哪代人正值创业黄金期？

在充斥着二十来岁百万富豪、干禧代亿万富豪的时代,如果说现在Y世代创业者的数量要比五年前少,你是否会感到惊讶？在马克·扎克伯格（MarkZuckerberg）、肖恩·帕克（SeanParker）、EK和大卫·卡普（DavidKarp）等年轻创业精英受到英雄般崇拜的文化里,如果说越来越少年轻人愿意连续创业,这是否令你更为惊讶？     

保护膜外逸电子发射特性对壁电荷的影响及改进方法

保护膜的外逸电子发射有利于缩短PDP响应时间并使放电稳定进行,但同时也会带来壁电荷的损失.文章评述了保护膜的外逸电子发射特性致使壁电荷损失的因素,并讨论了目前为改善壁电荷损失采用的方法,为合理利用保护膜的外逸电子发射特性提供了良好的研究基础.     

光传输网安全风险分析及防御技术研究

光传输网承载物理层及链路层的数据传输，是所有通信网络的核心基础。因此，光传输网安全作为数字信息基础设施安全的关键组成部分，其重要性不言而喻。对光传输网的分层结构展开介绍，分析了不同层面的安全风险，并针对各层可能受到的安全威胁研究了相关的安全对策，最后对光传输网安全防护体系构建的关键点进行了总结。     

Sc掺杂对PDP中MgO薄膜外逸电子发射性能的影响

研究了等离子显示器中Sc掺杂对MgO介质保护薄膜外逸电子发射性能的影响。测试出无掺杂和Sc掺杂MgO薄膜在不同温度条件下的外逸电子发射电流,并基于理论模型模拟计算外逸电子发射电流对比实验结果。结果表明Sc掺杂加深了MgO禁带中的电子陷阱深度,延长了MgO薄膜的外逸电子发射的衰减时间。Sc掺杂MgO薄膜具备了持续发射外逸电子的能力,能够实现等离子显示器放电单元稳定快速的寻址。     

桦木酸的合成及UPLC定量分析

本文以Kim的合成方法为基础,通过细致提纯桦木酮酸中间体,使用两步工艺合成桦木酸。合成桦木酸用红外光谱(IR)、质谱(MS)等手段进行表征,并建立UPLC定量桦木酸的快速分析技术。UPLC定量分析条件为:ACQUITY UPLC BEH C18(2.1 mm×50 mm,1.1μm)色谱柱,以乙腈-水为流动相采用梯度淋洗,检测波长213 nm,流速0.25 m L/min。通过优化筛选中间产物桦木酮酸溶剂及提纯条件,最终得到98.2%的桦木酸产物。     

基于FPGA和TCP/IP的多路采集与切换系统设计与实现

为保证数据采集应用中系统远距离控制和数据传输的可靠性,及满足多路信号接口的切换与并行数据采集需求,设计了一种基于FPGA和TCP/IP的多路采集与切换系统。该系统以Xilinx Spartan-6系列的FPGA为主控芯片,可满足8组×13路通道的切换,及16路模拟信号的同步采集与实时传输,采用FPGA+TOE架构实现TCP/IP协议通信,并配备监测上位机。通过测试表明,该系统能够长期稳定地进行多路通道切换及高速采集与实时传输,使用便捷、可靠性高,在分布式采集领域中具有一定的应用价值。     

Ne-Xe混合气体对荫罩式等离子体显示器放电影响的研究

本文使用7英寸荫罩式等离子体显示器(SM-PDP)的实验小屏,在真空系统上动态地改变混合气体中Xe浓度和气体压强,测量了着火电压、发射光光强、电子温度、电流、亮度和效率等参数,并分析了混合气体对(SM-PDP)放电的影响。结果表明,提高Xe浓度和气体压强虽然带来了着火电压的升高,但是同时也使得电流下降,亮度和效率大幅提高。通过提高Xe浓度和气体压强,导致电子和中性粒子的碰撞截面变大:一方面电子的碰撞几率增加,使得放电中电子温度降低,增加了基态Xe原子到低能级的直接激发;另一方面中性粒子的碰撞几率增加,使得173 nm的真空紫外线辐射增强,从而改善总的气体放电效率。     

MgO的外逸电子发射在PDP中作用

MgO外逸电子发射特性的获得是实现PDP高分辨率显示的关要技术之一,对MgO外逸电子发射的产生机理、测试方法及形成MgO外逸电子发射的方式进行了详细阐述,对该特性缩短PDP器件的统计延迟时间及提高放电稳定性等作用做了深入讨论,为合理利用MgO外逸电子发射特性,改善PDP特性提供了有力的理论基础.     

基于主成分分析的体育馆夏季室内热环境分析

以体育馆建筑为研究对象,运用主成分分析法对影响体育馆各场地的热舒适度的空气温度,相对湿度,辐射温度计算出影响室内热舒适度的各个因素对室内热舒适度的影响因子。针对的影响因子大小不同,提出对体育馆室内各场地热环境优化策略。     

介质层参数对表面型等离子体显示器性能优化的研究

以提高等离子体放电效率为目标,采用实验测试的方法研究了不同介质层的介电常数和厚度对着火电压、静态margin、放电效率和真空紫外辐射的影响。结果表明,适当的增加介质层参数εr/d,虽然提高了放电过程中产生的能量损失,但其同时也可以有效增强阴极区的电场和电子温度,使得放电产生的分子态VUV强度大幅上升进而带来放电发光效率的提高。因此,优化介质层参数可以作为今后提高等离子体放电效率的有效途径之一。