工艺参数对多涂层结构及性能的影响

由磁控溅射方法制得的多层TiC/TiB_2,在沉积过程中采用了不同程度的离子轰击,在以前的研究中,考虑到裂纹扩展阻力及磨损特性,特别在间歇切削条件下,5μm厚的整个涂层产生最佳性能的单层数目大约100～200,有迹象表明,界面区域阻碍裂纹,基体不加偏压溅射后,这些区域大约有2～3nm的扩展带,在沉积过程中,离子轰击导致相似的界面区域,改变了涂层组织,并且特别在多层涂层的情况下可以得到最好的涂层性能,对5μm厚涂层,要获得最佳性能及耐磨性大约需500单层,本文研究组织结构、性能与工艺参数间的关系。     

组分对PI/TiO_2纳米复合薄膜电学性能的影响

采用原位聚合法制备聚酰亚胺/二氧化钛(PI/TiO2)纳米复合薄膜.利用扫描电镜、X射线衍射仪对复合薄膜进行表征及结构分析,研究无机组分对复合薄膜电学性能的影响.结果表明,TiO2颗粒与PI基体相容性好、分布较均匀.随着无机组分的增加(0~7%),复合薄膜的击穿场强先升高后降低,在1%组分处达到最大值240 kV/mm;复合薄膜的耐电晕寿命持续增加;介电常数先降低后升高,在3%组分处达到最小值3.11,在7%组分处为3.49;电导率与介电损耗随组分变化不大,在102Hz频率下,薄膜电导率均小于6.0×1013S/cm;聚酰亚胺/二氧化钛纳米复合薄膜具有良好的介电性能与热稳定性.     

酞菁铜薄膜光电晶体管的制备与特性

无机光敏器件难于做成大面积光电传感器,且其生产成本高、工艺复杂,而有机光敏器件多采用二极管或平面场效应三极管结构,导致光电流增益小或驱动电压较大.针对这些问题,提出一种新的器件结构.采用真空蒸镀和溅射的方法,制备了结构为氧化铟锡(ITO)/酞菁铜(Cu Pc)/铝(Al)/酞菁铜(Cu Pc)/铜(Cu)的有机光电晶体管.对器件的光电特性进行了测试分析,结果显示晶体管的I-V特性表现出显著的不饱和特性和光敏特性.当发射极集电极偏压为3 V时,器件无光照时电流放大系数为16.5,当625 nm光照射时的电流放大系数为266.2.     

磁控溅射PtSi／p-Si纳米薄膜组织结构的研究

采用磁控溅射方法在p-Si(111)衬底上淀积5nmPt膜，分别在350℃-600℃退火。原子力显微镜(AFM)观察和x射线光电子谱(XPS)分析表明，随退火温度的增加，平坦的薄膜表面变得粗糙，其相分布由Pt-Pt2Si-Ptsi变为Pt Pt2Si PtSi-Ptsi。     

Simulation and analysis of effects of Young’s modulus of isolation material on natural frequencies of the sensor package and displacement of the chip

During the last ten years, Micro-electromechanicalSystems (MEMS) technology developed very rapidlyand with that came great achievements. Currently, theMEMS devices are different types of sensors, which areusually applied to measure physical quantities such aspressure, the acoustic signal, mass, motion, accelera-tion, rotation, velocity of flow, chemical reaction, vi-bration, and so on. Additionally, some sensors havebeen manufactured[1]. MEMS packaging technologydevelops slowly due to the…     

溶胶-凝胶法制备Al_2O_3感湿薄膜

采用溶胶－凝胶法制备Ａｌ＿２Ｏ＿３感湿薄膜，并通过大量实验，研究了溶胶的配制、涂覆层数及热处理工艺，对其感湿特性也进行了测试．     

超导参量及其拟合程序

测量了非晶Ｚｒ＿（６５）Ｃｏ＿（３５）在低温超导临界状态的磁致电阻变化规律，观察并分析了超导涨落特性，编制了拟合程序．通过对无序系统电子定域化和超导涨落理论的拟合，确定了不同温度下的弛予时间和超导涨落参量．     

当前和未来重要的封装技术

本文重点探讨了当前和未来重要的微电子封装技术的特性、应用情况、技术难点。最后分析预测了未来微电子封装的发展趋势。     

SBD势垒高度的影响因素

针对硅材料的肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode,简称SBD)的击穿电压普遍很低,严重影响其实际应用的问题,采用实验与理论分析相结合的方式,着重于表面态、界面层对势垒高度的影响进行研究.提取了三个重要参数:表面态密度D_i、界面层电容密度C_i和表面态中性能级Φ_0.结果表明,势垒高度的高低强烈依赖于这三个特性参数的大小.