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研究了Bi0.5Na0.5TiO3(BNT)掺杂对BaTiO3(BT)-Nb2O5-ZnO三元系统介电性能与微结构的影响.BaTiO3陶瓷在低温端(-55℃)的电容量变化率随BNT含量的增大而单调降低,而高温端(150℃)的变化率持续增大,且居里温度单调递增.掺杂1.0wt%与2.5wt%BNT的BT陶瓷满足EIA XSR特性.SEM观察表明,BaTiO3陶瓷内部由细小的基质晶粒和第二相晶粒组成,且第二相比例随BNT含量的增加而增大.XRD分析表明,基质晶粒为BaTiO3,第二相晶粒为CaB2Si2O8和NaBiTi6O14.条状第二相CaB2Si2O8和NaBiTi6O14的产生改变了BT系统的内应力结构是钛酸钡陶瓷居里温度升高以及电容量温度特性改善的原因. 相似文献
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系统研究了不同半径的稀土离子La3 、Ho3 、Yb3 分别掺杂的BaTiO3陶瓷的相组成、显微结构与介电性能的关系.实验表明,随着稀土离子La3 、Ho3 、Yb3 半径递减,稀土在BaTiO3中的固溶度降低,当稀土掺杂量超出固溶度时,BaTiO3陶瓷中生成焦绿石相.小离子半径的Yb3 掺杂有利于提高居里温度,改善容量温度特性,使瓷料满足EIA X8R规范要求.SEM研究表明,焦绿石第二相会抑制陶瓷晶粒生长,形成稳定的壳-芯结构,从而获得高介电常数和平缓的电容量温度曲线. 相似文献
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通过在BaTiO3陶瓷中单独添加Yb2O3或复合添加MgO/Yb2O3,研究了不同含量Yb3 掺杂对Ba-TiO3陶瓷居里点的影响。研究表明,在BaTiO3陶瓷中单独添加Yb3 使陶瓷介电常数减小,介电常数温度特性改善,但不会影响居里温度。而同时添加Mg2 与Yb3 时,BaTiO3陶瓷的温度特性能满足X8R(-55~150℃,电容变化率ΔC/C≤±15%,)标准,且系统的居里点随Yb3 含量增大而升高,掺入Yb3 每增加1%(摩尔比)使居里点提高2℃。研究认为,BaTiO3居里点向高温方向移动是由于在具有壳-芯结构BaTiO3陶瓷中,Yb3 取代Ti4 使晶粒壳晶胞体积增大,对晶粒芯产生张应力所致。 相似文献
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BiNbO4掺杂对BaTiO3基陶瓷的改性效应研究 总被引:1,自引:0,他引:1
对三元系统BaTiO3(BT)-Bi0.5Na0.5TiO3(BNT)-BiNbO4的微结构和介电性能进行了研究.1%(摩尔分数) BNT掺杂使BT的居里温度由127℃大幅提高到140℃.BiNbO4掺杂显著降低了高温端的电容温度变化率,相反低温端的电容温度变化率升高.掺杂3%~4%(摩尔分数)BiNbO4的BT陶瓷满足X8R特性.烧结温度过高时,居里峰明显被抑制,居里温度向低温移动,而低温介电峰向高温移动.SEM结果表明,1%(摩尔分数)BiNbO4掺杂时,陶瓷晶粒细小且尺寸均匀.BiNbO4含量增大,陶瓷内部出现异常生长的第二相晶粒,且第二相比例随BiNbO4含量增加而增大.XRD分析表明,基质晶粒为BaTiO3,第二相包括Ba2TiO4、NaBiTi2O6及BaTiNb4O13. 相似文献
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