铸铝材料微弧氧化表面改性

微弧氧化是近几年发展起来的一项材料表面改性技术，用微弧氧化技术处理铸铝材料在其表面可以形成几十至上百微米的陶瓷氧化层。经X射线衍射分析该氧化层具有α相和γ相Al2O3结构，使表面硬度提高到800—1000HV，大大改善了铸铝表面的耐磨、耐蚀、耐压绝缘和抗高温冲击特性，在发动机活塞和电熨斗中得到了很好的应用。     

铝合金表面等离子微弧氧化处理技术

微弧氧化技术可以在铝合金表面上原位生长20-200μm的陶瓷氧化膜,该膜显微硬度为800-1500HV能大大地提高材料表面的耐磨、耐蚀、耐压绝缘和抗高温冲击特性,在纺织、机械等工业部门中具有广阔地应用前景。     

LC4超硬铝合金微弧氧化膜电化学腐蚀特性

用微弧氧化方法在LC4超硬铝合金表面获得较厚的氧化膜,测定了氧化膜的生长曲线及电流密度变化,并用电化学方法测定不同厚度膜的极化曲线,采用零电阻技术测量3.5%NaCl溶液中LC4铝合金-铜电偶对电偶腐蚀情况.用扫描电镜观察合金基体和微弧氧化膜的腐蚀形貌.经过微弧氧化处理后,LC4超硬铝的腐蚀电流密度比基体降低几个数量级,腐蚀电位上升,耐腐蚀性能得到很大提高,但膜超过一定厚度时腐蚀电流密度反而有所升高.较厚的微弧氧化膜大幅度降低了LC4/Cu电偶对的电偶电流,电偶电位正向移动.     

铸造铝合金微弧氧化膜的生长动力学及耐蚀性能

研究了ZL101铸造铝-硅合金微弧氧化陶瓷膜的生长动力学,探讨了膜生长厚度与电流密度(i)和生长速率(v)的关系.分析了膜的形貌和相组成,并用电化学法测量不同膜样品厚度的极化曲线.结果表明:膜生长分为3个阶段,氧化初期,i较高,但膜层生长较慢.在膜快速生长阶段,膜生长速率达到极大值.膜生长进入平稳期后,i基本保持恒定,样品的外部尺寸不再增加,膜逐渐转向基体内部生长.合金化元素硅的影响主要表现为氧化初期对膜生长的阻碍作用.铸造铝合金经过微弧氧化处理后,腐蚀电流大幅下降,极化电阻增加了几个数量级.较薄的微弧氧化膜同样大幅度提高了铝-硅合金的耐蚀性.     

SiCP/ 2024 铝基复合材料表面微弧氧化膜组织结构及其耐蚀性

对SiC_P/ 2024 铝基复合材料进行微弧氧化表面处理, 分析了陶瓷膜截面的显微组织、成分分布, 测量了其相组成和硬度分布, 并比较了氧化前后极化曲线的变化。结果表明, 在硅酸盐溶液中获得的陶瓷膜由莫来石、α-Al₂O₃ 、γ-Al₂O₃ 晶态相和SiO₂ 非晶相组成, 残留的SiC 增强体很少, 膜与复合材料呈现良好的冶金结合。膜具有两层结构, 外层Si 含量较高并主要来自电解液, 而内层膜里莫来石的形成同SiC 增强体氧化密切相关。微弧氧化处理后, SiC_P / 2024 铝基复合材料的抗腐蚀能力得到很大提高, 这归因于形成了一层完整连续的氧化膜。      

应用等离子体化学反应的高频离子源中气压对引出金属离子和卤素离子含量的影响

高频离子源中等离子体化学反应引出金属和卤素离子的实验中,存在一个规律性的东西。那就是,放电室内的气压在工作范围内变化时,离子束中金属离子和卤素离子的含量也都随之改变。当气压升高时,金属离子的百分比增大,卤素离子的百分比减小;反之,金属离子的比率下降,而卤素离子的比率上升。本文对这样一个事实进行了一些讨论。     

高频离子源中应用等离子体化学反应引出金属离子过程中一个基本规律的研究

高频离子源中应用等离子体化学反应引出金属离子的过程中,总结出了一个基本规律——“氧化——还原——氧化”,“”—”—””,“”—”—””,……。利用此规律,解决了一批金属离子的引出问题。已引出的离子有:Re~+、W~+、Mo~+、Ta~+、Pt~+、Pd~+、Au~+、Ag~+、Nb~+、Ti~+、V~+、Cr~+、Ni~+、Fe~+、Cu~+、Zn~+、Ga~+、Ge~+、Se~+、Si~+、Al~+、Mg~+、Be~+、Li~+、Bi~+、In~+、Sn~+、Pb~+、Cd~+等和稀土离子Y~+、Nd~+、Ce~+、Sm~+、Tm~+、Dy~+、Gd~+、Er~+等。