退火处理对二氧化锡纳米线性能的影响

采用化学气相沉积法在硅衬底上生长二氧化锡(SnO2)纳米线,并对其进行热处理.扫描电子显微镜、X射线衍射仪和拉曼光谱测试分析表明所合成的SnO2蚋米线为单一四方金红石相,且结晶性能良好.光致发光测试显示在576 nm附近有明显的黄色发光峰,但在氧气氛环境退火处理后该发光峰逐渐减弱,表明576 nm处的发光峰为氧空位缺陷引起的发光.同时,退火处理能有效提高材料的场发射性能,SnO2纳米线的最低开启和阚值电场分别约为4.6和6.2 V/μm.