Co-Ag颗粒膜的磁光克尔效应

用直流离子束共溅射技术溅射Ｃｏ－Ａｇ复合靶，制备了一系列Ｃｏ含量不同的颗粒膜，薄膜厚度约为４００ｎｍ，含Ｃｏ的体积比从０．０３到０．８４。在室温下，测量了Ｃｏ－Ａｇ颗粒膜的极克尔角θｋ的磁光谱，测量的波长范围从４００ｍｍ到８５０ｍｍ。当外磁场大小为１．０Ｔ并且方向垂直于膜面时，得到的最大克尔角为０．２８°，结果显示在颗粒膜极克尔旋转中，钴颗粒的浓试和微结构起重要作用。     

纳米材料在石油化工中的应用

1 纳米材料在石油化工催化剂中的应用由于纳米材料颗粒的大小可以人工控制 ,又由于尺寸小 ,比表面积大 ,表面的键态和颗粒内部不同及表面原子配位不全等 ,从而导致表面的活性部位增加。另外 ,随着粒径的减小 ,表面光滑程度变差 ,形成了凹凸不平的原子台阶 ,这样就增加了化学反应的接触面。利用纳米微粒的高比表面积和高活性这些特性 ,可以显著提高催化效率 ,因而纳米微粒在催化方面的应用前途方兴未艾。例如 ,30nm的Ni粉可将有机化学加氢和脱氢反应速度提高 15倍 ,粒径小于 0 3μm的镍和铜锌合金的纳米颗粒的催化效率比常规镍催化剂高 10…     

Co—Ag颗粒膜撩光克尔效应

用直流离子束共溅射技术溅射Ｃｏ－Ｃｇ复合靶,制备了一系列Ｃｏ含量不同的颗粒膜,薄膜厚度约为４００ｎｍ,含Ｃｏ的体积比从０．０３到０．８４。在室温下,测量了Ｃｏ－Ａｇ颗粒膜的极克尔角θｋ的磁光谱,测量的波长范围从４００ｎｍ到８５０ｎｍ。     

湿法腐蚀硅制作PDMS微流控芯片

提出一种制作聚二甲基硅氧烷(PDMS)微流控芯片的方法。用15%四甲基氢氧化铵溶液各向异性腐蚀硅(100)制作模具,然后经过浇模,中真空键合得到PDMS微流控芯片。整个过程耗时约10 h。用SEM和激光共焦显微成像系统观察整个制作过程。分析了硅片模具及PDMS微流控芯片图案的一致性及粗糙度,结果表明硅片模具图案的相对标准偏差低于3%,表面粗糙度Ra是0.051 μm,PDMS微流控芯片相应的分别是1%和0.183 μm。用PDMS微流控芯片进行电泳分离试验,分离场强200 V/cm,在4.7 cm长的分离通道中,30 s内成功分离了四苯磺酸基卟啉(TPPS)和羧基钴酞菁(TCPcCo(Ⅱ))的混合样品。     

胶粉改性沥青研究进展:从分子到工程

从化学工程角度总结剖析了胶粉改性沥青(CRMA)加工难、性能变异性大和污染物排放等难题产生的根源,分析了胶粉的来源、组成和基本性质,阐述了胶粉在选择、破碎或活化、沥青结合料或混合料加工和回收过程中不断变化的多网络结构与性能之间的关系;从工程角度综述了 CRMA混合料的特性及其优化方法;展望了 CRMA的发展方向并提出发...     

基于Gabor滤波器的干涉相位图滤波算法

提出一种新的干涉相位图滤波方法,并设计了一种自适应Gabor干涉图滤波器;这种滤波方式克服了传统线性相位在低信噪比条件下采用大窗口滤波带来相位失真,能够更加准确地区分局部干涉信号与相位噪声,有效地抑制了相位噪声的同时最大限度的保持了真实的相位信息;仿真和实际数据的处理结果验证了本方法的有效性。     

微机原理与汇编语言的可视化教学

微机原理与汇编语言是电子信息、通信技术和计算机专业学生的专业基础课。文章针对目前该课程教学现状和存在的问题,提出改变传统教学方法、采用可视化的教学模式、降低教师教学难度、提高学生的兴趣等教学手段,使学习过程变得轻松,实现寓教于乐的目的。     

引孔沉管灌注桩在较密实砂层中的应用

本文介绍了中原乙烯改扩建工程桩基方案的选择和试桩工程情况，对比分析和试验结果表明：引孔沉管灌注桩与打入式预制桩、螺旋钻孔压浆桩和钻孔灌注桩相比，更具优越性、合理性和经济性。     

机械合金化制备Fe40Ni40Si5C15非晶合金

采用机械合金化方法制备了Fe-Ni-Si-C系的非晶态合金粉末,在球磨过程中对合金粉末进行取样,用XRD和DTA对不同球磨时间的Fe40Ni40Si5C15混合粉末进行了分析,发现合金粉末在球磨40 h开始部分非晶化,随球磨时间的增大晶粒尺寸减小。研究结果表明:在Fe-Ni-Si合金中加入C,可促进其形成非晶。通过机械合金化法,通过控制合理的球磨时间,在球磨70 h成功获得了Fe40Ni40Si5C15非晶粉末。     

辐射对InSb霍尔器件电磁参数的影响

系统研究了低剂量率γ和β射线辐照对不同工作状态下的InSb霍尔器件输入电阻、输出电阻、磁电阻及霍尔灵敏度等电磁参数的影响,结果表明,γ和β粒子通过电离、位移效应与器件相互作用,导致器件的宏观电磁参数发生复杂变化.这些变化不因辐照停止而消失,反映了常温退火过程对辐射损伤的不可恢复性.恒流激励、无磁场作用时,所进行的辐照均使器件的输入电阻增加,并与辐照时间成正比.恒流激励、有确定磁场作用时,输入电阻、霍尔输出电压也因γ射线辐照而增加,但由于磁场的影响,增加量较小,且与辐照时间不成正比.无源、无磁场作用时,虽然输入、输出电阻因辐照而增加,但磁电阻和霍尔灵敏度却可能增加,也可能减小.所有这些结论对相应的辐射防护研究具有重要的参考价值.