利用HRXRD和UV-Vis反射光谱确定AlGaN/GaN/Al2O3的结构与成分

结合紫外-可见光谱和高分辨XRD两种测试方法,无损、可靠地确定了AlGaN/GaN HEMT结构内各层的厚度、成分、应力等参数,解决了高分辨XRD无法同时确定成分与应力的难题.这两种方法的好处是样品不需经过特殊的处理,也不需进行切割、减薄等工艺,具有快速、无损、准确的特点,可以作为AlGaN/GaN HEMT器件的筛选工具,提高器件的成品率、降低生产成本.     

一种基于锡锑氧化物的透明PN结及整流特性

利用反应磁控溅射法制备了半导体锡锑氧化物薄膜 (TAO). 根据霍尔效应测试结果,当Sn/Sb 原子比处于0.22~0.33范围内时,TAO薄膜是p型导电的,在此范围之外,TAO薄膜是n型导电的. 光学带隙测量结果表明,不同Sn/Sb比的TAO薄膜的禁带宽度基本相同(~3.9eV).构造了一个全透明的PN结,其中n区为Sn/Sb原子比为0.5的TAO薄膜, p区为Sn/Sb原子比为0.33的TAO薄膜.n区TAO的电极用铟锡氧化物（ITO）,p区TAO的电极用Cu薄膜.实验结果表明,由于两种导电类型的TAO薄膜具有相同的禁带宽度,上述透明PN结构具有典型的准同质PN结的整流特性.     

背景光辐照下SrAl2O4:(Eu2+,Dy3+)的力致发光性能实验研究

SrAl2O4:(Eu2+,Dy3+)作为一种力致发光材料,因其力致发光强度高而受到广泛的关注.但SrAl2O4:(Eu2+,Dy3+)力致发光强度随余辉衰减时间延长而减弱,这一特性阻碍了它在应力传感器中的实际应用.针对这一问题,本文采用小球下落冲击法,研究了背景光照射下SrAl2O4:(Eu2+,Dy3+)长余辉发光材料的力致发光特性.相比无背景光条件下的力致发光,采用的365 nm背景光持续辐照SrAl2O4:(Eu2+,Dy3+),可以使其力致发光强度不受余辉衰减时间影响,并能够提高力致发光强度及灵敏度.这一结果有助于推动SrAl2O4:(Eu2+,Dy3+)在冲击力传感领域的应用.     

利用CASTEP计算载流子有效质量的可靠性分析

基于第一性原理,在密度泛函理论(DFT)框架下,采用广义梯度近似(GGA)进行校正,利用超软赝势(USPP)代替离子势,计算了几种典型的半导体材料,包括金刚石结构的C、Si、Ge,闪锌矿结构的GaAs、GaP、InP、CdTe、CdS和纤锌矿结构的GaN、ZnO半导体材料的能带结构。结合半导体材料的载流子有效质量计算公式,对能带极值附近点进行拟合,得到了有效质量的理论计算结果,并对计算结果的可靠性进行了讨论。通过与实验数据的对比,计算结果显示了较好的一致性。     

薄膜厚度对Au/ZnO/n+-Si薄膜压敏电阻器阈值电压的影响

本文采用直流磁控溅射法和多次沉积与掩膜技术,在n+Si(100)衬底上制备了一系列厚度不同的ZnO薄膜,表面镀Au的探针与ZnO/n+-Si构成了一系列ZnO层厚不同的Au/ZnO/n+-Si薄膜压敏电阻器.利用X射线衍射确定沉积的ZnO薄膜为高度c轴(0002)取向的晶体薄膜,利用紫外-可见透射光谱对沉积的ZnO薄膜...     

TiO2薄膜的制备及其压敏特性研究

对热氧化制备的TiO2薄膜的低压压敏特性进行了研究.首先利用直流磁控溅射方法在重掺Si衬底上沉积一层金属钛膜,然后在退火炉中热氧化得到TiO2薄膜.XRD分析结果表明,Ti金属膜热氧化所得的TiO2薄膜为金红石结构,当热氧化温度600～800 ℃时呈现(200)择优取向性.I-V测试结果表明,择优取向的TiO2薄膜相对非择优取向的TiO2薄膜具有更高的压敏阈值电压.进一步分析表明,阈值电压与择优取向性的关系起源于薄膜厚度的变化.     

