃/LSB,其中在室温25℃左右振荡器频率2.087 MHz,脉冲宽度大约110μs,异步计数器显示为011011000。     

新型无源UHF RFID双端口标签设计

针对无源UHF RFID系统通信距离受限的问题,提出了一种新型无源双端口智能标签的设计方案.阐述了智能选择的实现方法以及提高系统识别距离的原理,并给出了标签其他部分电路包括整流及稳压电路、调制电路和解调电路的电路结构,电路基于0.18 μm CMOS工艺实现.仿真结果表明:各部分电路均可实现正常功能.     

基于标准CMOS工艺太阳能电池的微电源管理系统

文章基于CMOS太阳能电池设计了一款微电源管理系统。此电源管理系统适用于传感器网络节点和半有源电子标签之类的需要周期性短时间供电的电路。电源管理系统中包含一个电荷泵,一个片外储能电容,控制电路和一个线性稳压器。控制电路采用一种全新的结构,静态功耗基本为零。采用UMC 0.18μm CMOS工艺,当输出电流为30uA,储能电容为1uF时,一个周期可达到大于20ms的供电时间,输出电压1.8V,电源管理系统的静态电流小于1.5uA。     

基于多波束切换的便携式RFID阅读器设计

研究了一种基于多波束切换技术的便携式RFID阅读器,详细阐述了射频模块中各硬件部分的工作原理以及芯片参数的确定,给出了多波束天线系统的设计方案以及整个阅读器系统的设计方案.该阅读器工作频率的范围为860~960 MHz,并且符合ISO18000-6C(EPC Gen2)标准.将多波束切换型智能天线系统应用于RFID系统中,经理论证明,可提高现有阅读器的最大识别距离、覆盖区域等性能.     

改进的RFID室内定位算法

针对射频识别定位系统中RSSI线性定位算法的边界标签定位精度低问题,提出了一种改进的算法.该算法在边缘区域布置参考标签,并在这些布置参考标签的区域采用LANDMARC算法,而其它区域仍采用RSSI线性定位算法.使用MATLAB软件对算法进行仿真,结果表明:针对边界区域的定位标签,改进的算法比RSSI线性定位算法具有更好的定位精度,提高了整体定位区域的定位准确性;与LANDMARC算法相比,改进的算法由于使用较少的参考标签,所以降低了成本并且减少了算法的运行时间,从而提高了定位系统的实时性.     

用于喇曼放大的SOI脊形波导中自由载流子寿命的解析表达

研究了用于喇曼放大的绝缘硅(SOI)脊形波导中自由载流子寿命与非线性光学损耗的关系.通过理论推导结合二维数值模拟的方法,提出了带有零反偏pin结构的SOI脊形波导中自由载流子寿命的解析表达式,该解析表达式与他人的实验结果相符.结果表明,比起不带pin结构的波导,带有零反偏pin结构的波导中的自由载流子寿命最多可以缩短80%.同时,研究了pin结构外加反偏电压时,自由载流子寿命进一步缩短的原因,并从强场下自由载流子速度饱和的角度出发,得到了自由载流子寿命的理论极限值.最后,模拟了不同自由载流子寿命情况下SOI脊形波导的喇曼净增益随着输入泵浦光功率密度的变化曲线,为硅基喇曼放大器的进一步研究指明了方向.