首页 | 官方网站   微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   611080篇
  免费   48834篇
  国内免费   26149篇
工业技术   686063篇
  2024年   1615篇
  2023年   8375篇
  2022年   14379篇
  2021年   22238篇
  2020年   17084篇
  2019年   13947篇
  2018年   15889篇
  2017年   18290篇
  2016年   16576篇
  2015年   22771篇
  2014年   29799篇
  2013年   36478篇
  2012年   39650篇
  2011年   43291篇
  2010年   38416篇
  2009年   36929篇
  2008年   35748篇
  2007年   34412篇
  2006年   34632篇
  2005年   30271篇
  2004年   20802篇
  2003年   18006篇
  2002年   16772篇
  2001年   14913篇
  2000年   14697篇
  1999年   16066篇
  1998年   13416篇
  1997年   11158篇
  1996年   10335篇
  1995年   8600篇
  1994年   7035篇
  1993年   5172篇
  1992年   4076篇
  1991年   3140篇
  1990年   2456篇
  1989年   2051篇
  1988年   1581篇
  1987年   1044篇
  1986年   790篇
  1985年   627篇
  1984年   415篇
  1983年   331篇
  1982年   342篇
  1981年   286篇
  1980年   255篇
  1979年   166篇
  1978年   103篇
  1977年   105篇
  1976年   132篇
  1973年   64篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
Feng  Wenran  Li  Zhen  Chen  Yingying  Chen  Jinyang  Lang  Haoze  Wan  Jianghong  Gao  Yan  Dong  Haitao 《Journal of Materials Science》2022,57(3):1881-1889
Journal of Materials Science - Although chalcogenide materials continue to generate considerable interest due to great potentials for various optoelectronic devices, annealing for a long time in...  相似文献   
2.
Due to the demand of miniaturization and integration for ceramic capacitors in electronic components market, TiO2-based ceramics with colossal permittivity has become a research hotspot in recent years. In this work, we report that Ag+/Nb5+ co-doped (Ag1/4Nb3/4)xTi1−xO2 (ANTOx) ceramics with colossal permittivity over a wide frequency and temperature range were successfully prepared by a traditional solid–state method. Notably, compositions of ANTO0.005 and ANTO0.01 respectively exhibit both low dielectric loss (0.040 and 0.050 at 1 kHz), high dielectric permittivity (9.2 × 103 and 1.6 × 104 at 1 kHz), and good thermal stability, which satisfy the requirements for the temperature range of application of X9R and X8R ceramic capacitors, respectively. The origin of the dielectric behavior was attributed to five dielectric relaxation phenomena, i.e., localized carriers' hopping, electron–pinned defect–dipoles, interfacial polarization, and oxygen vacancies ionization and diffusion, as suggested by dielectric temperature spectra and valence state analysis via XPS; wherein, electron-pinned defect–dipoles and internal barrier layer capacitance are believed to be the main causes for the giant dielectric permittivity in ANTOx ceramics.  相似文献   
3.
4.
Multimedia Tools and Applications - With the advancement of technology and the spread of the COVID19 epidemic, learning can no longer only be done through face-to-face teaching. Numerous digital...  相似文献   
5.
张鹏  丰梦  陈伟  杨鑫  周洁  胡东林 《变压器》2021,58(9):58-62
本文中作者研究了温度对油浸式变压器绝缘纸老化水平的影响,开展了频域介电谱测试得出不同的试验温度下绝缘纸的电导率频域谱.推导了温度、电导率和相对介电常数之间的作用情况,并进行实例验证.  相似文献   
6.
Xiao  Zhu  Chen  Yanxun  Jiang  Hongbo  Hu  Zhenzhen  Lui  John C. S.  Min  Geyong  Dustdar  Schahram 《Wireless Networks》2022,28(7):3305-3322
Wireless Networks - Unmanned aerial vehicles (UAV) have been widely used in various fields because of their high mobility and portability. At the same time, due to the rapid development of...  相似文献   
7.
8.
9.
10.
In this paper, a novel hybrid structure of Pd doped ZnO/SnO2 heterojunction nanofibers with hexagonal ZnO columns was one step synthesized from electrospun precursor nanofibers. Due to the synergistic effect of hexagonal ZnO, SnO2 and Pd, the structure exhibited excellent hydrogen (H2) gas sensing properties. At low-temperature of 120 °C, the response (Ra/Rg) to 100 ppm H2 gas exceeded 160, the response/recovery time was only 20 s and 6 s respectively and the limit of detection was only 0.5 ppm. Meanwhile, it also had good selectivity for H2 gas and excellent linearity. In addition, the materials were characterized by XRD, FESEM, HRTEM, XPS, and the synthesis mechanism and gas sensing mechanism were proposed.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司    京ICP备09084417号-23

京公网安备 11010802026262号