利用漫反射光谱研究SrAl_2O_4长余辉材料中Dy^(3+)和Eu^(2+)相关陷阱能级北大核心CSCD

在长余辉发光物理机制的研究中,确定发光材料中的缺陷能级是非常重要的。本文通过高温固相法制备了两组SrAl_2O_4∶Dy^(3+)和SrAl_2O_4∶Eu^(2+)样品,并采用漫反射光谱测定了SrAl_2O_4中一系列与Dy^(3+)和Eu^(2+)相关的吸收峰。对于SrAl_2O_4∶Dy^(3+)和SrAl_2O_4∶Eu^(2+),在其吸收谱的较低能量(长波长)和较高能量(短波长)区域内分别存在一组吸收峰。通过这些吸收峰可确定Dy^(3+)和Eu^(2+)掺杂在SrAl_2O_4带隙中引入的陷阱深度。结果表明Dy^(3+)离子能够在SrAl_2O_4中形成浅能级和深能级陷阱,而Eu^(2+)离子仅会形成浅能级陷阱。与文献报道的陷阱相比较,这些陷阱大部分和其它方法测得的数据相一致,小部分则是首次报道,可能是其它方法的测试范围所限而无法测得。我们认为距离导带0.6至1.2eV范围内的Dy^(3+)相关陷阱在SrAl_2O_4∶(Eu^(2+),Dy^(3+))长余辉发光过程中起着关键的作用。     

射频磁控溅射法沉积透明柔性导电CdO薄膜

随着透明电子器件和柔性显示器的发展,柔性透明导电薄膜正在受到越来越多的关注.采用射频磁控溅射法在柔性衬底上低温沉积高透过率、低电阻率的CdO薄膜.研究了O2流量对薄膜的结晶性能、光学性质和导电性能的影响.研究结果表明,室温下沉积的CdO薄膜均为结晶性能良好的立方结构薄膜,(200)取向性明显.另一方面,O2流量对CdO薄膜的光电性能有很大的影响.O2流量过小时,薄膜的透光率较差,而当O2流量较大时,薄膜的电阻率较大,当O2流量大于3 cm3/min时,光学透光率不再有大的变化.     

激光诱导击穿光谱及其在元素分析中的应用

激光诱导击穿光谱是一种新的元素分析方法,但仍处于不断完善之中。利用它可以分析不同形态样品的成分,因此在成分分析和微量元素检测方面具有重要的应用前景。本文阐述了激光击穿诱导光谱仪的基本原理和激光诱导击穿光谱在多个领域中的应用,研究内容涉及固体样品、液体样品、气体样品、微量杂质分析和成分深度剖析等,并分析了基体效应、自吸收效应、测量时间、环境气体、激光参数等对激光诱导击穿光谱分析结果的影响。     

Eu2+和Dy3+掺杂浓度对Sr2MgSi2O7材料的荧光和长余辉性能的影响

采用高温固相法制备得到Sr₂MgSi₂O₇: Eu²⁺和Sr₂MgSi₂O₇: Eu²⁺, Dy³⁺发光粉, 并详细研究了Eu²⁺和Dy³⁺的掺杂浓度对Sr₂MgSi₂O₇材料的荧光和长余辉性能的影响。所有样品都在470 nm附近呈现较宽的发光峰, 这可归因于Eu²⁺离子的4f⁶5d→4f⁷电子能级跃迁。当Eu²⁺掺杂浓度超过淬灭浓度, 其浓度淬灭效应导致发光粉的荧光强度下降和余辉时间减短。同时, 发射峰的峰位随Eu²⁺浓度的增加而发生红移, 这主要由于晶体场分裂能和斯托克斯位移变化造成的, 而电子云扩大效应变化所产生的影响相对较弱。Dy³⁺离子会抑制荧光, 但有助于延长余辉时间。当其掺杂浓度超过10mol%时, Eu²⁺\Dy³⁺离子通过隧道复合机制发生浓度淬灭, 从而使材料的长余辉寿命减少。