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1.
2.
优化非致冷红外探测器设计的理论模型 总被引:2,自引:1,他引:1
文章建立了一种改进非致冷红外探测器性能的数学模型,分析了探测器结构和噪声对于噪声等效温差NETD的影响,并给出了NETD与探测器温度TD,背景温度下TB,热导G以及探测单元面积A等因素的关系曲线,指出了探测器性能改进和优化的途径。 相似文献
3.
4.
利用自行研制的“光电阴极多信息量测试系统”首次对国产三代微光管中的GaAs光电阴极的均匀性进行了光谱响应测试 ,结果表明该国产三代微光管存在明显的非均匀性。利用曲线拟合方法估算了GaAs光电阴极的材料性能参数 ,发现表面逸出概率不一致是非均匀性的主要原因 ,GaAs材料的少子扩散长度 (1 1 2~ 1 82 ) μm ,与阴极厚度相当 ,后界面复合速率在 (1× 1 0 5~ 1× 1 0 6 )cm/s之间 ,它限制了阴极灵敏度的提高 相似文献
5.
热增强光电发射是一种新的太阳能转换技术,它可以将光电发射和热电发射结合到一个过程中。本文在细节平衡条件下对光子增强热电子发射进行了理论计算,并给出了反射式GaAs光电阴极的增强热电子发射电流密度和能量转换效率。计算结果表明,阴极的电子亲和势增高会降低发射电流密度,提高输出电压,影响能量转换效率。当电子亲和势为负时,平台期能量转换效率约为15%,当电子亲和势为正时,能量转换效率可以超过25%。实验测得反射式GaAlAs/GaAs真空光电二极管的光电发射过程随温度提高而增强,在短波段更为明显。若以低功函数金刚石薄膜为阳极,可计算其能量转换效率约为2.7%,并随温度提高而略有提升。 相似文献
6.
MBE梯度掺杂GaAs光电阴极激活实验研究 总被引:1,自引:2,他引:1
本文首次利用分子束外延(MBE)生长了多种由体内到表面掺杂浓度由高到低的梯度掺杂反射式GaAs光电阴极材料,并进行了激活实验,结果表明,表面低掺杂浓度适中,外延层厚度2 μm~3 μm以及衬底为重掺杂p型GaAs的梯度掺杂GaAs光电阴极能够获得较高灵敏度.在优化激活工艺的条件下,梯度掺杂GaAs光电阴极获得了1798μA/lm的最高积分灵敏度,比采用同样方法制备的均匀掺杂GaAs光电阴极高30%以上.梯度掺杂GaAs光电阴极表面掺杂浓度较均匀掺杂的低,第一次给Cs时间较长,第一次Cs、O交替时要调整好Cs/O比,并在整个激活过程中保持不变.一个高量子效率梯度掺杂GaAs光电阴极的获得依赖于梯度掺杂结构和激活工艺两个方面的优化. 相似文献
8.
Cs、O激活方式对GaAs光电阴极的影响 总被引:1,自引:2,他引:1
利用自行研制的GaAs光电阴极多信息量测试与评估系统,比较了不同Cs、O激活方式下GaAs光电阴极的激活过程、光谱响应特性以及稳定性的差异,发现与传统的Cs源、O源交替断续激活方式相比,Cs源持续,O源断续的激活方式能获得灵敏度更高和稳定性更好的阴极,且阴极的长波响应能力也得到提高.本文利用双偶极层模型对实验现象进行了解释,认为Cs在整个激活过程中处于轻微过量状态有利于获得高性能的GaAs光电阴极,Cs量控制是决定GaAs光电阴极激活工艺好坏的主要因素. 相似文献
9.
10.
研究了非制冷热成像系统功耗产生的主要原因,提出了一种具有低功耗特点的多工作温度热成像系统。从非晶硅焦平面阵列探测器噪声等效温差和探测率的计算公式入手,分析了非晶硅焦平面阵列探测器响应特性与工作温度的关系。数值分析显示,在- 40℃~60℃工作温度范围内,非晶硅焦平面阵列探测器具有一致性的响应性能,这为设计多工作温度热成像系统奠定了理论基础。对所设计的多工作温度热成像系统测试结果:在- 40℃~60℃环境温度范围内,热电稳定器的功耗小于350 mW,噪声等效温差小于120 mK.这表明该热成像系统既具有稳定的成像质量,又具有较小的系统动耗。 相似文献