平顶光谱响应的光学交叉复用滤波器

提出了一种设计光学交叉复用滤波器interleaver的新结构。该结构采用具有环形波导的单级MZ干涉仪设计而成。比较3级、5级及7级interleaver的功率透射谱发现,级次越高平顶效果越好;同时通带和阻带越陡,越接近方波。结果表明,只要给出期望得到的这种结构的椭圆半谱带滤波器交叉口的传递函数．便可以得到相应的设计参数;随着级数的增加其功率透射谱具有接近方波的平顶效果,适宜设计interleaver。     

低压金属有机化学气相外延生长室热流场的模拟与分析

本文运用了有限体积方法模拟了低压有机金属化学气相外延生长室的二维流场和热场的分布情况,分析了生长室内压力和基座转速对于流场和热场影响,指出了低压金属有机化学气相外延的优点所在.     

基于InP/空气隙DBR的长波长一镜斜置三镜腔型光电探测器

介绍了一种新型InP基长波长一镜斜置三镜腔型光电探测器,并利用传输矩阵方法对其进行数值模拟和理论分析。通过斜镜的引入,该探测器不仅消除了谐振腔增强型(RCE)光电探测器的量子效率与光谱响应线宽之间的制约关系,还能实现响应波长的大范围调谐。     

InP基一镜斜置三镜腔型光电探测器理论分析及实验研究

介绍了一种新型长波长InP基一镜斜置三镜腔型（OMITMiC）光电探测器，并对其进行了数值模拟。介绍了该光电探测器的两项关键制备工艺。首先，利用动态掩膜湿法腐蚀技术，通过调节HCl：HF：CrO3腐蚀溶液的选择比。在与InP晶格匹配的In0.72Ga0.28As0.6P0.4外延层上制备出了不同倾角的楔形结构。其次，利用选择性湿法腐蚀技术，通过FeCl3；H2O溶液对In0.53Ga0.47As牺牲层的腐蚀，制备出了具有InP／空气隙的高反射率分布式布拉格反射镜（DBR）。     

金融危机下，集成电路产业态势分析

受国际金融危机影响,国际原材料价格波动市场持续低迷,2008年全球半导体市场增速大大低于年初预测的9．2％。根据SIA发布的数据,2008年全球半导体市场规模为2486亿美元,同比下跌了2．8％。此前一直保持20％以上增速的中国集成电路产业与市场也大幅放慢了脚步,增长率分别为-0．4％与3％。全球半导体产业目前所面临的困境,     

渐行渐近的物联网——故事才刚刚开始

当前,物联网、智慧地球、智能电网、传感网等各种概念不绝于耳。如此多的概念出现,深刻地反映了当前人类社会面临的两大挑战。     

探索半导体照明综合标准化工作 促进产业健康可持续发展

开展半导体照明综合标准化工作的重要意义半导体发光二极管(以下简称LED)是全球最具发展前景的新兴产业之一,是新一代信息技术和节能环保两个战略性新兴产业的重要组成部分。LED产业具有产业成长快、技术进步快、带动作用强、市场前景广阔等特点,成为电子信息和照明产业发展的热点。采用LED作为光源的照明,称为半导体照明,具有光电转换效率高、节能、环保、寿命长     

InP低温缓冲层的表面形貌及对其外延层生长的影响

采用两步生长法用金属有机物气相外延技术在GaAs（100）衬底生长InP，用原子力显微镜探索了退火和未退火的低温缓冲层以及InP外延层的表面形貌，测量了他们的表面均方根值，讨论了低温缓冲层表面形貌随生长温度的变化以及退火对其表面形貌的影响，并分析外延层与低温缓）中层表面形貌的依赖关系，外延层表面形貌均方根值与XRD测量值一致，在450℃生长低温缓）中层，外延层有最好的表面形貌。